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sputtering conditionとは 意味・読み方・使い方
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「sputtering condition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
SPUTTERING TREATMENT CONDITION CONTROL METHOD AND SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加
スパッタ処理条件制御方法とスパッタ装置 - 特許庁
The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加
スパッタリング条件はスパッタリング圧力0.5〜2Pa,rf電力100W,基板温度360〜400℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は1.2〜10%の範囲であることが好適である。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET SINTERED MATERIAL FOR FORMING PHOTORECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER EXHIBITING EXCELLENT CRACKING RESISTANCE IN HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加
高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE FILM EXHIBITING EXCELLENT CRACKING-OFF RESISTANCE UNDER DIRECT CURRENT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加
直流スパッタ条件下で優れた耐割損性を発揮する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁
SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING PROTECTIVE LAYER OF LIGHT MEDIA, SHOWING SUPERIOR FRACTURE RESISTANCE UNDER HIGH-POWER SPUTTERING CONDITION例文帳に追加
高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁
To provide a sputtering method capable of detecting abnormality when even a slight change occurs in the sputtering condition.例文帳に追加
スパッタリング条件に僅かでも変化が生じた時、異常を検出することができるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET SINTERED MATERIAL FOR FORMING PHOTORECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER EXHIBITING EXCELLENT CRACKING DAMAGE RESISTANCE IN HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加
高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁
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「sputtering condition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER EXHIBITING EXCELLENT CRACKING RESISTANCE UNDER HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加
高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁
SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR DEPOSITION OF OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER, SHOWING EXCELLENT RESISTANCE TO LOSS BY FRACTURE UNDER HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加
高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁
SPUTTERING TARGET SINTERED MATERIAL FOR PHOTORECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER EXHIBITING EXCELLENT CRACKING DAMAGE RESISTANCE IN HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加
高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁
HIGH-DENSITY SPUTTERING SINTERED TARGET MATERIAL NOT CRACKED EVEN IN HIGH-SPEED FILM FORMING CONDITION例文帳に追加
高速成膜条件でも割れ発生のない高密度スパッタリング燒結ターゲット材 - 特許庁
To pre-condition a sputtering target prior to use of the target in a sputtering process by removing a damaged surface layer of a sputtering surface of the target.例文帳に追加
スパッタリング処理において、ターゲットのスパッタリング表面の損傷表面層を除去することでスパッタリングターゲットをその使用前に前調整する。 - 特許庁
To provide an ITO sputtering target material having high usage efficiency, a long life, and a small aging change of a sputtering condition, and to provide an ITO sputtering target and an ITO sintered compact that is suited for using to obtain them.例文帳に追加
使用効率が高く、長寿命で、スパッタリング条件の経時変化の小さいITOスパッタリングターゲット材およびITOスパッタリングターゲット、ならびにこれらに用いるのに好適なITO焼結体を提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering device capable of sputtering a high-melting metal on the condition that the deterioration of a gate breakdown voltage is not generated in the manufacture of a semiconductor device for forming a high-melting metal silicide layer.例文帳に追加
高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造において、ゲート耐圧の劣化が生じない条件で高融点金属をスパッタすることができるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a packed high purity target in which neither stability nor long service life when starting the use in sputtering is degraded even when the target is stored and carried in a packed condition and taken out of the pack and used in sputtering.例文帳に追加
梱包した状態で保管・運搬し、その後梱包から取り出してスパッタリングに用いても、スパッタリングでの使用開始時の安定性も長寿命特性も劣化していない梱包された高純度ターゲットを提供すること。 - 特許庁
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