pattern of growthとは 意味・読み方・使い方

A predefined prediction spread pattern (growth pattern) is used that comprises simultaneous prediction of two or more adjacent MBs per MB.例文帳に追加

MB当たり二つ以上の隣接MBの同時予測を含む、あらかじめ定義された予測拡張パターン（成長パターン）が使用される。 - 特許庁

Than, an alignment pattern growth stopping mask and one pair of growth stopping masks extending in the same direction are selectively formed on the substrate 9.例文帳に追加

次に、半導体基板９上に目合わせパターン成長阻止マスク及び１対の同方向に延びる成長阻止マスクを選択的に形成する。 - 特許庁

STRUCTURALLY SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH TECHNIQUE AND METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON PATTERN USING SELECTIVE SILICON ETCHING TECHNIQUE例文帳に追加

構造選択エピタキシヤル成長技術および選択シリコンエッチング技術を用いた単結晶シリコンパターン形成方法 - 特許庁

To provide an epitaxial growing method, with which pattern matching is enabled in a photolithography process after the epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンのエピタキシャル成長後のフォトリソグラフィ工程でのパターン合わせが可能となる、エピタキシャル成長方法を得る。 - 特許庁

As a result, the growth and development of a surface-solidified layer are delayed, and the transfer of the pattern of the transfer surface can be finished in the meantime.例文帳に追加

その結果、表面固化層の成長及び発達を遅らせ、その間に転写面のパターンの転写を終了することができる。 - 特許庁

To provide a selective growth method of a solid wherein the yield is improved by a simple method, and to provide a method for manufacturing a fine pattern where a selective growth of a solid is performed without removing a growth mask.例文帳に追加

簡単な方法で歩留まりを改善することができる固体の選択成長方法の実現と、成長マスクを除去することなく固体の選択成長を行うことにより、微細パタンを製造する方法の実現と、が目的である。 - 特許庁

This decoration display substrate is formed by forming an ion irradiated layer on a diamond growth substrate by ion irradiation, then it is processed in a specified pattern, and finally by epitaxial growth of a single crystal of a diamond film on the surface.例文帳に追加

ダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、これを所定のパターンに加工し、この表面に単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which suppresses an abnormal growth of an SiGe mixed crystal on a polysilicon gate electrode pattern caused during an epitaxial growth of the SiGe mixed crystal layer which becomes a stress source.例文帳に追加

応力源となるＳｉＧｅ混晶層のエピタキシャル成長の際に生じる、ポリシリコンゲート電極パターン上のＳｉＧｅ混晶異常成長を抑制する半導体装置製造方法の提供。 - 特許庁