reactive sinteringとは 意味・読み方・使い方

The sintering aid 16 extends in layers along the reactive layer 17, and the bond particles 16 are connected together by the sintering aid 16.例文帳に追加

焼結助剤１６はこの反応層１７に沿って層状に広がり、ボンド粒１６同士は焼結助剤１６によって結合している。 - 特許庁

Further a reactive layer 17 between each bond particle 14 and the sintering aid 16 is formed on the periphery of the bond particle 14.例文帳に追加

ボンド粒１４の周囲には焼結助剤１６との反応層１７が形成される。 - 特許庁

To provide a method of obtaining a quick lime exerting higher reactivity and higroscopicity than already known highly reactive quick lime by a process of manufacturing a quick lime by sintering a slaked lime.例文帳に追加

消石灰の焼成により生石灰を製造するプロセスであって、既知の高反応性生石灰を超える高い反応性や吸湿性を発揮する生石灰が得られる方法を提供する。 - 特許庁

When TaSiN or TaBN is formed by reactive sputtering as a heating resistor, the target is made by sintering from each powder and has a relative density of 95% or more.例文帳に追加

発熱抵抗体として、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＮを反応性スパッタリングで形成するときに、ターゲットを各粉末から焼結で作成し、その相対密度を９５％以上にする。 - 特許庁

The heating resistor having improved durability characteristics can be obtained by investigating target materials of TaSiN and TaBN as a heat element from powder by sintering in molding the materials by reactive sputtering and making their oxygen density of 1,100 ppm or lower.例文帳に追加

上記目的を達成するために、発熱抵抗体としてＴａＳｉＮ，ＴａＢＮについて検討した結果、これら材料を反応性スパッタリングで形成する時に、ターゲットを各粉末から焼結で作成し、かつその酸素濃度が１１００ｐｐｍ以下にすることで耐久特性が向上した発熱抵抗体が得られることがわかった。 - 特許庁

By forming the furnace tube 5 of quartz and etching the surface layer portion of the furnace tube with a hydrogen fluoride (HF) solution or carrying out gas phase etching with a highly reactive gas to quartz, the average weight concentration is set to be 2 ppm or less, then dehydration and sintering are carried out.例文帳に追加

また、炉心管５を石英で形成し、炉心管表層部をフッ化水素（ＨＦ）溶液によりエッチング、または、石英と反応性の高いガスにより気相エッチングすることにより、平均重量濃度を２ｐｐｍ以下にして脱水、焼結を行なう。 - 特許庁

This photocatalyst-supporting body is obtained by stacking a minute porous sintered film on the other several times which is obtained by applying the photo-reactive semiconductor containing metal alkoxide to a ceramic porous substrate such as alumina, alumina-silica and silicon carbide, drying and solidifying the obtained substrate to obtain a film and sintering the obtained film at 250-600°C.例文帳に追加

金属アルコキシドを含有する光反応性半導体を、アルミナ、アルミナシリカ、炭化珪素等のセラミック質の多孔性基材に塗工し乾燥、凝固させた膜を、２５０℃から６００℃の高温で焼成して得られる微細多孔性焼成膜を数次積層することを特徴とする。 - 特許庁