「resistive contact」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In connecting the movable contact resistive element such as a potentiometer, the both ends of the movable contact resistive element are connected to the reference voltage output terminal 12 and the ground terminal 15, and the movable terminal of the movable contact resistive element is connected to the voltage input terminal 13.例文帳に追加

ポテンショメータ等の可動接触型抵抗素子を接続する場合は、可動接触型抵抗素子の両端を基準電圧出力端子１２と接地端子１５とに接続し、可動接触型抵抗素子の可動端子を電圧入力端子１３に接続する。 - 特許庁

Contact holes 7a and 7b reaching the polysilicon resistive layer 5 are formed in the insulating film 6.例文帳に追加

絶縁膜６には、ポリシリコン抵抗層５に至るコンタクトホール７ａ，７ｂが形成されている。 - 特許庁

To stabilize the action of a common contact hole section of a resistive load SRAM cell by lowering the resistance of the section.例文帳に追加

抵抗負荷型ＳＲＡＭセルの共通コンタクト孔部の抵抗を下げ、動作を安定させる。 - 特許庁

Contact holes 6 are formed at the opposite end parts of the polysilicon resistive layer 5 and Al electrodes 7 are taken out from the opposite end parts of the polysilicon resistive layer 5 through the contact holes 6.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗層５の両端部にはコンタクトホール６が形成され、このコンタクトホール６を通して、ポリシリコン抵抗層５の両端部から、Ａｌ電極７が取り出されている。 - 特許庁

In case of the filament F1, a resistance Rd of the damper D1 is decided by a resistance of the resistive film D1s between a contact part Y1 and a contact part Y5.例文帳に追加

ダンパーＤ１の抵抗Ｒｄは、フィラメントＦ１の場合、接触部Ｙ１と接触部Ｙ５の抵抗膜Ｄ１ｓの抵抗で決まる。 - 特許庁

The sponge layer 54 is not directly in contact with the circumferential surface of the electrically conductive core bar 52, but comes in contact with it through an intermediate resistive layer 56.例文帳に追加

スポンジ層５４は、導電性芯金５２の外周面には直接に接触しておらず、中抵抗層５６を介して接触している。 - 特許庁

Similarly, in the case of the filament F4, it is decided by a resistance of the resistive film D1s between a contact part Y4 and the contact part Y5.例文帳に追加

同様にフィラメントＦ４の場合、接触部Ｙ４と接触部Ｙ５の抵抗膜Ｄ１ｓの抵抗で決まる。 - 特許庁

A resistive switching non-volatile memory element 1 is disclosed including a resistive switching metal-oxide layer 3 sandwiched between and in contact with a top electrode 4 and a bottom electrode 2, the resistive switching metal-oxide layer 3 having a substantially isotropic sub-stoichiometric metal-to-oxygen ratio.例文帳に追加

抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子１は、上部電極４と下部電極２の間に挟まれて接触し、実質的に等方性で半化学量論的な金属と酸素の比を有する抵抗スイッチング金属酸化物層３を含む。 - 特許庁

The memory cell includes a resistive memory element pattern between two electrodes, and one of the two electrodes shows a plug configuration which decreases contact area with the resistive memory element pattern.例文帳に追加

本発明の抵抗メモリセルは二つの電極の間にある抵抗メモリ要素パターンを含み、前記二つの電極のうちいずれか一つはプラグ形態を示して前記抵抗メモリ要素パターンとの接触面積が減少する。 - 特許庁

Additionally, the resistive nitride film which covers this and has field plate effect and passivation effect is brought into good contact with the Al wiring 6 through the resistive nitride film 3 used as the mask.例文帳に追加

また、その上に被覆されるフィールドフィールドプレート効果とパッシベーション効果がある抵抗性窒化膜とＡｌ配線６とがマスクとして用いた抵抗性窒化膜３を介して良好な接触を得ることができる。 - 特許庁

An input position detecting unit 101 detects an input position onto a touch panel 11 when a resistive membrane 11X comes in contact with a resistive membrane 11Y of the touch panel 11.例文帳に追加

入力位置検出部１０１は、タッチパネル１１の抵抗膜１１Ｘと抵抗膜１１Ｙとが接したときに、タッチパネル１１への入力位置を検出する。 - 特許庁

At steps S11 through S19, a piece of distance alteration information between the two points when the first resistive film comes into contact with the second resistive film is obtained based on the potential V(X) and the potential V(Y).例文帳に追加

