semiconductor interfacesとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device and its drive method for establishing compatibility with different interfaces in system level.例文帳に追加

複数のインタフェースとの互換性をシステムレベルで構成する半導体装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device properly operating a plurality of high-speed transmission interfaces loaded on a semiconductor element while inhibiting an increase in a manufacturing cost.例文帳に追加

製造コストの増加を抑制しつつ、半導体素子上に搭載された複数の高速伝送インタフェースが適切に動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To realize miniaturization and cost reduction of a semiconductor testing apparatus by reducing remarkably the number of interfaces of a measuring unit and a pattern memory.例文帳に追加

測定ユニットとパターンメモリとのインターフェイス数を大幅に削減し、半導体試験装置を小型化、低コスト化する。 - 特許庁

Thereby, when the semiconductor device is formed, the contact resistances in the interfaces between wiring metal layers and a silicon layer can be simultaneously reduced on the N-type semiconductor layer and on the P-type semiconductor layer.例文帳に追加

これにより半導体装置を形成すると、配線の金属とシリコンとの界面の接触抵抗をＮ型半導体層上とＰ型半導体層上とで同時に低減する事ができる。 - 特許庁

In a method for growing nitride semiconductor on a substrate, at least two growing interfaces are formed in the nitride semiconductor, thereby relieving difference of stress between the substrate and the nitride semiconductor.例文帳に追加

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、窒化物半導体内に成長界面を少なくとも２つ有することにより基板と窒化物半導体との応力差を緩和させる。 - 特許庁

The semiconductor device has a transfer system circuit (13) including first interfaces (201, 301) to be used for data transfer and second interfaces (202, 302) to be used for transferring a signal for arbitrating contention at data transfer.例文帳に追加

データ転送に使用される第１インタフェース（２０１，３０１）と、データ転送の競合を調停するための信号の伝達に使用される第２インタフェース（２０２，３０２）とを含んで転送系回路（１３）を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus, system, and method for controlling data transfer between serial data link interfaces and memory banks in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリにおけるシリアルデータリンクインターフェイスとメモリバンクとの間のデータ転送を制御する装置、システム、および方法が開示される。 - 特許庁

A compound layer 115 resulting from alloying a material of the p-side electrode 114 and respective semiconductor layer materials is formed at interfaces of respective semiconductor layers in contact with the p-side electrode 114.例文帳に追加

ｐ側電極１１４と接する各々の半導体層の界面に、ｐ側電極１１４の材料と各々の半導体層材料とが合金化した化合物層１１５を形成する。 - 特許庁