「substrate-biased」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The substrate is biased at a bias power density of 1.3 watts per square centimeter or less during deposition of the FSG layer.例文帳に追加

ＦＳＧ層の堆積中、基板には１平方センチメートル当たり１．３ワット以下のバイアス電力密度でバイアスをかける。 - 特許庁

The substrate is biased to a prescribed voltage, and further, is provided with an insulation film on a surface which comes into contact with the stem.例文帳に追加

基板は所定電位にバイアスされており、更にステムと接触する面に絶縁膜を有している。 - 特許庁

To provide an integrated circuit test probe constituted of an elongated screw machining contact biased by a coil spring and attached to a through hole of a non-conductive substrate.例文帳に追加

コイルばねによってバイアスされ、不導性基板のスルーホールに取り付けられた伸長ねじ加工接点より構成されるテストプローブ。 - 特許庁

In a specific embodiment, the substrate is biased at a power level of 0.0 w/cm2 (and thus is not biased at all) and in some embodiments, the plasma generating system applies a total source power to the plasma of about 20.7 watts per square centimeter or greater.例文帳に追加

特定の実施形態では、０．０Ｗ／ｃｍ^2の電力レベルで基板にバイアスを加え（したがってバイアスが全く加えられない）、一部の実施形態では、プラズマ生成システムは１平方センチメートル当たり約２０．７Ｗ以上の合計ソース電力をプラズマに加える。 - 特許庁

Furthermore, the sensor substrate electrode 5 is configured by an elastic material, and the sensor substrate electrode 5 is biased towards the bump 4 by the elastic force and the sensor substrate electrode 5, and the bump 4 are connected surely.例文帳に追加

またセンサ基板電極５を弾性体によって構成したため、弾性力によってセンサ基板電極５がバンプ４側に付勢され、センサ基板電極５とバンプ４とが確実に接続される。 - 特許庁

To coat the surface of a substrate uniformly and inexpensively with good reproducibility by a simple apparatus/mechanism irrespective of the biased wall thickness in the width direction and warpage of a substrate.例文帳に追加

基材の幅方向の偏肉や反りがある場合でも、簡便な設備・機構で、コスト負担も小さく、基材表面に均一に、再現性よく塗装する。 - 特許庁

When a large panel structure 150 is formed by sticking the large substrates 110 and 120, a second large substrate 120 is biased with respect to the first large substrate 110 so that the test terminal 111 is exposed on a probing area 121 formed on one end face of the second large substrate 120.例文帳に追加

そして、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせて大型パネル構造体１５０を形成するに際しては、第１の大型基板１１０に対して第２の大型基板１２０を偏倚させ、第２の大型基板１２０の一端面に形成したプロービング領域１２１からテスト端子１１１を露呈させる。 - 特許庁

This method comprises ionizing inclusion fullerene products to form plasma comprising an inclusion fullerene ion and an impurity ion, and selectively depositing the inclusion fullerene ion onto a substrate on which a biased voltage is impressed.例文帳に追加

内包フラーレンの生成物を電離して、内包フラーレンイオンと不純物イオンからなるプラズマを形成し、バイアス電圧を印加した基板上に選択的に内包フラーレンイオンを堆積させることにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which reduces variations in the thickness of a film formed on a semiconductor substrate by restraining the biased flow of process gas.例文帳に追加

プロセスガスが偏って流れることを抑え、半導体基板上に形成される膜の膜厚バラツキを低減することが可能な半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

When the first and second MOS transistors are turned on, in the third MOS transistor, the voltage of the substrate electrode is biased to one source electrode in the forward bias direction.例文帳に追加

第１および第２のＭＯＳトランジスタがオンすると、第３のＭＯＳトランジスタにおいて、順バイアス方向に一方のソース電極に対して基板電極の電圧はバイアスされる。 - 特許庁

Also, by a spring 31 interposed between a flange portion 4c of the main electrode 4 and the fastening ring 30, the heat compensation plates 2, 3 and the semiconductor substrate 1 are biased pressingly against the main electrode 5.例文帳に追加