ステップＳ１１乃至１９において、電位Ｖ（Ｘ）と電位Ｖ（Ｙ）とに基づいて、第１の抵抗膜が第２の抵抗膜に対して２点で接触するときの、この２点間の距離の変化情報を導出する。 - 特許庁

When the first resistive film comes into contact with the second resistive film at the two points, a potential V(X) has a value corresponding to the distance between the two points in the X-axis direction, and a potential V(Y) has a value corresponding to the distance in the Y-axis direction.例文帳に追加

第１の抵抗膜が第２の抵抗膜に対して２点で接触するとき、電位Ｖ（Ｘ）は、この２点のＸ軸方向の距離に係る値をとり、電位Ｖ（Ｙ）は、Ｙ軸方向の距離に係る値をとる。 - 特許庁

Between the contact regions 6 in the well resistance region 4, a P^+ diffusion region 14 is formed to adjust a resistive value and a temperature dependency of the resistive element.例文帳に追加

ウェル抵抗領域４内のコンタクト領域６の間に、この抵抗素子の抵抗値及び温度依存特性調整用のＰ^+拡散領域１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a resistive element which secures reliability in contact between a thin film resistor and an electrode pad and suppresses the occupying area of a substrate, while realizing a high resistance value and excellent in high frequency passing characteristics, in the resistive element accommodated in the substrate.例文帳に追加

基板内蔵抵抗素子において、薄膜抵抗体と電極パッドとの接触信頼性を確保し、基板占有面積を抑え、かつ高い抵抗値を実現し、高周波通過特性に優れた抵抗素子を提供する。 - 特許庁

The magneto-resistive film 5 is formed on the lower insulation layer 4, and magnetic bias layers 6 are formed so as to be brought into contact with both side surfaces of this magneto-resistive element film 5 in the direction parallel with the air bearing surface.例文帳に追加

そして、下部絶縁層４上において磁気抵抗効果膜５が形成し、この磁気抵抗効果膜５のエアベアリング面と平行な方向の両側面と接触するようにして磁気バイアス層６を形成する。 - 特許庁

Then, when a resistor is printed between conductors, the resistive element is printed so as to leave a space, where the conductor is not in contact to the resistive element (or a noncontact part 2b), in the constricted part of the conductor.例文帳に追加

次いで、導体間に抵抗を印刷する際に、導体のくびれ部において、導体と抵抗体とが接触しない空間（あるいは非接触部）を残すようにして抵抗体を印刷する。 - 特許庁

The intermediate resistive field plate parts 34 provided at the corner ranges are not in contact with the intermediate resistive field plate parts 34 provided at the straight line ranges.例文帳に追加

コーナ範囲に設けられている中間抵抗性フィールドプレート部３４と直線範囲に設けられている中間抵抗性フィールドプレート部３４は接していない。 - 特許庁

The method may furthermore includes providing a top electrode (105) at least on or in the trench, in contact with the resistive switching element (140).例文帳に追加

該方法は、上部電極（１０５）を、抵抗スイッチング素子（１４０）と接触するように少なくとも溝の上または中に設けることをさらに含む。 - 特許庁

A semiconductor layer and a resistive contact layer of doped amorphous silicon are formed on a gate insulating film covering them.例文帳に追加

これらを覆うゲート絶縁膜の上部には半導体層と、ドーピングされた非晶質シリコンの抵抗性接触層が形成されている。 - 特許庁

A higher resistive region for an electron hole than the anode region 38 is interposed between the anode region 38 and the circumference contact region 35.例文帳に追加

アノード領域３８と周辺コンタクト領域３５の間には、正孔に対してアノード領域３８よりも高抵抗な領域が介在している。 - 特許庁

The resistor 7 is formed of resistive paste and arranged in contact with both the metal board 1 and the power amplifying element 5a.例文帳に追加

ここで抵抗体７は、抵抗ペーストによるものであり、金属基板１と電力増幅素子５ａとに接して配置されている。 - 特許庁

The current block structure can be extended from the lower surface of the resistive contact electrode to the light emitting layer.例文帳に追加

