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quantum latticeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 量子格子
「quantum lattice」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 40件
METHOD OF FORMING QUANTUM DOT IN LOW LATTICE MISMATCHING SYSTEM AND QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子 - 特許庁
To form group III-V quantum dots on a group III-V compound semiconductor having a lattice constant in a low lattice mismatching rate to the lattice constant of the group III-V quantum dots.例文帳に追加
III−V族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるIII−V族化合物半導体上に形成する。 - 特許庁
In a quantum computing method, an optical lattice is generated in the eigenmode of an optical resonator, and a plurality of neutral atoms 3 to be used as the quantum bits are aligned one by one on respective lattice points of the optical lattice.例文帳に追加
光共振器の固有のモードの中に光格子を生成して、量子ビットとして用いる複数の中性原子3を光格子の各格子点に1つずつ整列させる。 - 特許庁
The active layer 5 may have two or more quantum well layers 21, in which case the value of the lattice constant of the board 2 lies between the value of the lattice constant of at least one quantum well layer 21 and that of the lattice constant of at least one barrier layer 52.例文帳に追加
この場合、基板2の格子定数は、少なくとも一つの量子井戸層21の格子定数と、少なくとも1つのバリア層52の格子定数の間の値である。 - 特許庁
The diffraction lattice 18 is constituted of the InGaAsP barrier layer 30e in the quantum well structure active layer and the lattice layer of InGaAs quantum well layers 28f and 28e and an InP buried layer having composition different from the quantum well layer.例文帳に追加
回折格子18が、量子井戸構造活性層のInGaAsP障壁層30e及びInGaAs量子井戸層28f、28eの格子層と、量子井戸層とは異なる組成のInP埋め込み層20とから構成される。 - 特許庁
A quantum dot layer is formed on a cross-hatched crystal layer with its lattice coefficient different from that of the substrate and with its lattice strain relieved.例文帳に追加
本発明の骨子は、基板と格子定数が異なり格子歪緩和してクロスハッチングができた結晶層上に量子ドット層を形成する。 - 特許庁
Consequently, generation of a crystal defect in the quantum dot structure body becomes difficult because mismatching of lattice using a material having similar lattice constant is rather small.例文帳に追加
このようにすると、格子定数の類似する材料を用いて格子不整合が小さいので、量子ドット構造体に結晶欠陥が発生しにくくなる。 - 特許庁
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「quantum lattice」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 40件
The respective quantum well layers have a lattice constant different from the lattice constant of a substrate 1 constituting a crystal, have a film thickness thinner than a critical thickness, and are distorted.例文帳に追加
各量子井戸層は、結晶を構成する基板1の格子定数とは異なる格子定数を持ち且つ臨界膜厚よりも薄い膜厚で歪を有する。 - 特許庁
To rapidly measure the average value of the lattice constants of the respective layers of a strain quantum well active layer with high accuracy.例文帳に追加
歪み量子井戸活性層の各層の格子定数の平均値を迅速かつ精度高く測定すること。 - 特許庁
The active layer 9 includes barrier layers 2 and quantum well layers 3 lattice-matching the barrier layers 2.例文帳に追加
活性層9には、障壁層2と、障壁層2と格子整合する量子井戸層3と、が設けられている。 - 特許庁
Such systems and methods include identifying a first quantum state of a lattice having a system of quasi-particles disposed thereon, moving the quasi-particles within the lattice according to at least one predefined rule, identifying a second quantum state of the lattice after the quasi-particles have been moved, and determining a computational result based on the second quantum state of the lattice.例文帳に追加
そのような装置および方法は、そこに配置された準粒子のシステムを持っている格子の最初の量子状態を識別すること、少なくとも1つのあらかじめ決められた規則に従って格子内で準粒子を移動すること、準粒子が移動された後に格子の2番目の量子状態を識別すること、および格子の2番目の量子状態に基づいた計算の結果を決定することを含む。 - 特許庁
In the semiconductor light-emitting element 1, the total film thickness of a quantum well layer has a range wider than that of a critical film thickness, and the lattice mismatch of the quantum well layer is 1.0-2.5%.例文帳に追加
半導体発光素子1では、量子井戸層の総膜厚を臨界膜厚よりも大きい範囲とし、かつ量子井戸層の格子不整合を1.0%以上2.5%未満としている。 - 特許庁
The semiconductor laser of the gain diffraction lattice-type is provided with the diffraction lattice causing periodical gain fluctuation in the direction of a resonator in a quantum well structure active layer.例文帳に追加
本DFBレーザは、共振器方向に周期的な利得変動を生じさせる回折格子を量子井戸構造活性層に備えている利得性回折格子型の半導体レーザである。 - 特許庁
a quantum of energy (in a crystal lattice or other system) that has position and momentum and can in some respects be regarded as a particle発音を聞く 例文帳に追加
位置と運動量を持ち、ある観点からは粒子と見なすことができるエネルギー(結晶格子または他のシステムの)の量子 - 日本語WordNet
On a GaAs layer 3, an InAs quantum-dot 4 having the larger lattice constant is formed by utilizing the strain relaxation.例文帳に追加
GaAs層3上に、これよりも格子定数の大きいInAs量子ドット4を歪み緩和を利用して形成する。 - 特許庁
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