spin-spin couplingとは 意味・読み方・使い方

As a result, a thin film spacer can be formed, and the nano-constricted MR spin valve is formed having low coercivity and low interlayer coupling between the free layer and the pinned layer.例文帳に追加

その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄ＭＲスピンバルブが形成される。 - 特許庁

This fluid coupling between a first component (connector body) for transferring the fluid and a second component (pipe end part) for transferring the fluid, is formed by spin welding.例文帳に追加

流体を移送する第一のコンポーネント（コネクタ・ボディ）と、流体を移送する第二のコンポーネント（管端部）との間の流体継手が、スピン溶着により形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a spin valve type massive magnetic reluctance film having both a high magnetic reluctance variation rate (MR ratio) and a low inter-layer coupling magnetic field (Hin).例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率（ＭＲ比）と低い層間結合磁界（Ｈｉｎ）を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

An NOT gate is realized by the interaction of two (1/2)-spin inner products and a 1-bit addition gate under the consideration of advancing is realize by the generation of a two level system and the interaction of the coupling of an annihilation operator and the state transition operator of a three level system.例文帳に追加

２つの(1/2)-スピン内積の相互作用により否定ゲートを、二順位系の生成、消滅演算子と三順位系の状態遷移演算子の結合による相互作用により、繰り上げを考慮した1-bit加算ゲートを実現する。 - 特許庁

To provide a drum washing machine that a coupling structure between a damper and a cabinet is improved and that a cabinet vibration caused by a tab vibration generated at the time of transient vibration and normal spin dry is minimized.例文帳に追加

本発明は、ダンパーとキャビネットとの結合構造を改善し、過度振動時及び正常脱水時発生するタブの振動によるキャビネットの振動を最小化したドラム洗濯機を提供する。 - 特許庁

The spin valve film 8 has a fixed layer 19 in which four layers of ferromagnetic layers 12, 141, 142, 143 are laminated on the upper part of an anti-ferromagnetic layer 11, and through anti-ferromagnetic coupling layers 131, 132, 133 between respective layer.例文帳に追加

ＧＭＲヘッド１０は、下部磁気シールド層及び上部磁気シールド層の間に、スピンバルブ膜８と、スピンバルブ膜８の両端部に配置された下地層４と磁区制御層５と電極層６の積層構造とを有する。 - 特許庁

To provide a multi-chamber film-forming apparatus capable of manufacturing spin-valve giant magnetoresistive films satisfying both high magnetoresistive change ratio (MR ratio) and low interlayer coupling magnetic field (Hin).例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。 - 特許庁