この電流ブロック構造は、抵抗性接触電極の下表面から発光層まで延ばすことができる。 - 特許庁

To achieve a thin film resistive element having a connection structure for stably bringing a wiring and a thin resistor film into contact with each other.例文帳に追加

安定して配線と抵抗体薄膜との接触が可能な接続構造をもつ薄膜抵抗素子を実現する。 - 特許庁

To provide a resistive touch screen pad that does not require noise generating switching to estimate a position and pressure at the point of contact.例文帳に追加

ノイズが発生するスイッチングを必要とせずに、接触点における位置と圧力とを推定できる抵抗式タッチスクリーンパッドを提供する。 - 特許庁

The fixing members 40 and 41 and the lower fixing member 33 are arranged on the horizontal fire-resistive panel 2 in such a manner as not to come into contact with one another.例文帳に追加

固定部材４０，４１と下部固定部材３３とは接触しないよう水平耐火パネル２に配備される。 - 特許庁

Then, the electrode layers 9b are formed so as to be brought into contact with the rear side surface 5e of the magneto- resistive film 5 at the opposite side to the air bearing surface.例文帳に追加

そして、磁気抵抗効果膜５のエアベアリング面と反対側の後側面５ｅと接触するようにして電極層９ｂを形成する。 - 特許庁

Each of the upper conductor lines has a bottom surface in contact with a corresponding one of the resistive studs.例文帳に追加

上部導体ラインのそれぞれは、対応する１つの抵抗性スタッドと接触する底部表面を有する。 - 特許庁

Paper drawn out is made to contact and fixed to a resistive section 3c at the tip of a holder body 1 and cut by a cutting edge 3a.例文帳に追加

ホルダー本体１の先端の抵抗部３ｃに引き出したペーパーを接触させて固定し、切断刃３ａできれいにペーパーを切断する。 - 特許庁

The end surface member normally comes into contact with a cable introduction part to make the whole closure 100 watertight and resistive against splashes.例文帳に追加

端面部材がケーブルの導入部に常時密着してクロージャ１００全体の防水性・防沫性を維持する。 - 特許庁

The semiconductor element in which the resistive contact is formed in the high defect-density region of the semiconductor, and the non-resistive contact is formed in the low defect-density region, is used.例文帳に追加

少なくとも一つの抵抗性接触を有する電極と、少なくとも一つの非抵抗性接触を有する半導体素子であって、前記半導体の高欠陥密度領域に抵抗性接触が形成され、かつ低欠陥密度領域に非抵抗性接触が形成されていることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

A gate line 121 is formed on an insulating substrate 110, on which a gate insulating film 140, semiconductor layer 150, and resistive contact layer are sequentially stacked, and then when the data line and a drain electrode 175 are formed, an electrode layer is patterned together with the resistive contact layer.例文帳に追加

絶縁基板１１０の上にゲート線１２１を形成し、その上部にゲート絶縁膜１４０と半導体層１５０と抵抗性接触層を順次に積層し、次に、データ線とドレーン電極１７５を形成する際に、電極層を抵抗性接触層と一括してパターン形成する。 - 特許庁

A high-melting point metal silicide 28 is deposited on a polycrystalline film 23 for the formation of a resistor 24 of a resistive element, and the high-melting point metal silicide 28 is left unremoved only on the connection ends of the resistive element, by which contact holes are restrained from being excessively dug when the contact holes are board.例文帳に追加

抵抗素子の抵抗体２４となる多結晶シリコン膜２３の上に高融点金属シリサイド２８を堆積させ、抵抗素子の接続部分にのみ高融点金属シリサイドを残すことにより、コンタクト開口時のコンタクトの過剰な掘られを無くすことができる。 - 特許庁

The heating device 11 is provided with a plate 12 with a resistive heating element buried, and a hollow shaft 13 having a contact part 25 in contact with one side of the plate at one end with the contact part 25 jointed to the plate 12.例文帳に追加

加熱装置１１は、抵抗発熱体が埋設されたプレート１２と、プレート１２の片面に当接する当接部２５を一端側に有し、当接部２５がプレート１２に接合される中空状のシャフト１３とを備える。 - 特許庁

Regions AR3021C, AR3022C where two of the resistive storage elements contact the diode element are each cut by F1 smaller than F (minimum processing size), and smaller than the contact region AR3020C.例文帳に追加

