「sputtering condition」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER EXHIBITING EXCELLENT CRACKING RESISTANCE UNDER HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加

高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁

To provide a sputtering method capable of detecting abnormality when even a slight change occurs in the sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件に僅かでも変化が生じた時、異常を検出することができるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件はスパッタリング圧力０．５〜２Ｐａ，ｒｆ電力１００Ｗ，基板温度３６０〜４００℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は１．２〜１０％の範囲であることが好適である。 - 特許庁

HIGH-DENSITY SPUTTERING SINTERED TARGET MATERIAL NOT CRACKED EVEN IN HIGH-SPEED FILM FORMING CONDITION例文帳に追加

高速成膜条件でも割れ発生のない高密度スパッタリング燒結ターゲット材 - 特許庁

SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR DEPOSITION OF OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER, SHOWING EXCELLENT RESISTANCE TO LOSS BY FRACTURE UNDER HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加

高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁

SPUTTERING TARGET SINTERED MATERIAL FOR FORMING PHOTORECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER EXHIBITING EXCELLENT CRACKING DAMAGE RESISTANCE IN HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION例文帳に追加

高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁

SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING PROTECTIVE LAYER OF LIGHT MEDIA, SHOWING SUPERIOR FRACTURE RESISTANCE UNDER HIGH-POWER SPUTTERING CONDITION例文帳に追加

高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁

To provide an ITO sputtering target material having high usage efficiency, a long life, and a small aging change of a sputtering condition, and to provide an ITO sputtering target and an ITO sintered compact that is suited for using to obtain them.例文帳に追加

使用効率が高く、長寿命で、スパッタリング条件の経時変化の小さいＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに用いるのに好適なＩＴＯ焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a suitable condition, under which a III nitride compound semiconductor layer is formed on a substrate through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。 - 特許庁

To provide a sputtering device capable of sputtering a high-melting metal on the condition that the deterioration of a gate breakdown voltage is not generated in the manufacture of a semiconductor device for forming a high-melting metal silicide layer.例文帳に追加

高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造において、ゲート耐圧の劣化が生じない条件で高融点金属をスパッタすることができるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The antireflection film satisfying the above condition is formed by sputtering at the ambient temperature of ≤175°C, preferably ≤150°C.例文帳に追加

この条件を満たす反射防止膜を形成するには、１７５℃以下、好ましくは１５０℃以下の雰囲気温度でスパッタリング法によって形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of preventing any sputtering condition in a vacuum film deposition chamber from being fluctuated even when opening a gate valve between a supply chamber and the vacuum film deposition chamber, or a gate valve between the vacuum film deposition chamber and a delivery chamber.例文帳に追加

仕込み室と真空成膜室との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室と取り出し室と間のゲートバルブを開放しても真空成膜室内のスパッタリング条件を変動させることがないスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a packed high purity target in which neither stability nor long service life when starting the use in sputtering is degraded even when the target is stored and carried in a packed condition and taken out of the pack and used in sputtering.例文帳に追加

梱包した状態で保管・運搬し、その後梱包から取り出してスパッタリングに用いても、スパッタリングでの使用開始時の安定性も長寿命特性も劣化していない梱包された高純度ターゲットを提供すること。 - 特許庁

In a chamber, sputtering is performed to form an erosion area different from that formed under a predetermined deposition condition required for forming a desirable sputtered film on a sputtering surface of the target material containing two or more elements.例文帳に追加

まず、チャンバ内において、複数の元素を含むターゲット材を用いて、所望のスパッタ膜を成膜する所定の成膜条件で形成される浸食領域とは異なる浸食領域がターゲット材のスパッタ面に形成されるように、スパッタリングを行なう。 - 特許庁

The value of the applied control voltage in accordance with a sputter condition is determined beforehand, so as to make the voltage of the substrate 17 about zero during sputtering.例文帳に追加

スパッタ条件に応じ、予めスパッタ中の基板１７が略ゼロＶになる大きさの制御電圧を求めておき、その制御電圧を印加してスパッタを行う。 - 特許庁

At formation of the spin bubble film, the vacuumized pressure of vacuum level attained in the control flow and film forming condition of the sputtering gas are set, so that the crystal grain size of the formed spin bubble film become 50 nm or smaller.例文帳に追加

