sin 3とは 意味・読み方・使い方

Following to formation of an SiN film 2 on an Si substrate 1, Si+ ions are implanted into the ion implanting region 3 of the SiN film 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にＳｉＮ膜２を形成した後に、Ｓｉ^+イオンをＳｉＮ膜２のイオン注入領域３にイオン注入する。 - 特許庁

An opening is provided in the SiN film 3, and a trench 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３に開口を形成し、Ｓｉ基板１にトレンチ５を形成する。 - 特許庁

The barrier layer 3 is a thin film composed of a compposite ceramic of AlN and SiN.例文帳に追加

バリア層３は、ＡｌＮとＳｉＮとの複合セラミックで構成された薄膜である。 - 特許庁

The changer frame 3 takes sin positions, for example, by displacing angles by 60° at a time.例文帳に追加

チェンジャ架台３は、たとえば６０°ずつ角変位させることで、６つの位置をとり得る。 - 特許庁

Subsequently, an SiN film 4 is formed on the SiON film 3 by a CVD method, etc.例文帳に追加

次いで、ＣＶＤ法等により、ＳｉＮ膜４をＳｉＯＮ膜３上に形成する。 - 特許庁

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

An opening 3a is formed on a pad oxide film 2 and an SiN film 3 on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上のパッド酸化膜２およびＳｉＮ膜３に開口３ａを形成する。 - 特許庁

A delay unit 2 and an adaptive filter 3 delay a microphone input signal y(n) to generate a sine component b(n)=sin(ω0*t+θ'+θ") delayed from the howling component sin(ω0*t+θ) by 2nπ and a subtractor 4 is used to subtract the component bn from the microphone input signal y(n) to suppress the howling.例文帳に追加

マイク入力信号ｙ(n)を遅延器２と適応フィルタ３により遅延して、ハウリング成分sin(ω0*t+θ)より２ｎπだけ遅延したsin成分(ω0*t+θ'+θ")＝ｂ(n)を生成し、これを減算器４によりマイク入力信号ｙ(n)から差し引くことによりハウリングを抑制する 。 - 特許庁