single donorとは 意味・読み方・使い方

Silicon single-crystal fine grains 24 to 27 are arranged on a silicon substrate 21 at almost equal intervals via a silicon oxide film 22, and phosphorus atoms 32 to 35 are respectively contained in each of the fine grains 24 to 27 as a donor atom.例文帳に追加

シリコン単結晶微粒子２４〜２７は、シリコン基板２１上に酸化シリコン膜２２を介してを略等間隔に配置されており、中にはドナー原子としてリン原子３２〜３５が含まれている。 - 特許庁

The selectable gene is positioned within an intron defined by a splice donor site and a splice acceptor site and the selectable gene and product gene are under the transcriptional control of a single transcriptional regulatory region.例文帳に追加

選択可能遺伝子はスプライスドナー部位とスプライスアクセプター部位により定められるイントロンの内部に置かれ、選択可能遺伝子と生成物遺伝子は単一の転写制御領域の転写制御下にある。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining diffusion aluminide coatings of approximately equal thicknesses by simultaneously vapor-phase aluminizing a nickel base superalloy and a cobalt-base superalloy in a single process chamber by using the same aluminum donor and activator.例文帳に追加

同じアルミニウム供与体と賦活体を用いて単一のプロセスチャンバ内でニッケル基超合金とコバルト基超合金を同時に気相アルミナイズして、ほぼ等しい厚さの拡散アルミニウム化物コーティングを得る方法。 - 特許庁

The tandem organic solar cell A includes a plurality of organic solar single cells 1 and 2 having the photoelectric conversion layer 3 formed by blending a donor material 12 and an acceptor material 11, which are laminated via the intermediate layer 4.例文帳に追加

タンデム型有機太陽電池Ａは、ドナー材料１２とアクセプター材料１１をブレンドして形成される光電変換層３を有する複数の有機太陽電池単セル１，２を、中間層４を介して積層したものである。 - 特許庁

A semiconductor thin film crystal is grown on the semiconductor substrate 3 by laser abrading the ZnO sintered compact mixed with a donor impurity Ga in a form of Ga_2O_3, and non doped ZnO single crystal by excimer laser light 8.例文帳に追加

ドナー不純物であるＧａをＧａ_２Ｏ_３の形で添加したＺｎＯ焼結体と、ノンドープＺｎＯ単結晶とをエキシマレーザ光８でレーザアブレーションして、半導体基板３上に半導体薄膜結晶を成長させる。 - 特許庁

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