spin-densityとは 意味・読み方・使い方

The state density has a characteristic as shown in Fig. 2, and it is seen from the 0-point (Fermi surface) of the horizontal axis that the state density is metallic in majority-spin and semiconductor-like and half-metallic in minority-spin.例文帳に追加

状態密度は図２に示すような特性となり、横軸の０点（フェルミ面）を見ると、ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは金属的、ｍｉｎｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは半導体的でありハーフメタルになっている。 - 特許庁

To realize a high recording density by installing a bias film in a spin valve film to remove the noise originating from the free layer in the perpendicularly current feeding type spin valve film.例文帳に追加

垂直通電型スピンバルブ膜におけるフリー層を起源とするノイズを除去するためのバイアス膜をスピンバルブ膜内に設置して高記録密度を実現することにある。 - 特許庁

To provide a spin injection type memory device and memory that can be increased easily in density and degree of integration.例文帳に追加

高密度・高集積化を容易に可能とするスピン注入型のメモリ素子およびメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a spin torque oscillator in which reduction of current density and increase in strength of the in-plane high frequency magnetic field can be achieved simultaneously.例文帳に追加

電流密度の低減と面内高周波磁界の強度の増加を同時に実現できるスピントルク発振子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording element capable of reducing the current density of a spin injection current for magnetization reversal without deteriorating a heat fluctuation resistance and MR characteristic.例文帳に追加

熱揺らぎ耐性及びMR特性の劣化なく、磁化反転のためのスピン注入電流の電流密度を低減する。 - 特許庁

To provide a (group Mn-V) co-added group IV magnetic semiconductor whose spin polarized carrier density near the Fermi surface can be increased, whose Curie temperature is high, and which is preferably applied as a basic material for spin electronics.例文帳に追加

フェルミ面付近のスピン偏極したキャリア密度を増加でき、キュリー温度が高く、スピンエレクトロニクスの基本材料に適用が好ましい（Ｍｎ−Ｖ族）共添加ＩＶ族磁性半導体を提供すること - 特許庁

To obtain a spin transfer oscillator (STO) structure which can oscillate a field generation layer (FGL) under a low current density in MAMR application.例文帳に追加

ＭＡＭＲ用途において、低電流密度下で磁界生成層（ＦＧＬ）を発振させ得るスピントランスファー発振器（ＳＴＯ）構造を得る。 - 特許庁

The single mode optical fiber containing a glass part made of quartz glass and having a center core and a clad, is characterized in that the density of non-crosslinked oxygen defects in the glass parts is ≤1.0×10^14 spins/g in terms of the spin density measured by an electron spin resonance method.例文帳に追加

石英系ガラスよりなり、中心コアとクラッドを有するガラス部分を含むシングルモード光ファイバにおいて、前記ガラス部分の非架橋酸素欠陥の密度が、電子スピン共鳴法により測定されるスピン密度の値として１．０×１０^^１４ｓｐｉｎｓ／ｇ以下であることを特徴とする。 - 特許庁