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nonvolatile sramとは 意味・読み方・使い方
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「nonvolatile sram」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).例文帳に追加
不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁
To attain both high speed of SRAM and nonvolatile of EEPROM by a simple constitution.例文帳に追加
SRAMの高速性とEEPROMの不揮発性との両立を簡単な構成により実現すること。 - 特許庁
To provide a nonvolatile storage having high reliability enabling high integration by substituting the nonvolatile storage for a SRAM used in a switch of a programmable logic such as a FPGA or the like.例文帳に追加
FPGAなどのプログラマブルロジックのスイッチに用いられているSRAMの変わりとなり、高集積を可能とする高い信頼性を備えた不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁
To store information in an SRAM block in a nonvolatile way, as regards a method for using a semiconductor integrated circuit provided with the SRAM block and the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加
本発明はSRAMブロックを備えた半導体集積回路の使用方法およびSRAMブロックを備えた半導体集積回路に関し、そのSRAMブロックに情報を不揮発的に記憶する。 - 特許庁
To provide a cell power switching circuit in a nonvolatile memory device like an SRAM and a method for applying a cell power voltage thereby.例文帳に追加
SRAMのような揮発性メモリ装置でのセルパワースイッチング回路とそれによるセルパワー電圧印加方法を提供することにある。 - 特許庁
A CPU 24 erases a specified area of a nonvolatile memory 22 based on the control of the rewrite program stored in the SRAM 26, inputs the re-written data from the write device 60, stores it in the SRAM 26, and writes it in the specified area of the nonvolatile memory.例文帳に追加
CPU24はSRAM26に格納された書き換えプログラムの制御に基づき、不揮発性メモリ22の所定の領域を消去し、書き込み装置60から書き換えデータを入力し、SRAM26に格納してから不揮発性メモリの所定の領域に書き込む。 - 特許庁
By arranging such constitution, a volatile storage operation such as the SRAM for holding the mutually reversed electric potential information and a nonvolatile storage operation by the two nonvolatile storage means are both attained.例文帳に追加
このような構成とすることによって、相互的に反転した電位情報を保持するSRAMのような揮発性記憶動作と、2つの不揮発性記憶手段による不揮発性記憶動作とを両立することができる。 - 特許庁
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「nonvolatile sram」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
A semiconductor device (nonvolatile memory) has a circuit configuration similar to that of a general SRAM, and the leakage of charges from a memory holding part of the SRAM is prevented by disposing a transistor with small off current between a power supply potential line and the memory holding part.例文帳に追加
一般的なSRAMと同様の回路構成を有し、該SRAMの記憶保持部と電源電位線の間にオフ電流の小さいトランジスタを配することで、記憶保持部からの電荷の漏れが防止された半導体装置(不揮発性メモリ)とする。 - 特許庁
The conductance of one pulldown transistor is varied by making drain current flow to the one pulldown transistor between a pair of pulldown transistors constituting at least one SRAM for nonvolatile information storage among a plurality of SRAM cells.例文帳に追加
上記複数のSRAMセルの少くとも1つの不揮発情報記憶用SRAMセルを構成する一対のプルダウントランジスタのうちの一方のプルダウントランジスタにドレイン電流を流すことによってその一方のプルダウントランジスタのコンダクタンスを変化させる。 - 特許庁
To make a ferroelectric capacitor provided to a nonvolatile SRAM stable in film quality and to provide a laminated structure contributing cell area reduction.例文帳に追加
不揮発性SRAMセルに設けられる強誘電体キャパシタの膜質の安定化を図ると共に、セル面積の縮小化に寄与する積層構造を提供する。 - 特許庁
Depending on the state of a nonvolatile latch 7, a rewrite program in the second area of a flash memory 2 is copied to an SRAM 3 and rewriting of the flash memory 2 is started or a rewrite program in the third area of the flash memory 2 is copied to the SRAM 3 and rewriting of the flash memory 2 is started.例文帳に追加
不揮発性ラッチ7の状態により、フラッシュメモリ2の第2領域の書換プログラムをSRAM3へコピーしてフラッシュメモリ2の書き換えを開始するか、フラッシュメモリ2の第3領域の書換プログラムをSRAM3へコピーしてフラッシュメモリ2の書き換えを開始するかを切り換える。 - 特許庁
This system is equipped with the nonvolatile memory 108 as the single body in which an A/D converter and D/A converter 101, a DSP 102, a CPU 109, and high-speed writable volatile memories SRAMs 106 and 107 are incorporated, and the SRAM 107 and a Flash memory 105 have independent buses.例文帳に追加
A/D変換器とD/A変換器101、DSP102、CPU109、および高速書き込み可能な揮発性メモリSRAM106、107を内蔵した単体の不揮発性メモリ108を備え、SRAM107とFlashメモリ105に各々独立したバスを有する。 - 特許庁
The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.例文帳に追加
このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するSRAM(Static Random Access Memory)、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁
To prevent causing damage to authentication history data or file systems which may occur at power supply cutoff when performing writing from SRAM as a temporary buffer of the authentication history data in a management section to a CF memory as a nonvolatile memory in an authentication device where an authentication section performing authentication processes and the management section storing authentication history are integrated.例文帳に追加
認証処理を実行する認証部と、認証履歴を記憶する管理部とが一体となった認証装置において、管理部における認証履歴のデータの一時バッファであるSRAMから不揮発性メモリであるCFメモリへの書込み時において電力の供給が断たれた場合に発生しうる認証履歴データやファイルシステムの破損を防ぐ。 - 特許庁
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