plane domainとは 意味・読み方・使い方

In the domain layer 26, masses made by fusing spherical crystals not only in the thickness direction but also in the plane direction flocculate.例文帳に追加

ドメイン層２６は、複数の球状結晶が厚さ方向のみならず面方向にも融着してなる塊が凝集している。 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE MAGNETORESISTANCE EFFECT SENSOR HAVING FREE LAYER STABILIZED TO VORTEX MAGNETIC DOMAIN GENERATED BY SENSE CURRENT例文帳に追加

センス電流により発生する渦磁気ドメインに対して安定化された自由層を有する面垂直電流磁気抵抗効果型センサ - 特許庁

The complex plane area judgment section judges what kind of area a frequency domain speech signal is located in, for each frequency band.例文帳に追加

複素平面領域判定部は、周波数帯ごとに、周波数領域音声信号がどのような領域にあるかを判断する。 - 特許庁

Then, a position (for example, xy coordinates) on the arbitrary plane 11 respectively corresponding to each pixel on the image domain is acquired (a step S24).例文帳に追加

そして、この画像領域上の各ピクセル毎に対応する任意面１１上の位置（例えばｘｙ座標）を求める（ステップＳ２４）。 - 特許庁

An angle θ defined by a polarization inversion plane P of the periodic domain inversion structure 8 and a propagation direction L of laser beams is from 80° to 89°.例文帳に追加

周期分極反転構造８の分極反転面Ｐとレーザ光の伝搬方向Ｌとがなす角θが８０°以上、８９°以下である。 - 特許庁

A wavelength selection member wherein a light transmission domain is provided on a part of a shielding part formed from a conductive member is arranged on the virtual plane.例文帳に追加

この仮想面上に、導電部材で形成された遮光部の一部に光透過領域が設けられた波長選択部材が配置されている。 - 特許庁

A soft magnetic layer 3F (or a hard magnetic layer) for obtaining the single magnetic domain of the free-layer 3A in the same plane shape is arranged at the lower part of the plurality of SV/GMR elements 3.例文帳に追加

複数のSV-GMR素子３の下部には同一平面形状で自由層３Ａの単磁区化を行う軟磁性層３Ｆ（又は硬磁性層）が配設される。 - 特許庁

On the silicon substrate 1, while an accumulation layer 11 of the first conductivity type containing impurity concentration higher than the silicon substrate 1 is formed on the side of second principal plane 1b, irregular unevenness 10 is formed on a domain facing at least to a semiconductor domain 3 on the second principal plane 1b.例文帳に追加

シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１１が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも半導体領域３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