phosphorus 31とは 意味・読み方・使い方

This semiconductor device has the N+ additional embedded layer 45 of the NPN transistor 31, formed of phosphorus (P) having a rapid diffusion rate.例文帳に追加

この半導体装置では、ＮＰＮトランジスタ３１におけるＮ^+型付加埋め込み層４５は、拡散速度の速いリン（Ｐ）で形成される。 - 特許庁

The insulating layer 30 is formed of a silicon oxide film 31, and it is preferable that the insulating layer 30 is formed of, in concrete terms, silicate glass, such as BPSG etc., containing phosphorus.例文帳に追加

絶縁層３０はシリコン酸化膜３１から成り、具体的にはＢＰＳＧ等のリンを含有したシリケートガラスが好ましい。 - 特許庁

The injection direction of phosphorus is set in the direction inclined to the direction of lamination so that the phosphorus is injected to only the upper portion 36 surrounded by upper insulating film 33 among the lower electrodes 35, thereby, the phosphorus substantially is not injected into the lower portion 37 surrounded by a lower insulating film 31 blocked with the opening of the lower electrode 35.例文帳に追加

下部電極３５のうち上部絶縁膜３３で囲まれた上部３６にのみリンが注入されるように、リンの注入方向を積層方向に対して傾いた方向に設定し、下部絶縁膜３１で囲まれた下部３７には下部電極３５の開口で遮られて実質的にリンが注入されないようにする。 - 特許庁

Roughness of micron order is produced on the surface 31 of the metal alloy, a super-fine ruggedness is formed in a ruggedness of the roughness, the surface layer of the super-fine ruggedness is formed as a thin layer of metal oxide or metal-phosphorus oxide.例文帳に追加

金属合金表面31にミクロンオーダーの粗度を生じさせ、且つ、その凹凸面内に超微細凹凸を形成し、且つ、表層を金属酸化物又は金属リン酸化物の薄層とする。 - 特許庁

At this time, when the layer 31 is exposed to be etched, a reaction product containing phosphorus contained in the layer 31 is diffused inside an RIE chamber 42.例文帳に追加

このとき、終点検出層３１が露出して、エッチングされると、終点検出層３１に含まれるリンを含有する反応生成物がＲＩＥチャンバ４２の内部に拡散する。 - 特許庁

The gate electrodes 16 and 17 of n-channel transistors 31 and 32 formed in the p-well 13 are injected with arsenic as impurities, and the gate electrode 17 is further injected with phosphorus.例文帳に追加

ｐウェル１３に形成されたｎチャネル型トランジスタ３１および３２のゲート電極１６および１７には、不純物としてヒ素が注入されており、加えてゲート電極１７にはさらにリンも注入されている。 - 特許庁

An end-point detecting layer 31 containing phosphorus is formed on the underside of a silicon substrate 10, the underside having a recess 10c and an upper electrode 13 and a hinge member 14 formed in the recess 10c.例文帳に追加

裏面側に凹部１０ｃを有すると共に、この凹部内に上部電極１３およびヒンジ部材１４が形成されたシリコン基板１０の裏面側に、終点検出物質としてリンを含む終点検出層３１を形成する。 - 特許庁