substrate-biasedとは 意味・読み方・使い方

To provide an integrated circuit test probe constituted of an elongated screw machining contact biased by a coil spring and attached to a through hole of a non-conductive substrate.例文帳に追加

コイルばねによってバイアスされ、不導性基板のスルーホールに取り付けられた伸長ねじ加工接点より構成されるテストプローブ。 - 特許庁

In a specific embodiment, the substrate is biased at a power level of 0.0 w/cm2 (and thus is not biased at all) and in some embodiments, the plasma generating system applies a total source power to the plasma of about 20.7 watts per square centimeter or greater.例文帳に追加

特定の実施形態では、０．０Ｗ／ｃｍ^2の電力レベルで基板にバイアスを加え（したがってバイアスが全く加えられない）、一部の実施形態では、プラズマ生成システムは１平方センチメートル当たり約２０．７Ｗ以上の合計ソース電力をプラズマに加える。 - 特許庁

Furthermore, the sensor substrate electrode 5 is configured by an elastic material, and the sensor substrate electrode 5 is biased towards the bump 4 by the elastic force and the sensor substrate electrode 5, and the bump 4 are connected surely.例文帳に追加

またセンサ基板電極５を弾性体によって構成したため、弾性力によってセンサ基板電極５がバンプ４側に付勢され、センサ基板電極５とバンプ４とが確実に接続される。 - 特許庁

To coat the surface of a substrate uniformly and inexpensively with good reproducibility by a simple apparatus/mechanism irrespective of the biased wall thickness in the width direction and warpage of a substrate.例文帳に追加

基材の幅方向の偏肉や反りがある場合でも、簡便な設備・機構で、コスト負担も小さく、基材表面に均一に、再現性よく塗装する。 - 特許庁

When a large panel structure 150 is formed by sticking the large substrates 110 and 120, a second large substrate 120 is biased with respect to the first large substrate 110 so that the test terminal 111 is exposed on a probing area 121 formed on one end face of the second large substrate 120.例文帳に追加

そして、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせて大型パネル構造体１５０を形成するに際しては、第１の大型基板１１０に対して第２の大型基板１２０を偏倚させ、第２の大型基板１２０の一端面に形成したプロービング領域１２１からテスト端子１１１を露呈させる。 - 特許庁

This method comprises ionizing inclusion fullerene products to form plasma comprising an inclusion fullerene ion and an impurity ion, and selectively depositing the inclusion fullerene ion onto a substrate on which a biased voltage is impressed.例文帳に追加

内包フラーレンの生成物を電離して、内包フラーレンイオンと不純物イオンからなるプラズマを形成し、バイアス電圧を印加した基板上に選択的に内包フラーレンイオンを堆積させることにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which reduces variations in the thickness of a film formed on a semiconductor substrate by restraining the biased flow of process gas.例文帳に追加

プロセスガスが偏って流れることを抑え、半導体基板上に形成される膜の膜厚バラツキを低減することが可能な半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

When the first and second MOS transistors are turned on, in the third MOS transistor, the voltage of the substrate electrode is biased to one source electrode in the forward bias direction.例文帳に追加

第１および第２のＭＯＳトランジスタがオンすると、第３のＭＯＳトランジスタにおいて、順バイアス方向に一方のソース電極に対して基板電極の電圧はバイアスされる。 - 特許庁