sog-3とは 意味・読み方・使い方

A groove pattern 4 is formed in the second insulating layer 3 consisting of a multi-layer film accumulated in sequence from a lower layer with an organic SOG film 3a and a TEOS oxide film 3b, and a barrier layer 6 is formed through the TEOS oxide film 5 formed on a wall of the groove pattern 4 to prevent the organic SOG film 3a from touching the barrier layer directly.例文帳に追加

有機ＳＯＧ膜３ａおよびＴＥＯＳ酸化膜３ｂが下層から順に堆積された積層膜によって構成される第２絶縁層３に溝パターン４が形成されており、この溝パターン４の側壁に設けられたＴＥＯＳ酸化膜５を介してバリア層６を形成することで、有機ＳＯＧ膜３ａとバリア層６とが直接接するのを防ぐ。 - 特許庁

The SOG layer 8 allows a part formed on the wiring 3 in the SiOC film 7 to be exposed and has a surface flush with that of the exposed SiOC film 7.例文帳に追加

ＳＯＧ層８は、ＳｉＯＣ膜７における配線３上に形成された部分を露出させ、その露出したＳｉＯＣ膜７の表面と面一をなす表面を有している。 - 特許庁

A first insulating film 2 on a substrate 1 is etched using a multilayer resist including a resist 3 for i-beam, an SOG film 4 and a resist 5 for KrF/ArF.例文帳に追加

基板１上の第１の絶縁膜２を、ｉ線用レジスト３、ＳＯＧ膜４、ＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５を含む多層レジストを用いてエッチングする。 - 特許庁

Of an TEOS/SOG/TEOS film 3 underlying the thin film resistor 4, a step 3c is formed between the surface of a region 3a underlying the resistor 4 and the surface of the surrounding region 3b of the region 3a.例文帳に追加

薄膜抵抗４の下のＴＥＯＳ／ＳＯＧ／ＴＥＯＳ膜３のうち、薄膜抵抗４の下側に位置する領域３ａの表面と、その周りの領域３ｂの表面との間に段差３ｃを形成する。 - 特許庁

Thereby, the SOG solution layer 2 is changed into a diffraction pattern layer 12 having a rugged surface complementary to the rugged surface of the mother mold 1 and a composite material 10 made by adhering the diffraction pattern layer 12 onto the substrate 3 is provided.例文帳に追加

これにより該ＳＯＧ溶液層２が該母型１の凹凸面と相補的な凹凸面を有する回折パターン層１２へと変化するとともに、該回折パターン層１２が該基板３に固着した複合体１０を得る。 - 特許庁

In this case, the resist 5 for KrF/ArF is first patterned, the SOG film 4 and the resist 3 for i-beam are dry-etched using the resist 5 for KrF/ArF as a mask, and the first insulating film 2 is dry-etched using the resist 3 as a mask.例文帳に追加

その際は、まずＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５をパターニングし、それをマスクにしてＳＯＧ膜４、ｉ線用レジスト３をドライエッチングし、そのｉ線用レジスト３をマスクにして第１の絶縁膜２をウェットエッチングする。 - 特許庁

The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加

半導体基板１上に形成した熱酸化膜３上に薄膜抵抗体５を形成し、半導体基板１上全面にＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１１、プラズマＣＶＤ膜１３、レジストパターン１９を形成する（Ａ）。 - 特許庁

After an intermediate metal 10 is formed on a 1st wire 2 and an inter-layer insulating film is formed of a 2nd insulating film 3, standing SOG and a 3rd insulating film 5, the film is flattened by CMP until the intermediate metal 10 is exposed, and a 2nd wire 11 is formed on the intermediate metal 10.例文帳に追加

第１の配線２上に中間メタル１０を形成し、第２の絶縁膜３、ＳＯＧ溜まり４および第３の絶縁膜５からなる層間絶縁膜を形成後、中間メタル１０が露出するまで、ＣＭＰにより平坦化を行い、中間メタル１０上に第２の配線１１を形成する。 - 特許庁