shaped-chargeとは 意味・読み方・使い方

To provide a coin-shaped nonaqueous electrolytic solution secondary battery high in discharge load characteristics and free of deformation of the battery accompanied with charge and discharge.例文帳に追加

放電負荷特性が高く、充放電に伴う電池の変形もないコイン形非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁

The 1st card-shaped storage medium (IC card for payment) 110 has a control function (CPU) 111 which does not receive charges except a charge corresponding to charge information written by the 1st device (personal reader/writer) 130 to a charge from a 2nd device (card reader/writer) 120.例文帳に追加

第１のカード状記憶媒体１１０は、第２の装置１２０からの請求に対して、第１の装置１３０により書き込まれた請求情報に対応する請求以外の請求を受け付けない制御機能１１１を有する。 - 特許庁

A detonating circuit 4 ignites a shaped bursting charge at a time when a detonating signal, outputted from the fuse not shown in a diagram, is inputted.例文帳に追加

起爆回路４は、図示しない信管から出力される起爆信号が入力された時点において成形炸薬へ点火する。 - 特許庁

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer having a columnar part, a charge storage layer formed to surround a side surface of the columnar part, and a word line conductive layer formed to surround the charge storage layer.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、柱状部を含むＵ字状半導体層と、柱状部の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層を取り囲むように形成されたワード線導電層とを備える。 - 特許庁

A medium carrier passage 12 for rolling a plate-shaped medium Z in a radial direction is provided between a medium charge port 11 and a medium return port 13.例文帳に追加

媒体投入口１１と媒体返却口１３との間に、円板状の媒体Ｚが径方向に転動する媒体搬送通路１２が設けられている。 - 特許庁

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer 34 functioning as bodies of the memory transistors MTr1 to 8, a charge storage layer 33b formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 and configured to hold data by storing charges, and word line conductive layers 31a to 31d formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 via the charge storage layer 33b.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、メモリトランジスタＭＴｒ１〜８のボディとして機能するＵ字状半導体層３４と、Ｕ字状半導体層３４を取り囲むように形成され、電荷を蓄積することによりデータを保持する電荷蓄積層３３ｂと、電荷蓄積層３３ｂを介してＵ字状半導体層３４を取り囲むワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁

The drain side selection transistor SDTr includes a drain side column shaped semiconductor layer 47 extending upward, a charge accumulation layer 46b formed so as to surround the side face of the drain side column shaped semiconductor layer 47 and a drain side conductive layer 42 formed so as to surround the side face of the charge accumulation layer 46b.例文帳に追加

ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒは、上方に延びるドレイン側柱状半導体層４７と、ドレイン側柱状半導体層４７の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層４６ｂと、電荷蓄積層４６ｂを取り囲むように形成されたドレイン側導電層４２とを備える。 - 特許庁

To obtain a shaped bursting charge from a water-in-oil emulsion explosive capable of being easily charged by means of a charger, excellent in long-term stability, and resistant to caking under a load or the like.例文帳に追加

装填機で容易に装填が可能で、経時安定性に優れ、荷重等により塊化し難い油中水滴型エマルション爆薬の成型爆薬を得ること。 - 特許庁