spin liquid stateとは 意味・読み方・使い方

In a state wherein the chamber 31 is set apart from the spin base 22 in a rotating state, chemicals and a rinse liquid are supplied from the liquid supply nozzle 46 to the substrate W on the spin base 22.例文帳に追加

チャンバ３１がスピンベース２２から離間した位置に設定されかつスピンベース２２が回転されている状態で、スピンベース２２上の基板Ｗに液体供給ノズル４６から薬液およびリンス液が供給される。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with a spin chuck 1 for rotating a wafer W by holding it almost in the horizontal state, a first chemical liquid as the processing liquid for the front surface of the wafer W held with this spin chuck 1, and a moving nozzle 2 for supplying a second chemical liquid and the pure water.例文帳に追加

ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に処理液としての第１薬液、第２薬液および純水を供給するための移動ノズル２とが備えられている。 - 特許庁

In a state wherein a spin chuck is rotated (S3) and an etching liquid is supplied (S4), the thickness of a film on the surface of the wafer is measured in real time (S5).例文帳に追加

スピンチャックを回転し（Ｓ３）、かつ、エッチング液を供給している状態で（Ｓ４）、ウエハ表面の膜の膜厚がリアルタイムで測定される（Ｓ５）。 - 特許庁

An object to be coated is spin coated with the coating liquid in the state that humidity of a treatment atmosphere in the spin coater is humidified to 60% or higher by acidic water of pH<6 and at this time, the acidic water is made to water containing at least one kind or more of an acidic solvent component of the coating liquid.例文帳に追加

スピンコーター内の処理雰囲気をｐＨ＜６以下の酸性の水によって湿度を６０％以上に加湿した状態下で、塗布液を被塗布体にスピンコート塗布を行うようにし、その際、前記酸性の水が前記塗布液の酸性の溶媒成分の少なくとも１種以上を含む水とした。 - 特許庁

Both the agents are simultaneously delivered to a substrate W forming a SOG(spin-on-glass) film 1, so that in a state in which the MTAS and reaction acceleration liquid are mixed with each other, they are supplied to the SOG film 1.例文帳に追加

ＳＯＧ膜１が形成された基板Ｗに両液を同時に吐出することにより、ＭＴＡＳと反応促進液とが混合された状態にてＳＯＧ膜１上に供給される。 - 特許庁

After supply of treatment liquid to the wafer W is stopped, the wafer W is arranged in a position upper than an upper end 2a of the cup 2 by making the spin chuck 1 raise to a drying treatment height DH, and the spin chuck 1 holding the wafer W is rotated at a fast speed in the state and the wafer W is dried.例文帳に追加

基板Ｗへの処理液の供給を停止した後、スピンチャック１を乾燥処理高さＤＨに上昇させてカップ２の上端２ａよりも上方の位置に基板Ｗを配置させ、その状態で基板Ｗを保持したスピンチャック１を高速回転させて基板Ｗを乾燥する。 - 特許庁

The hydrofluoric acid is supplied from the chemical liquid nozzle 2 onto the surface of the wafer W in a rotating state with the spin chuck 1 to execute the processing using the hydrofluoric acid, and then, the dilute hydrochloric acid is supplied from the rinse liquid nozzle 3, thereby executing the rinse processing for washing away the hydrofluoric acid adhering on the surface of the wafer W.例文帳に追加

スピンチャック１による回転状態のウエハＷの表面に対して、薬液ノズル２からふっ酸が供給されて、そのふっ酸による処理が施された後、リンス液ノズル３から希塩酸が供給されることにより、ウエハＷの表面に付着しているふっ酸を洗い流すためのリンス処理が行われる。 - 特許庁