substrate-biasedとは 意味・読み方・使い方

A pedestal electrode 22 supporting the substrate 24 may be negatively biased to accelerate the metal ions to deep within high aspect-ratio holes.例文帳に追加

基板１４を支持するペデスタル電極２２は負にバイアスされて、高アスペクト比の孔の深くヘ金属イオンを加速する。 - 特許庁

Furthermore, the sensor substrate electrode 5 is configured by an elastic material, and the sensor substrate electrode 5 is biased towards the bump 4 by the elastic force and the sensor substrate electrode 5, and the bump 4 are connected surely.例文帳に追加

またセンサ基板電極５を弾性体によって構成したため、弾性力によってセンサ基板電極５がバンプ４側に付勢され、センサ基板電極５とバンプ４とが確実に接続される。 - 特許庁

To provide an integrated circuit test probe constituted of an elongated screw machining contact biased by a coil spring and attached to a through hole of a non-conductive substrate.例文帳に追加

コイルばねによってバイアスされ、不導性基板のスルーホールに取り付けられた伸長ねじ加工接点より構成されるテストプローブ。 - 特許庁

In an aspect, the apparatus for polishing the substrate has a pad assembly having a conductive pad biased by a power supply, a backing, and conductive layers.例文帳に追加

１つの特徴において、基板を研磨する装置は、電源によりバイアスされる導電性パッド、バッキング及び導電層を有するパッドアセンブリを備えている。 - 特許庁

In a specific embodiment, the substrate is biased at a power level of 0.0 w/cm2 (and thus is not biased at all) and in some embodiments, the plasma generating system applies a total source power to the plasma of about 20.7 watts per square centimeter or greater.例文帳に追加

特定の実施形態では、０．０Ｗ／ｃｍ^2の電力レベルで基板にバイアスを加え（したがってバイアスが全く加えられない）、一部の実施形態では、プラズマ生成システムは１平方センチメートル当たり約２０．７Ｗ以上の合計ソース電力をプラズマに加える。 - 特許庁

The semiconductor layers (22 to 30) include a ridge 31 formed on a region of the n-type GaN substrate 21 at the side biased from the center of the planar region A in a [0001] direction.例文帳に追加

また、半導体層（２２〜３０）は、ｎ型ＧａＮ基板２１の平面領域Ａの中央部より［０００１］方向側の領域上に形成されるリッジ部３１を含む。 - 特許庁

The spiral wiring 5 is arranged biased from the center of the substrate 2, and a non-arrangement region 9 of the spiral wiring 5 is formed on a side where the spiral wiring 5 is not arranged.例文帳に追加

スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which reduces variations in the thickness of a film formed on a semiconductor substrate by restraining the biased flow of process gas.例文帳に追加

プロセスガスが偏って流れることを抑え、半導体基板上に形成される膜の膜厚バラツキを低減することが可能な半導体製造装置を提供する。 - 特許庁