non-address memoryとは意味・読み方・使い方

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日英・英日専門用語辞書での「non-address memory」の意味

non-address memory

無アドレス記憶装置

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「non-address memory」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 90件

例文

CONTROL AND ADDRESS CLOCK NON-DISTRIBUTED MEMORY SYSTEM例文帳に追加

制御及びアドレスクロック非分配型メモリシステム - 特許庁

A memory controller maps a user address into a non-overlapped physical address within the shared memory device.例文帳に追加

メモリ・コントローラが、ユーザ・アドレスを共有メモリ・デバイス内部の重なり合わない物理アドレスにマップする。 - 特許庁

A non-volatile memory 2 and a memory 3 for download are treated on the same memory map, and data read from the prescribed address of the memory 3 for download are written in the corresponding address on the non-volatile memory 2.例文帳に追加

不揮発性メモリ２とダウンロード用メモリ３を同一のメモリマップで扱い、ダウンロード用メモリ３の所定のアドレスから読み込んだデータを不揮発性メモリ２上の対応するアドレスに書き込む。 - 特許庁

A flash memory is provided with an address bus, a data bus, a control line, and an address specifiable non-volatile memory cell carry 64 connected to the address bus and the data bus.例文帳に追加

フラッシュメモリは、アドレスバスと、データバスと、制御線と、前記アドレスバスおよびデータバスに接続したアドレス指定可能不揮発性メモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

When the compression recording processing of sound data is commanded, a recording area for compressed data and a recording area for non-compressed data are assured respectively in the area from the memory address Sst to the memory address Send of an HD and in the area from the memory address Dst to the memory address Dend of the HD.例文帳に追加

音声データの圧縮記録処理が指令されると、HDのメモリアドレスSstからSendの領域およびメモリアドレスDstからDendまでの領域に、圧縮データ用記録領域と非圧縮データ用記録領域がそれぞれ確保される。 - 特許庁

Access can be performed for the first and the second memory cell arrays with an address non-multiplex system.例文帳に追加

第１および第２のメモリアレイに対しアドレスノンマルチプレクス方式でアクセスすることが出来る。 - 特許庁

例文

To prevent a data destruction of a non-selecting memory cell in a ferroelectric memory by fixing plate lines of other than non-selecting address to low level.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、非選択アドレス以外のプレート線をローレベルに固定することにより非選択メモリセルのデータ破壊を防止する。 - 特許庁

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「non-address memory」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 90件

例文

A top address of non-reference frame data in the data storing memory 18 is stored in a top address storage part 20.例文帳に追加

また、先頭アドレス記憶部２０には、データ格納用メモリ１８における非参照フレームデータの先頭アドレスを記憶する。 - 特許庁

To substitute it efficiently for a column address when a defect of a column address line is caused in a non-volatile ferroelectric memory device.例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリ装置でカラムアドレスライン欠陥が発生した時、効率よくカラムアドレスを代替する。 - 特許庁

When non-sequential reading as reading at a non-sequential address, which is not continuous to the previous read address, occurs, a first cache memory circuit 270 sequentially caches address data of the non-sequential address and n (n represents an integer not less than 1) addresses following the non-sequential address and stores the cached data of n addresses in a second cache memory circuit 280.例文帳に追加

前回のリード・アドレスと連続しない非順次アドレスへのリードである非順次リードがあったときに、第１のキャッシュ・メモリ回路２７０により該非順次アドレス、および該非順次アドレスに続くｎ個（ｎ：１以上の整数）のアドレスのデータを順次キャッシングすると共に、キャッシングしたｎ個のアドレスのデータを第２のキャッシュンメモリ回路２８０に保存する。 - 特許庁

A first non-volatile memory (MLC-NAND memory) 102 and a second non-volatile memory element (SLC-NAND memory) 103 whose characteristics are different are connected to a common data bus and an address bus.例文帳に追加