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pMOSFET
出典:『Wiktionary』 (2025/04/22 01:27 UTC 版)
名詞
pMOSFET (plural pMOSFETs)
- (electronics, semiconductors) A type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that utilizes an p-type channel, conducting when a voltage voltage below a threshold is applied to the gate relative to the source. It is commonly used in complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) technology alongside nMOSFETs.
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1990 March, Katsushi Asahina, Shuji Murakami, Katsuki Ichinose, Fuyumi Minami, Yasuhiro Funakoshi, “A 256-K 13-Nanosecond CMOS SRAM”, in Electronics & Communications in Japan, Part 2: Electronics, volume 73, number 3, pages 44-45:
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As shown in Fig. 2, the source-drain breakdown characteristics of PMOSFETS exhibit an increase in the drain current under the same drain voltage as the gate length increases.
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2025 April, A. Tahiat, B. Cretu, A. Veloso, E. Simoen, “Investigation of DC and low frequency noise parameters of junctionless GAA Si VNW pMOSFETs in the temperature range from 80 K to 340 K”, in Solid-State Electronics, volume 225, page 1:
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In this article, the performance of vertical nanowire Gate All Around (GAA) junction-less pMOSFETs on SOI having an asymmetric architecture was investigated experimentally based on an in-depth study of their electrical characteristics.
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関連する語
「p-mosfet」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 279件
P-CHANNEL SILICON CARBIDE MOSFET例文帳に追加
ｐチャネル型炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁
SWITCHING CIRCUIT OF P CHANNEL MOSFET例文帳に追加
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのスイッチング回路 - 特許庁
Relating to a silicon carbide trench MOSFET, a semiconductor device has both a region of low p-body width concentration and narrow width, and a region of high p-body concentration and wide width.例文帳に追加
炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。 - 特許庁
A memory cell is configured by a combination of a p-MOSFET 20 and an n-MOSFET 22.例文帳に追加
メモリセルをｐ−ＭＯＳＦＥＴ２０とｎ−ＭＯＳＦＥＴ２２との組で構成する。 - 特許庁
Moreover, the circuit is provided with a circuit for compensating the output level of p-channel MOSFET 2(CMOS inverters 7, 8, p-channel MOSFET 9 and n-channel MOSFET 10) and the circuit for compensating the output level of n-channel MOSFET 5(n-channel MOSFET 11 and p-channel MOSFET 12).例文帳に追加
更に、上記ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ２の出力レベル補償回路（ＣＭＯＳインバータ７、８、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ９、及びｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０）と、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ５の出力レベル補償回路（ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１２）を設ける。 - 特許庁
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「p-mosfet」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 279件
The power MOSFET is a trench gate vertical P-channel MOSFET, and the conductivity type of its gate electrode 6 is a P-type.例文帳に追加
パワーＭＯＳＦＥＴがトレンチゲート縦型ＰチャネルＭＯＳＦＥＴであって、そのゲート電極６の導電型をＰ型とする。 - 特許庁
To demonstrate the performance of a p-type MOSFET to the maximum extent while controlling the leakage current of an n-type MOSFET in a semiconductor device provided with the n-type MOSFET and the p-type MOSFET.例文帳に追加
Ｎ型ＭＯＳＦＥＴおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置において、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのリーク電流を抑制しつつ、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴの性能を最大限に発揮させる。 - 特許庁
HETERO INTEGRATION TYPE STRAINED SILICON N-TYPE MOSFET, P-TYPE MOSFET, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
ヘテロ集積型歪みシリコンｎ型ＭＯＳＦＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁
Moreover, the gate electrodes of a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET are formed, by using the source/drain forming mask of the P-channel MOSFET and the source/drain forming mask of the N-channel MOSFET respectively.例文帳に追加
さらに、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのソースドレイン形成マスク、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのソースドレイン形成マスクを用いて形成している。 - 特許庁
To improve the yield of manufacturing by suppressing variations in a threshold voltage of a P-channel MOSFET in a semiconductor device comprising an N-channel MOSFET and the P-channel MOSFET.例文帳に追加
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴとＰチャネルＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置において、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴの閾値電圧のばらつきを抑制し、製造歩留まりを上げる。 - 特許庁
To selectively form a silicon-germanium layer by a p-type MOSFET region and an n-type MOSFET region.例文帳に追加
ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。 - 特許庁
The control voltage VDRV to a P channel MOSFET driving circuit 12 is provided with an amplitude of almost equal to potential width |VDD-VSS| of an external power supply voltage by the operation of the cross coupling type amplifier circuit 14 and the P channel MOSFET driving circuit 12 has the high load current ability.例文帳に追加
ＰチャネルMOSFET駆動回路１２への制御電圧（VDRV）は、前記交差結合型アンプ回路１４の動作により、ほぼ外部電源電圧の電位幅｜VDD—VSS｜の振幅を得て、ＰチャネルMOSFET駆動回路１２は大負荷電流能力を持つ。 - 特許庁
A p^+-region is formed by using the source/drain of a MOSFET.例文帳に追加
ｐ＋領域は、ＭＯＳＦＥＴソース／ドレインを用いて形成することになる。 - 特許庁
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