seed fillとは 意味・読み方・使い方

A seed crystal including mixed-phase grains with high crystallinity at low grain density is formed under a first condition, and then a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by growing the mixed-phase grains under a second condition so as to fill the space between the mixed-phase grains.例文帳に追加

第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。 - 特許庁

By electroplating, a copper plating film 112 is grown on the seed layer 111 to perfectly fill up the vias 108 and the trenches 109.例文帳に追加

電解メッキ法により銅合金シード層１１１上に銅メッキ膜１１２を、ビアホール１０８及び配線用溝１０９のそれぞれが完全に埋まるように成長させる。 - 特許庁

By electroplating, a copper plating film 112 is grown on the seed layer 111 to perfectly fill up the vias 108 and the trenches 109.例文帳に追加

電解メッキ法により銅シード層１１１の上に銅メッキ膜１１２を、ビアホール１０８及び配線用溝１０９のそれぞれが完全に埋まるように成長させる。 - 特許庁

The method further includes a step of forming a seed layer 13, and a conductor layer 14 on a seed layer 13 to fill the inside of the via hole VH and the aperture (wiring groove) OP; and a subsequent step of grinding the surface of the conductor layer 14 to be flat until the photosensitive permanent resist layer 12 is exposed, to form the wiring pattern 15.例文帳に追加

次に、全面にシード層１３を形成し、ビアホールＶＨ及び開口部（配線溝）ＯＰの内部を充填するようにしてシード層１３上に導体層１４を形成した後、感光性永久レジスト層１２が露出するまで導体層１４の表面を研磨して平坦化し、配線パターン１５を形成する。 - 特許庁

The method for filling a structure includes the steps of: depositing a barrier layer 52 on one or more surfaces of the substrate; depositing a seed layer 58 on the barrier layer 52; removing a portion of the seed layer 58; and electrochemically depositing a metal to fill a structure.例文帳に追加

基体上の構造を充填する方法は、基体上の１つ以上の表面上にバリヤー層５２を堆積させるステップと、このバリヤー層５２上にシード層５８を堆積させるステップと、このシード層５８の少なくとも一部を除去するステップと、金属を電気化学的に堆積させて構造を充填するステップとを含む。 - 特許庁

This method comprise a step 302 of depositing the high conductivity barrier layer on one or more surfaces of the structure; a step 304 of depositing the seed layer on this barrier layer; and a step 306 of electrochemically depositing a metal to fill the structure.例文帳に追加

この方法は、構造の１つまたはそれ以上の表面上に高導電率バリヤー層を堆積させるステップ３０２と、このバリヤー層上にシード層を堆積させるステップ３０４と、金属を電気化学的に堆積させて構造を充填させるステップ３０６とを含んでいる。 - 特許庁

After the reinforced seed layer is subjected to an electroless copper plating to fill the contact hole 14 and the inside of the wiring groove 15 with copper, a copper film exposed to the interlayer insulating film of the second layer is removed to form an embedded wiring having a dual-damascene structure.例文帳に追加

補強されたシード層１７Ａの上に銅の電解めっきを行なって、コンタクトホール１４及び配線溝１５の内部に銅膜を充填した後、第２層の層間絶縁膜の上に露出している銅膜を除去してデュアルダマシン構造を有する埋め込み配線を形成する。 - 特許庁

A conductive material 230 is deposited on the seed material by electroless plating so as to fill the at least one blind via, and the second surface of the substrate is polished and planarized in order to expose the conductive material of the at least one blind via.例文帳に追加

シード材料の上に導電性材料２３０を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第２の表面に研磨平坦化を実施する。 - 特許庁