また主電極４のフランジ部４ｃと固定リング３０との間に介挿されるバネ３１によって、熱補償板２、３と半導体基板１とが、主電極５へ押圧付勢される。 - 特許庁

The spiral wiring 5 is arranged biased from the center of the substrate 2, and a non-arrangement region 9 of the spiral wiring 5 is formed on a side where the spiral wiring 5 is not arranged.例文帳に追加

スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。 - 特許庁

By giving a prescribed potential to the surface of a substrate 9 to the space potential Vp of plasma P, it is biased, and, while ions in the plasma P are made incident, a thin film is formed.例文帳に追加

プラズマＰの空間電位Ｖｐに対して基板９の表面に所定の電位を与えることでバイアスしてプラズマＰ中のイオンを入射させながら薄膜が作成される。 - 特許庁

When a positive drain voltage is applied to a drain, a PN junction is reversely biased, and a depletion layer extends from the body region 15, the isolation region 13 and the semiconductor substrate 11, thereby controlling a channel of the JFET.例文帳に追加

ドレインに正のドレイン電圧が印加されると、ＰＮ接合が逆バイアスされ、ボディ領域１５と分離領域１３と半導体基板１１とから空乏層が延び、ＪＦＥＴのチャネルを制御する。 - 特許庁

The n-well area 31 is applied to the substrate 1 usable in the semiconductor device, the n^+ buried layer 11 is formed in a designated low voltage area 5 of a negatively biased p-type semiconductor.例文帳に追加

また、半導体デバイスを形成する基板１に適用し、負電圧にバイアスされたＰ型半導体の所定の低電圧領域５内にＮ^+埋め込み層１１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of low voltage n-well area 31 biased at different potentials and isolated from a substrate 1 by a common n^+ buried layer 11 and at least one high voltage n-well area 27.例文帳に追加

異なる電位上でバイアスされた複数の低電圧Ｎウェル領域３１を備え、共通のＮ^+埋め込み層１１および少なくとも一つの高電圧Ｎウェル領域２７により基板１と隔離する。 - 特許庁

For gap-filling applications, the substrate is biased with a bias power density between 4.8 and 11.2 W/cm2 and the ratio of flow rate for the oxygen-containing gas to the combined flow rate for all silicon-containing gases in the process chamber is between 1.0 and 1.8, preferably between 1.2 and 1.4.例文帳に追加

ギャップ充填応用については、基板に4.8〜11.2Ｗ/cm^2のバイアス電力密度のバイアスをかけ、酸素含有ガスの流量とプロセスチャンバ内の全ケイ素含有ガスの合計流量との比率が1.0〜1.8、好ましくは1.2〜1.4である。 - 特許庁

The semiconductor layers (22 to 30) include a ridge 31 formed on a region of the n-type GaN substrate 21 at the side biased from the center of the planar region A in a [0001] direction.例文帳に追加

また、半導体層（２２〜３０）は、ｎ型ＧａＮ基板２１の平面領域Ａの中央部より［０００１］方向側の領域上に形成されるリッジ部３１を含む。 - 特許庁

In an aspect, the apparatus for polishing the substrate has a pad assembly having a conductive pad biased by a power supply, a backing, and conductive layers.例文帳に追加

１つの特徴において、基板を研磨する装置は、電源によりバイアスされる導電性パッド、バッキング及び導電層を有するパッドアセンブリを備えている。 - 特許庁

Specifically, the substrate of the MOS transistor M2 for control is biased with the voltage of a junction between the MOS transistor M2 for control and a capacitor 1, in case that the MOS transistor M2 for control is of p-channel type.例文帳に追加

具体的には、制御用ＭＯＳトランジスタＭ２がＰチャネル型である場合には、制御用ＭＯＳトランジスタＭ２の基板を、該制御用ＭＯＳトランジスタＭ２とコンデンサ１との接続点の電圧でバイアスする。 - 特許庁

The layer which is deposited on a substrate by pyrolyzing a tantalum-containing organic metallic compound by a chemical vapor deposition method and contains much carbon is exposed to a plasma while the substrate is biased, by which the tantalum-carbon-base thin film of the low specific resistance useful as the barrier layer is obtained.例文帳に追加