２個の抵抗性記憶素子がダイオード素子と接触する領域ＡＲ３０２１Ｃ、ＡＲ３０２２Ｃは、それぞれＦ（最小加工寸法）より小さいＦ１だけ削られており、上記接触領域ＡＲ３０２０Ｃよりも小さい。 - 特許庁

Contact points 12a, 12b, 12c, respectively provide at tip portions of the sliding members and electrical resistive elements 11a, 11b, 11c provided on the respective slidable members function as three potentiometers, in such a manner that the contact points slide over the electrical resistance elements.例文帳に追加

各摺動部材の先端に設けられた接点１２ａ，１２ｂ，１２ｂと各被摺動部材に設けられた電気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、それらの上を接点が摺動することで、３つのポテンショメータとして機能する。 - 特許庁

The epitaxial structure is composed of a lower clad layer, an upper clad layer, a light emitting layer interposed between the upper and the lower clad layer, a window layer provided on the upper clad layer, and a contact layer provided between the window layer and the resistive contact electrode.例文帳に追加

エピタキシアル構造は、下クラッド層、上クラッド層、上クラッド層と下クラッド層の間に挟まれた発光層、上クラッド層上に設けた窓層、窓層と抵抗性接触電極の間に設けたコンタクト層を含む。 - 特許庁

That is, since the surfaces of the resistive element electrodes 35 are covered with the silver plating coat 32, increase of contact resistance due to oxidization of the copper electrodes 35 can be controlled.例文帳に追加

つまり、抵抗素子電極３５の表面が銀めっき皮膜３２により被覆されているため、銅電極３５の酸化による接触抵抗増加を抑制できる。 - 特許庁

The resistive breakdown region 8 includes an N-type semiconductor region in contact with the drain region 6 at a predetermined distance apart from the well part immediately below the gate electrode 4.例文帳に追加

抵抗性降伏領域８はドレイン領域６に接し、ゲート電極４直下のウェル部分と所定の距離だけ離れたＮ型半導体領域からなる。 - 特許庁

A gate line containing a gate electrode, a gate insulation film, a semiconductor layer, a resistive contact layer, a data line having a source electrode and a drain electrode are formed on the upper part of an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板の上部に、ゲート電極を含むゲート線、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗性接触層、ソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of realizing a satisfactory low resistive contact with a substrate whose impurity concentration is relatively low, and to provide a simple and highly reliable method for manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

比較的不純物濃度の低い基板との間に良好な低抵抗性接触を実現可能な半導体素子、および、その簡便かつ信頼性の高い製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide grating having the adjustable optical spacing profile is provided with a waveguide grating coming into thermal contact with one or more resistive film coatings.例文帳に追加

調整自在の光学的離間プロファイルをもつ光導波管格子は、１つ又は複数の抵抗膜コーティングと熱的に接触する導波管格子を備えている。 - 特許庁

Using parallel gap welding process in which the electrode is in pairs, there is sandwiched a high resistive metal foil at the contact surfaces between the magnet wire and a pair of electrode end faces, thereby obtaining intermolecular bonding through thermo-compression bonding process.例文帳に追加

電極が二本一組であるパラレルギャップ溶接工法を用い、マグネットワイヤ等と一対の電極端面との接触面に高抵抗の金属箔を挟み、熱圧接工法で分子間接合を得る。 - 特許庁

A variable resistive element 2 is configured by sandwiching a resistance change layer (first metal oxide film) 13 and a control layer (second metal oxide film) 14 in contact with a first electrode 15 between the first electrode 15 and a second electrode 12.例文帳に追加

可変抵抗素子２は、第１電極１５と第２電極１２の間に抵抗変化層（第１の金属酸化物膜）１３、及び、第１電極１５と接する制御層（第２の金属酸化物膜）１４を挟持して構成される。 - 特許庁

When a shunt resistor is welded to a mounting object while being positioned, one side of a resistive element, a first terminal and a second terminal come into contact with a positioning member simultaneously.例文帳に追加

シャント抵抗器を被実装対象へ位置決めされて溶接される際に、位置決め部材に対して、抵抗体の一辺と、第１端子と、第２端子とが同時に接触する。 - 特許庁