semiconductor inversion layerとは 意味・読み方・使い方

In the inversion period, supply of positive charges from the drain of the transistor to the oxide semiconductor layer is promoted.例文帳に追加

反転期間において、当該トランジスタのドレインから酸化物半導体層に対する正電荷の供給が促進される。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device where the resistance of an inversion layer to be formed can be reduced and a writing speed can be improved.例文帳に追加

形成される反転層の抵抗を低減することができ、書込み速度を向上させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Thereby a part of the semiconductor layer 22 in the vicinity of the surface of the active region is inverted to a P type and a shallow inversion area 23 is formed.例文帳に追加

それによって、半導体層２２の活性領域の表面近傍がＰ型に反転し、反転領域２３が浅く形成される。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

The wavelength conversion device has a domain inversion layer 50, an n-type first clad layer 60, a waveguide layer 70, a p-type second clad layer 80, and a cap layer 85 laminated in order on a first main surface 11 of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の第１主表面１１上に、ドメイン反転層５０、ｎ型の第１クラッド層６０、導波路層７０、ｐ型の第２クラッド層８０及びキャップ層８５を順に積層して備えている。 - 特許庁

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

The GaN-based semiconductor region 17 forms a hetero-junction 25 in the first semiconductor part 15b of the GaN-based semiconductor region 15 as a two-dimensional inversion layer 23.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１７はＧａＮ系半導体領域１５の第１の半導体部１５ｂにヘテロ接合２５を成し、二次元反転層２３が形成される。 - 特許庁