すなわち、成膜時の結晶粒径を５０ｎｍ以下となるように成膜工程を制御することにより、素子歩留まりのよいスピンバルブ膜を得ることができる。 - 特許庁

The semiconductor film made of IGZO-based amorphous oxide is manufactured by performing annealing processing under a condition satisfying an expression (2) after forming a film of an IGZO-based amorphous oxide layer by sputtering under a condition satisfying an expression (1).例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を下記式（１）を満足する条件でスパッタ成膜した後に、下記式（２）を満足する条件でアニール処理することにより、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる半導体膜を製造する。 - 特許庁

To provide a copper sputtering target material for a TFT which can reduce a tensile residual stress in a copper film which has been deposited even not changing a deposition condition (pressure in deposition, gas kind used for deposition or the like), and to provide a copper film for a TFT, and a sputtering method.例文帳に追加

成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The film forming method by sputtering which forms a film on a substrate by introducing a sputtering gas in a film forming room, includes forming a reflection layer having a predetermined reflectivity on the above substrate, by adjusting a H2O partial pressure in the atmosphere in the above film forming room to a predetermined condition.例文帳に追加

成膜室内にスパッタリングガスを導入して基板上に膜を成膜するスパッタリングによる成膜方法において、前記成膜室内における雰囲気中のＨ_2Ｏ分圧を所定の条件に調整することによって、所定の反射率を有する反射層を前記基板上に成膜する。 - 特許庁

The sputtering target includes two kinds of chalcogen elements, Sb and Te, and Ag, as indispensable elements, and is characterized by that a part or all of Ag exists in dispersed condition in the target without being combined with other elements.例文帳に追加

Ｓｂ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素とＡｇを必須として含み、Ａｇの一部またはすべてが他の元素と化合せずにターゲット中に分散されて存在することを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In a sputtering film deposition apparatus which deposits a film while swinging a magnet 24 nearly parallel to the surface of the target 18, the film is deposited under such a condition that the ratio P/V of sputtering power density P (W/cm^2) to the average swing speed V (cm/s) of the magnet 24 is ≥0.2 (W×s/cm^3).例文帳に追加

ターゲット１８表面に略平行にマグネット２４を揺動させつつ成膜を行うスパッタリング成膜装置において、スパッタリング電力密度Ｐ（ワット／平方センチメートル）と、マグネット２４の平均揺動速度Ｖ（センチメートル／秒）の比Ｐ／Ｖが０．２（ワット・秒／立方センチメートル）以上となる条件で成膜する。 - 特許庁

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。 - 特許庁

The thin film deposition apparatus 10 has a plurality of sputtering sources having targets comprising at least either selected from two or more same materials and two or more different materials and disposed inside a chamber 12, and is provided with a film deposition condition set part capable of setting different film deposition conditions to the respective sputtering sources.例文帳に追加

薄膜形成装置１０が、チャンバ１２内に配設された２つ以上の同一材料と２つ以上の異なる材料とのうち少なくとも一方を含むターゲットを有する複数のスパッタリング源を有し、それぞれのスパッタリング源に異なる成膜条件を設定可能な成膜条件設定部を備える構成とした。 - 特許庁

Under this condition, particles are released from the target 12 by sputtering and the particles are adhered to the treating surface 21 of the semiconductor substrate 2 retained by the substrate retaining member 13 whereby the thin film is formed on the treating surface 21.例文帳に追加

この状態で、スパッタリングすることにより、ターゲット１２から粒子が放出され、粒子が基板保持部材１３に保持された半導体基板２の処理面２１に付着し、その処理面２１に薄膜が形成される。 - 特許庁

To enhance the productivity by improving the efficiency of using a target and prolonging the continuous operation time of an apparatus by providing a condition where nodules are hardly formed on the surface of the target, in a magnet swing type sputtering film deposition method.例文帳に追加

マグネット揺動型のスパッタリング成膜方法において、ターゲット表面にノジュールが形成されにくい条件を提案し、ターゲットの使用効率向上、装置の連続可能時間の向上により生産性を高める。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus, which can continuously repeat film forming with an arc discharge type ion plating method and film forming with a sputtering method, in such a condition that the each film has high adhesiveness.例文帳に追加

