resistive contactとは 意味・読み方・使い方

To stabilize the action of a common contact hole section of a resistive load SRAM cell by lowering the resistance of the section.例文帳に追加

抵抗負荷型ＳＲＡＭセルの共通コンタクト孔部の抵抗を下げ、動作を安定させる。 - 特許庁

Contact holes 6 are formed at the opposite end parts of the polysilicon resistive layer 5 and Al electrodes 7 are taken out from the opposite end parts of the polysilicon resistive layer 5 through the contact holes 6.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗層５の両端部にはコンタクトホール６が形成され、このコンタクトホール６を通して、ポリシリコン抵抗層５の両端部から、Ａｌ電極７が取り出されている。 - 特許庁

In case of the filament F1, a resistance Rd of the damper D1 is decided by a resistance of the resistive film D1s between a contact part Y1 and a contact part Y5.例文帳に追加

ダンパーＤ１の抵抗Ｒｄは、フィラメントＦ１の場合、接触部Ｙ１と接触部Ｙ５の抵抗膜Ｄ１ｓの抵抗で決まる。 - 特許庁

The sponge layer 54 is not directly in contact with the circumferential surface of the electrically conductive core bar 52, but comes in contact with it through an intermediate resistive layer 56.例文帳に追加

スポンジ層５４は、導電性芯金５２の外周面には直接に接触しておらず、中抵抗層５６を介して接触している。 - 特許庁

Similarly, in the case of the filament F4, it is decided by a resistance of the resistive film D1s between a contact part Y4 and the contact part Y5.例文帳に追加

同様にフィラメントＦ４の場合、接触部Ｙ４と接触部Ｙ５の抵抗膜Ｄ１ｓの抵抗で決まる。 - 特許庁

A resistive switching non-volatile memory element 1 is disclosed including a resistive switching metal-oxide layer 3 sandwiched between and in contact with a top electrode 4 and a bottom electrode 2, the resistive switching metal-oxide layer 3 having a substantially isotropic sub-stoichiometric metal-to-oxygen ratio.例文帳に追加

抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子１は、上部電極４と下部電極２の間に挟まれて接触し、実質的に等方性で半化学量論的な金属と酸素の比を有する抵抗スイッチング金属酸化物層３を含む。 - 特許庁

The memory cell includes a resistive memory element pattern between two electrodes, and one of the two electrodes shows a plug configuration which decreases contact area with the resistive memory element pattern.例文帳に追加

本発明の抵抗メモリセルは二つの電極の間にある抵抗メモリ要素パターンを含み、前記二つの電極のうちいずれか一つはプラグ形態を示して前記抵抗メモリ要素パターンとの接触面積が減少する。 - 特許庁

Additionally, the resistive nitride film which covers this and has field plate effect and passivation effect is brought into good contact with the Al wiring 6 through the resistive nitride film 3 used as the mask.例文帳に追加

また、その上に被覆されるフィールドフィールドプレート効果とパッシベーション効果がある抵抗性窒化膜とＡｌ配線６とがマスクとして用いた抵抗性窒化膜３を介して良好な接触を得ることができる。 - 特許庁