quantum potentialとは 意味・読み方・使い方

To provide a high-sensitivity quantum dot type infrared ray detector for eliminating the dip in a potential distribution in an intermediate part adjacent to quantum dots by adopting an extremely simple measures, thereby suppressing a dark current.例文帳に追加

量子ドット型赤外線検知器に関し、極めて簡単な手段を採ることで量子ドットに隣接する中間部に於けるポテンシャル分布の凹みを解消して暗電流を抑止した高感度の量子ドット型赤外線検知器を得ようとする。 - 特許庁

When the potential of the gate electrode 32 relative to the source electrode 34 exceeds the specified positive voltage value, channel regions are formed in the first quantum well layers 16-1, 16-2 and second quantum well layers 26-1, 26-2.例文帳に追加

また、ソース電極３４の電位を基準とした前記ゲート電極３２の電位が前記所定の正の電圧値を超えるとき、第一量子井戸層１６−１、１６ー２内及び第二量子井戸層２６−１、２６ー２内にチャネル領域が形成される。 - 特許庁

Accordingly, since signal charges being trapped in the valley of the potential on the interface becomes fewer, it is expected that quantum efficiency will not be reduced much, even after irradiation.例文帳に追加

従って、信号電荷が界面での電位の谷にトラップされることが少なくなるので、照射後においても量子効率はあまり低下しないと考えられる。 - 特許庁

The supperlattice structure 4 is a quantum well structure, a quantum fine line structure or a quantum dot structure obtained by alternately laminating a negative dielectric medium and the positive dielectric medium, respective minimum dimensions are almost a de Broglie wavelength, and potential energy to electrons of the negative dielectric medium and the positive dielectric medium is different.例文帳に追加

超格子構造４は、負誘電体媒質と正誘電体媒質を交互に積層した、量子井戸構造または量子細線構造または量子ドット構造となっており、各々の最小寸法が電子のド・ブロイ波長程度で、負誘電体媒質と正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。 - 特許庁

When the potential of a gate electrode 32 is negative to the potential of a source electrode 34 or positive to the potential of a source electrode 34 but less than a specified positive voltage value, channel regions are formed in first quantum well layers 16-1, 16-2.例文帳に追加

ソース電極３４の電位を基準としてゲート電極３２の電位が負であるとき、又は、前記ソース電極３４の電位を基準とした前記ゲート電極３２の電位が正であって前記所定の正の電圧値より小さいとき、第一量子井戸層１６−１，１６−２内のチャネル領域が形成される。 - 特許庁

An extended region 4 is provided to a semiconductor region 1 of the non-isolated system to be the object of the calculation for the quantum state of the carrier so that a potential is a mirror symmetry.例文帳に追加

まず、キャリアの量子状態を計算する対象である非孤立系の半導体領域１に対して、ポテンシャルが鏡面対称になるように拡張領域４を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of controlling the density of the dimension and distribution of a quantum dot separately, and reducing an influence of a potential barrier caused by a grain boundary.例文帳に追加

量子ドットの寸法と分布密度とを独立に制御することができ、かつ粒界に起因するポテンシャル障壁の影響を軽減させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