アーク放電式イオンプレーティング法による皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜の形成が、それぞれ高い密着性を有す状態で、連続して繰返し行えることが可能である皮膜形成装置を提供する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 9, a first layer 8 comprised of a group III nitride is formed by a sputtering method, and upon forming a second layer 7 comprising a group III nitride, on the first layer 8 by an MOCVD method, the first layer 8 is formed under the condition that the arrival degree of vacuum in a chamber of a sputtering apparatus is 3.5×10^-5 Pa or less.例文帳に追加

サファイア基板９上に、スパッタ法によってＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を成膜し、該第１の層８の上に、ＭＯＣＶＤ法によってＩＩＩ族窒化物からなる第２の層７を成膜する際に、第１の層８を、スパッタ装置のチャンバの到達真空度が３．５×１０^−５Ｐａ以下の条件で成膜する。 - 特許庁

To provide a polyester film for molding that is excellent in moldability under the condition of a low temperature and a low pressure, transparency, solvent resistance, heat resistance and handlability and is excellent in aesthetic appearance when it is provided with a deposition layer, a sputtering layer or a printing layer thereon.例文帳に追加

低い温度及び低い圧力下での成型性、透明性、耐溶剤性、耐熱性、取扱い性に優れ、かつ蒸着層、スパッタリング層、又は、印刷層を設けた際の意匠性に優れた成型用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

In the high-pressure discharge lamp which lights up by means of rectangular waves, the condition which prevents blackening due to sputtering of the high-pressure discharge lamp, as much as possible, is set, by setting the frequency and the current value of the lamp current at the starting as parameters.例文帳に追加

矩形波点灯で点灯させる高圧放電灯点灯装置において、始動時のランプ電流の周波数と電流値をパラメーターにして、高圧放電灯にスパッタによる黒化の発生を極力抑える条件を設定する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magneto-optical recording medium formed by stacking a plurality of magnetic layers, at least two of magnetic layers are manufactured by sputtering the same target means in the same vacuum tank under a different condition at a sputtering process depending on the respective element composition ratio and/or magnetic characteristics.例文帳に追加

複数の磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体の製造方法において、磁性層のうちの少なくとも２層をそれぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特性に応じて、スパッタリングプロセス時に異なる条件で同一真空槽内において同一ターゲット手段をスパッタリングすることにより造り分けることが可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁

When an embedding wiring 11b is formed in a wiring trench 10b formed in an insulating film 5c on a semiconductor substrate 1, after a conductor film 8b constituting the embedding wiring 11b is coated by a sputtering method which has a directivity and in which a condition that sputtering particles are difficult to scatter is added, a conductor film 8c constituting the embedding wiring 11b is coated by a plating method.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。 - 特許庁

In the thin film deposition by the sputtering method using the ceramic target, the temperature T of cooling water for circulating near the target to suppress temperature rise due to the heat generation of the target is set to 300 K≤T≤360 K and ≥4 W/cm^2 sputtering power is applied in this condition.例文帳に追加

セラミックターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、上記ターゲットの発熱による温度上昇を抑えるために上記ターゲットの近傍に循環させる冷却水の温度Ｔを３００Ｋ≦Ｔ≦３６０Ｋに設定し、この状態で上記ターゲットの面積当り４Ｗ／cm^2 以上のスパッタリング電力を印加することを特徴とする薄膜の成膜方法。 - 特許庁

To provide a means for efficiently implementing the maintenance method of a vacuum film deposition apparatus, in particular, the method of a system vent when executing maintenance of an in-line type sputtering apparatus under a necessary and sufficient condition, and to provide an optimal vacuum film deposition apparatus.例文帳に追加

真空成膜装置のメンテナンス方法、とりわけ、インライン式スパッタ装置をメンテナンスする場合のシステムベントの方法を必要かつ充分な条件で効率的に行うための手段を提供し、最適な真空成膜装置を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the hard carbon film, when depositing the hard carbon film containing the metal element and nitrogen, the deposition condition is controlled using a processing method such as an ion-plating method, a sputtering method, a plasma processing method and an ion implanting method.例文帳に追加

金属元素及び窒素を含有した硬質炭素膜を形成する際に、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ処理及びイオン注入処理等の処理方法を利用し、形成条件を制御する硬質炭素膜の製造方法である。 - 特許庁

To provide a glow discharge lamp such as a glow starter in which sputtering of an electrode active material is essentially improved and the starting characteristics under a dark condition is enhanced by reducing the required time for lighting and lighting equipment having the glow discharge lamp.例文帳に追加