化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上に堆積させた炭素を多く含む層を、基板にバイアスを印加しつつプラズマに暴露することにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタル−炭素系薄膜を得る。 - 特許庁

When the spherical semiconductor 11 is arranged in the recessed part 150 and micro vibration is added to the substrate 15, the prescribed part of the spherical semiconductor 11 turns downward and the terminal 111 of the spherical semiconductor 11 can be overlapped accurately with the terminal 151 of the substrate 15, since the centroid of the spherical semiconductor is biased.例文帳に追加

球状半導体１１は重心が偏っているので、凹部１５０内に球状半導体１１を配置して基板１５に微振動を加えると、球状半導体１１の所定箇所が下向きになって球状半導体１１の端子１１１と基板１５の端子１５１とを精度よく重ねることができる。 - 特許庁

In the oxygen sensor, a sensor substrate 3 (sensor element) having a rectangular cross section is inserted into a metallic fitting 7a via a ceramics holder 5, the sensor substrate 3 is fixed being biased into the ceramics holder 5, with the short side thereof 3 being in proximity to the ceramics holder 5.例文帳に追加

断面長方形状のセンサ基板（センサ素子）３がセラミックスホルダー５を介して金属製金具７ａ内に挿入されている酸素センサにおいて、センサ基板３の短辺側の一方をセラミックスホルダー５に近接させるように、センサ基板３をセラミックスホルダー５内に偏らせて固定する。 - 特許庁

When a window material 3 is irradiated with radiation in a state in which a CdTe substrate 2s is biased, radiation is made to emit on the semiconductor substrate 2s through the window material 3, and a radiation detection current flows between terminals 7c and 7b.例文帳に追加

ＣｄＴｅ基板２ｓにバイアスが与えられた状態で、窓材３に放射線が照射されると、放射線は窓材３を介して半導体基板２ｓに入射し、放射線検出電流として端子７ｃと端子７ｂとの間を流れる。 - 特許庁

A conductive well different from a substrate is formed to a region under the element of a semiconductor substrate front surface, and a constant voltage which biases the bonding between the well and the substrate to a reverse direction is applied in the frequency of a signal applied to the element through a resistor having a higher impedance than the impedance of the capacitance of the bonding between the reverse biased well and the substrate.例文帳に追加

半導体基板表面の、素子の下方の領域に、基板と異なる導電型のウエルを形成し、ウエルと基板との間の接合を逆方向にバイアスする一定の電圧を、素子に印加される信号の周波数において、逆バイアスされたウエルと基板との間の接合の容量のインピーダンスに比較して高いインピーダンスを有する抵抗を介して、印加する。 - 特許庁

In the flash EEPROM formed as above, when electrons are emitted from the floating gate electrode of the flash EEPROM of floating gate transistor structure toward the semiconductor substrate, the flash EEPROM turns to a depletion type, and when the EEPROM is a reading operation, it is back biased.例文帳に追加

このようなフラッシュＥＥＰＲＯＭにおいて、浮遊ゲート型トランジスタ構造であるフラッシュＥＥＰＲＯＭの浮遊ゲート電極から電子を半導体基板側に放出する動作ではフラッシュＥＥＰＲＯＭがディプレッション型になるようにし、その読み出し動作ではバックバイアスをかける。 - 特許庁

Polarization (Pr)-electric field (E) hysteresis characteristics of the piezoelectric body (30) are biased with respect to an electric field, and by application of a voltage in an opposite direction to the drive voltage to the pair of electrodes (33, 26), the movable part is displaced in a direction away from the base substrate (10).例文帳に追加

圧電体(30)の分極（Ｐｒ）−電界（Ｅ）ヒステリシス特性は電界に対して偏っており、電極対（33,26）に前記駆動電圧とは逆方向の電圧が印加されることにより、可動部がベース基板(10)から離れる方向に変位する。 - 特許庁

In the jig 10 for measuring the optical element, while three spherical parts 30 are, by outer shape reference detection means 40, biased and abutted onto an outer edge part PA of the optical element OE on a substrate 20, the outer shape reference of the optical element OE can be precisely measured.例文帳に追加

