sog-1とは 意味・読み方・使い方

The hydrophile MTHS interacts quickly with the hydrophilic SOG film 1.例文帳に追加

親水性のＭＴＨＳは親水性のＳＯＧ膜１と迅速に反応する。 - 特許庁

A spin-on-glass(SOG) film, having absorption coefficient of 2000 cm^-1 or more, is formed as the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜として、吸収係数が２０００ｃｍ^-1以上のＳＯＧ（Spin On Glass ）膜が成膜されている。 - 特許庁

Both the agents are simultaneously delivered to a substrate W forming a SOG(spin-on-glass) film 1, so that in a state in which the MTAS and reaction acceleration liquid are mixed with each other, they are supplied to the SOG film 1.例文帳に追加

ＳＯＧ膜１が形成された基板Ｗに両液を同時に吐出することにより、ＭＴＡＳと反応促進液とが混合された状態にてＳＯＧ膜１上に供給される。 - 特許庁

Since the SOG films are not formed on the top face of the wiring 2 to which holes 8 are formed, and on the surface of the substrate 1, the SOG films are not exposed to the inner walls of the holes 8.例文帳に追加

また、ホール８の形成される配線２上面や基板１表面にＳＯＧ膜が形成されないのでホール８の内壁にＳＯＧ膜が露出しない。 - 特許庁

In a configuration wherein a trench 4 is formed on a silicon substrate 1 and is filled with a SOG film 6, the SOG film 6 is lowered away to become deeper than a high-concentration impurity region 1b after ions are implanted to form the high-concentration impurity region 1b for formation of the LDD structure.例文帳に追加

シリコン基板１にトレンチ４を形成してＳＯＧ膜６を埋め込む構成で、ＬＤＤ構造形成のための高濃度不純物領域１ｂを形成するためのイオン注入をしてから、ＳＯＧ膜６をそれよりも深くなるように落とし込む。 - 特許庁

This semiconductor device includes: lower-layer wires 3 formed on a semiconductor substrate 1; an inorganic SOG film 5a formed on the lower-layer wires 3 and between the lower-layer wires 3 and exhibiting compression stress by implanting ions of impurities therein; and upper-layer wires connected to the lower-layer wires through contact holes formed on an interlayer insulation film 7 including the inorganic SOG film 5a.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of: depositing an SiO_2 film 3 on a substrate 1 on which a wiring pattern 2 is formed; applying an SOG film 4 on the SiO_2 film 3; and by a chemical mechanical polishing method, polishing the SOG film 4 by using cerium oxide and slurry containing at least one or more kinds of cationic surfactants.例文帳に追加

配線パターン２が形成された基板１上にＳｉＯ_２膜３を堆積する堆積工程と，ＳｉＯ_２膜３上にＳＯＧ膜４を塗布する塗布工程と，ＳＯＧ膜４を酸化セリウムおよび少なくとも一種類以上のカチオン性界面活性剤を含むスラリーを用いて化学的機械的研磨法により研磨する研磨工程と，を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