電極活性剤のスパッタリングを本質的に改善するとともに、点灯所要時間を短縮して暗所条件下における始動特性を改善したグロースタータなどのグロー放電ランプおよびこれを用いた照明器具を提供する。 - 特許庁

In a target and a backing plate charged in each film deposition chamber of the sputtering apparatus having a plurality of film deposition chambers, the contours of the targets in a placed condition are common to each other, and the joining position with the backing plate is arbitrarily changed according to the thickness of the target.例文帳に追加

複数の成膜室を備えたスパッタリング装置の各成膜室に装填するターゲット及びバッキングプレートにおいて、ターゲットを載置した状態での外形をすべて共通として、ターゲットの厚みに応じてバッキングプレートとの接合位置を任意に変える - 特許庁

Consequently, when the first metal layer 5 coming into contact with the thin-film resistance R is formed, the first metal layer 5 is formed under a condition wherein a nitriding radical is basically not present in the sputtering device, so no nitride is formed at an exposed part of the thin-film resistance R.例文帳に追加

これにより、薄膜抵抗Ｒと接触する第１金属層５を形成する際に、スパッタ装置内に窒化ラジカルが基本的には存在していない条件で第１金属層５の成膜を行うことができるため、薄膜抵抗Ｒの露出部分に窒化物が形成されないようにできる。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus provided with anti-deposition plates for particularly preventing deposition of an insulator or the like to the wall surface of a vacuum vessel for ensuring formation of the film of a desired composition without inclusion of a foreign matter, and maintaining productivity by preventing change in the condition of plasma by aging.例文帳に追加

スパッタリング装置に係り、特にその真空容器の壁面に絶縁物などが付着することを防ぐ防着板を具備したスパッタリング装置に関するものであり、異物が混入しない所望の組成の成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The first insulating layer 10 is made of the complete set resin having a high accuracy for its thickness D, the conductive layer 30 is formed through sputtering in a condition that the layer 10 is in its semi-set state prior to the complete setting of the layer 10, and a thickness E of the layer 30 is set to 0.5 μm-1 μm.例文帳に追加

第１の絶縁層１０は厚さＤを高精度とした完全硬化樹脂よりなり、導電層３０は第１の絶縁層１０が完全硬化される前の半硬化状態でスパッタリングにより形成され、層厚Ｅを０．５μｍ〜１μｍとしてなる。 - 特許庁

At this time, a film performing process is carried out to form a lower base metallic film 131 as a tantalum film not containing nitrogen by sputtering each substrate 20x fed in the film growth chamber, in such a condition that the supply of the nitrogen gas is stopped, and then a reactive sputter film forming process is carried out by starting the supply of the nitrogen gas.例文帳に追加

その際、成膜室に基板２０ｘを搬入するたびに、窒素ガスの供給を停止した状態でスパッタリングして窒素を含有しないタンタル膜からなる下地金属膜１３１を形成する成膜前処理を行った後、窒素ガスの供給を開始して反応性スパッタ成膜処理を行う。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

In the antifog and antistain article for manufacturing the article a film 11 comprising a metal oxide semiconductor having photocatalytic activity and a film 12 essentially comprising silica formed by reactive sputtering under the condition of ≥0.8 Pa pressure during depositing the film are formed on a transparent substrate 10.例文帳に追加

透明基板１０上に、光触媒活性を有する金属酸化物半導体を主成分とする膜１１と、その上に、成膜時の圧力が０．８Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により形成された二酸化シリコンを主成分とする膜１２とが形成されたことを特徴とする防曇防汚物品とその製造方法。 - 特許庁

The photocatalyst layer 15 comprising anatase titanium oxide as a main component is obtained without heating a substrate 11, when sputtering is carried out by using a target comprising a metal titanium under the condition that a pressure under vacuum atmosphere is 1,064 mPa or more and 1,596 mPa or les and a pressure of oxygen gas is more than 45% and less than 65% of the vacuum atmosphere.例文帳に追加

本発明によれば、真空雰囲気の圧力が、１０６４ｍＰａ以上１５９６ｍＰａ以下、酸素ガスの圧力が真空雰囲気の圧力の４５％以上６５％以下の条件で、金属チタンからなるターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、基板１１の加熱をしなくてもアナターゼ型酸化チタンを主成分とする光触媒層１５が得られる。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