光学素子測定用治具１０において、外形基準検知手段４０が３つの球面部３０を基板２０上の光学素子ＯＥの外縁部ＰＡに付勢しつつ当接させるので、光学素子ＯＥの外形基準を精度よく測定できる。 - 特許庁

To provide a highly reliable FPD (flat panel display) full compression bonding apparatus, capable of absolutely thermocompression bonding when bonding to a substrate without a tilted compression bonding blade and the occurrence of scraping to an upper and a lower guide, even though the compression bonding blade is disposed asymmetric in biased arrangement.例文帳に追加

圧着刃の配置が左右に均等に配置されていない偏配置の状態でも、基板への圧着時に、圧着刃が傾いたり、上下ガイドにかじりが発生したりすることなく、確実に熱圧着できる信頼性の高いＦＰＤ用の本圧着装置を提供する。 - 特許庁

In this optical element measuring tool 10, since three spherical parts 30 are biased onto a fringe part PA of the optical element OE on a substrate 20 and allowed to abut thereon by an outer shape reference detection means 40, the outer shape reference of the optical element OE can be measured accurately.例文帳に追加

光学素子測定用治具１０において、外形基準検知手段４０が３つの球面部３０を基板２０上の光学素子ＯＥの外縁部ＰＡに付勢しつつ当接させるので、光学素子ＯＥの外形基準を精度よく測定できる。 - 特許庁

A biased magnetic field Hb1 along the magnetization direction J13A of the free layer, when the current magnetic field HmA is zero is applied to the MR element 51A by the magnetic substrate, thereby enhancing the unidirectional anisotropy of the free layer, without using shape anisotropy.例文帳に追加

ここでは、磁性基板によって電流磁界ＨｍＡが零のときの自由層の磁化方向Ｊ１３Ａに沿ったバイアス磁界Ｈｂ１をＭＲ素子５１Ａに対して印加するようにしたので、形状異方性を利用しなくとも自由層の一軸異方性を強めることができる。 - 特許庁

In a sensor group formed on a semiconductor substrate having first polarity, at least two vertically laminated sensors each include different spectral sensitivity, can be biased to function as a photo diode, include a carrier collection layer of a semiconducting material having second polarity, and are formed so as to collect a photoexcited carrier having the second polarity when biased to function as the photo diode.例文帳に追加

第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 - 特許庁

An arithmetic circuit 47 adds or subtracts a plurality of images taken by the CCD 42 biased with different substrate bias voltages stored in image memories A46a, B46b at a preset ratio, based on the substrate bias voltage to obtain images having spectral sensitivity characteristics with the near-IR regions cut.例文帳に追加

演算回路４７は、画像メモリＡ４６ａ及び画像メモリＢ４６ｂに各々格納されている、異なる基板バイアス電圧を印加したＣＣＤ４２によって撮像された複数の画像を、当該基板バイアス電圧に基づいて設定される比率で加算若しくは減算して近赤外領域をカットした分光感度特性の画像を得る。 - 特許庁

A biased device 100 includes: a conductive substrate 110, and a rubber material 120 disposed over the conductive substrate 110, wherein the rubber material 120 includes a plurality of nanotubes distributed throughout a rubber matrix in an amount to provide the rubber material 120 with a mechanical conformability and an electrical resistivity of about 10^5 to about 10^10 (Ωcm).例文帳に追加

バイアス化デバイス１００は、導電性基材１１０と、導電性基材１１０上に配置したゴム材料１２０と、を含み、ゴム材料１２０は、ゴムマトリックス中に分散させた多数のナノチューブを含み、前記ナノチューブの量は、ゴム材料１２０が、機械的適合性（mechanical conformability）と、約１０^５〜約１０^１０オーム・ｃｍの電気抵抗とを持つような量である。 - 特許庁

An opening of a regulation part for regulating a vapor deposition region is biased toward an exit side of substrate carrying part to increase an oblique incident component of evaporated material incident on a substrate at the closing period of a thin film-forming process, by the above, crystallinity of the MgO thin film and electron emitting property is improved, and gas discharge responsiveness of a plasma display panel is heightened.例文帳に追加

