substrate affinityとは 意味・読み方・使い方

The holding substrate has high affinity for a reagent, etc., by fine unevenness and collects the samples or chemicals on the bottoms of the recessed parts.例文帳に追加

この微細な凹凸によって試薬等との親和性が高まり、サンプルや薬品が凹部の底部に集めることができる。 - 特許庁

MULTI-PURPOSE METHOD FOR DETECTING SUBSTRATE AFFINITY OF ABC TRANSPORTER HAVING CYSTEINE RESIDUE INDUCED BY VARIATION BY USING ENVIRONMENT-SENSITIVE FLUORESCENT PROBE例文帳に追加

環境感受性蛍光プローブを用いたシステイン残基が変異導入されたＡＢＣトランスポーターの汎用的な基質親和性検出方法 - 特許庁

The base sheet 43c is adhered to the substrate 43a, and has adhesion affinity even to UV curing resin in the lens body 43b.例文帳に追加

下地シート４３ｃは、基板４３ａに接着されており、レンズ本体４３ｂのＵＶ硬化樹脂に対しても接着親和性を有する。 - 特許庁

An area for forming a thin film of the surface of a silicon substrate 1 is converted into a surface state having a high affinity to a thin film forming material.例文帳に追加

シリコン基板１の表面の薄膜形成領域を、薄膜形成材料との親和性が高い表面状態にする。 - 特許庁

A thin film forming region on the surface of a silicon substrate 1 is formed to have the surface having higher affinity with a thin film forming material.例文帳に追加

シリコン基板１の表面の薄膜形成領域を、薄膜形成材料との親和性が高い表面状態にする。 - 特許庁

The ethanol production is controlled by using a transformant carrying a DNA encoding a foreign protein having a lactate dehydrogenase activity and exhibiting an affinity for a pyruvic acid substrate comparable or superior to the affinity for a pyruvic acid substrate of the intrinsic pyruvate decarboxylase in the host.例文帳に追加

宿主生物に内在するピルビン酸脱炭酸酵素の対ピルビン酸基質親和性と同等かあるいはそれを超える対ピルビン酸基質親和性を備える外来の乳酸脱水素酵素活性を有するタンパク質をコードするＤＮＡが導入されている形質転換体とする。 - 特許庁

The pattern formation method includes a step of providing affinity for liquid by means 102 for selectively generating plasma on a liquid-repellent thin film, for example, a semiconductor film, on a substrate having insulating property, for example, a glass substrate, and discharging a drop composition onto the surface having affinity for liquid by drop discharge means 103.例文帳に追加

絶縁性を有する基板、例えばガラス基板上に撥液性の薄膜、例えば半導体膜に選択的にプラズマを発生する手段１０２によって親液性にし、前記親液性表面に、液滴吐出手段１０３により液滴組成物を吐出して、パターンを作製する工程を含む。 - 特許庁

The compound semiconductor device is provided with a substrate 1, an AlN layer 2 formed over the substrate 1, an AlGaN layer 3 formed over the AlN layer 2 and larger in electron affinity than the AlN layer 2, and another AlGaN layer 4 formed over the AlGaN layer 3 and smaller in electron affinity than the AlGaN layer 3.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成されたＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成され、ＡｌＮ層２よりも電子親和力が大きいＡｌＧａＮ層３と、ＡｌＧａＮ層３上に形成され、ＡｌＧａＮ層３よりも電子親和力が小さいＡｌＧａＮ層４と、が設けられている。 - 特許庁