polymetalとは 意味・読み方・使い方

To lower interface resistance between a polysilicon film and a high- melting point metal film, in a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

To enhance an operating speed of a MOS transistor by a method wherein the influences of a distribution interface resistance in a polymetal gate electrode is decreased.例文帳に追加

ポリメタルゲート電極における分布界面抵抗の影響を低減することにより、ＭＯＳトランジスタの動作速度を向上させる。 - 特許庁

To further reduce a junction leakage in a MOSFET having a gate electrode of a polymetal structure, in particular, in a memory cell transistor of a DRAM.例文帳に追加

ポリメタル構造のゲート電極を有するＭＯＳＦＥＴ、特に、ＤＲＡＭのメモリセルトランジスタの接合リークをよりいっそう低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where voltage transfer of a polymetal gate electrode is prevented from being delayed by decreasing interfacial resistance of a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜における界面抵抗を低下させて、ポリメタルゲート電極における電圧の伝達の遅延防止が可能な半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a technique which can improve an operating speed of a semiconductor device having a MISFET by reducing the contact resistance of a polymetal gate.例文帳に追加

ポリメタルゲートの接触抵抗を低減して、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の動作速度の向上を図ることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a polymetal gate electrode that is provided with a barrier film formed from a TiN film and a buffer layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＴｉＮ膜及びバッファ層から形成されるバリアー膜を備えるポリメタルゲート電極を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plug 112 is buried in a contact hole 111 formed in an interlayer insulation film 110n deposited on the polymetal gate electrode 103.例文帳に追加

ポリメタルゲート電極１０３の上に堆積された層間絶縁膜１１０ｎに形成されたコンタクトホール１１１にはプラグ１１２が埋め込まれている。 - 特許庁

Thus, the cause of an electron trap is eliminated by reducing the hydrogen (H) contained in the film, and the diffusion of the hydrogen (H) in the polymetal gate can be prevented.例文帳に追加

そのため、膜中に含まれる水素（Ｈ）を低減させて電子トラップの原因を排除し、ポリメタルゲートへの水素（Ｈ）拡散を防止することができる。 - 特許庁