蒸着領域を規制する規制部の開口を基板搬送の出口側に偏在させて、薄膜形成過程の終期において蒸発材料の基板への斜め入射成分を多くすることにより、保護膜としてＭｇＯ薄膜の結晶性を高めて電子放出性能を向上させ、プラズマディスプレイパネルのガス放電応答性を高める。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit incorporating a power supply circuit (230) and arranged such that a negative voltage (VCOML) generated from the power supply circuit is applied, as a bias voltage, to a substrate or a well region is provided with a switch (270) for applying the ground potential temporarily to the substrate or the well region being biased with the negative voltage at the time of starting the power supply circuit.例文帳に追加

電源回路（２３０）で発生された負電圧（ＶCOML）がバイアス電圧として基板もしくはウェル領域に印加されるようにされた電源回路内蔵の半導体集積回路において、電源回路の起動時に上記負電圧でバイアスされる基板もしくはウェル領域を一時的に接地電位を印加するスイッチ（２７０）を設けるようにした。 - 特許庁

An island type first well of a second conductivity type where a protective element for by-passing static electricity is to be formed, and a second well of a second conductivity type where circuit elements are to be formed and biased at a prescribed potential are formed separately on a first conductivity type semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に、静電気をバイパスする保護素子が形成されるべき第２導電型の島状の第１のウェルと、回路素子が形成されるべきウェルであって所定の電位にバイアスされた第２導電型の第２のウェルとを分離して形成し、前記第１のウェルと前記第２のウェルとを抵抗を介して接続する。 - 特許庁

To provide a compact and simple structured triaxial magnetic sensor, or a triaxial magnetic sensor juxtaposing at least one hall element and a plurality of magnetoresistive elements, particularly a huge magnetoresistive element (GMR element) on the same substrate, where the hall element is placed at a remote position from the GMR element, not influenced by the magnetic field of biased magnet of the GMR element, as well as a manufacturing method thereof.例文帳に追加

同一基板上に少なくとも１個のホール素子と複数個の磁気抵抗素子、特に巨大磁気抵抗素子(ＧＭＲ素子)を併設した３軸磁気センサであり、ホール素子を、ＧＭＲ素子のバイアス磁石の磁界の影響を受けない、ＧＭＲ素子から離間した位置に設けた、小型で簡便な構造の３軸磁気センサとその製法を提供する。 - 特許庁

A stator core 4 making up a hub dynamo 3 is biased to one side of an axle 1 to form a space S on the other side, in which a casing 12 having a built-in substrate 11 forming a lighting control circuit is placed for rotation relative to a right end bracket 8 of the hub dynamo 3 and for integral motion with the axle 1 that passes through and supports it.例文帳に追加

ハブダイナモ３を構成するステータコア４を車軸１の一側方に偏倚させて設け、ハブダイナモ３の一側部にスペースＳを形成し、該スペースＳに、点灯制御回路１０を構成する基板１１を内装したケーシング１２を、ハブダイナモ３の右側エンドブラケット８に対しては相対回動自在であるが、車軸１に対しては一体的に貫通支持される状態で設ける。 - 特許庁

Thus, with the first conductive layer 15 and the second conductive layer 16, covering at least one of the bottom or top of the resistance element layer 13 having its both ends biased, the change in resistance caused by voltage difference relative to objects, such as a portion of the semiconductor substrate 14 surrounding the resistance element layer 13, is canceled, thereby reducing the change in resistance.例文帳に追加

このように、両端をバイアスされた抵抗素子層１３の下部又は上部の少なくとも一方を覆う第１の導電層１５及び第２の導電層１６によって、抵抗素子層１３の周辺の半導体基板１４等との電圧差による抵抗値の変化を相殺することで、抵抗値の変化を抑える。 - 特許庁

The silicon nitride film formed on a substrate 19 by plasma processing and used in a semiconductor element is constituted by laminating a biased silicon nitride film 31 which is formed by applying a bias to the substrate 19, and an unbiased silicon nitride film 32 which is formed by not applying a bias to the substrate 19 when the silicon nitride film comes in contact with a film 41 who wants to avoid hydrogen supply.例文帳に追加

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 - 特許庁