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substrate bias effectとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 基板バイアス効果
「substrate bias effect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
Thus, a substrate bias effect is increased, and a substrate bias constant can be increased while a threshold voltage is kept suppressed.例文帳に追加
これによって基板バイアス効果が増大し、しきい値電圧を低下させたまま基板バイアス定数を増大させることができる。 - 特許庁
The varied DC bias thereby varies the effect of plasma on one portion of the substrate 22 relative to the effect of plasma on another portion of the substrate.例文帳に追加
それにより、変えられたＤＣバイアスが、基板２２の一部分に対するプラズマの効果を、基板の別の部分に対するプラズマの効果に関して変える。 - 特許庁
The substrate bias effect raises the threshold and lessens the leakage current in a sense amplifier data holding state.例文帳に追加
さらに、基板バイアス効果により、しきい値が上昇し、センスアンプデータ保持状態でのリーク電流を低減する。 - 特許庁
In a buffer layer provided between a substrate having an electrooptical effect and the bias electrode, the buffer layer is not provided and the bias electrode is formed directly on the surface of the substrate in a region where no optical waveguide is present on the substrate under the bias electrode.例文帳に追加
電気光学効果を有する基板とバイアス電極との間に設けるバッファ層において、バイアス電極の下の基板に光導波路が存在しない領域においてはバッファ層を設けずバイアス電極を基板の表面上に直接形成する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging apparatus stabilizing substrate bias, and sufficiently exhibiting even an effect of an electronic shutter.例文帳に追加
基板バイアスの安定化を図ると共に、電子シャッタの効果をも充分に発揮することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
The magnetoresistance effect element comprises a bias substrate layer 33, a hard bias layer 34 and an electrode layer 36 laminated on the antiferromagnetic layer 26 of both side regions of a multilayer film 31 via an amorphous insulating layer 32.例文帳に追加
多層膜３１の両側領域の反強磁性層２６上に、アモルファス絶縁層３２を介してバイアス下地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６を積層する。 - 特許庁
To provide a boosting circuit for a P-type semiconductor substrate which is manufactured by a low-cost semiconductor manufacturing process, is subjected to less substrate bias effect, and has high boosting efficiency.例文帳に追加
Ｐ型半導体基板において、低コストの半導体製造プロセスを用いて、基板バイアス効果の影響が少なく、昇圧効率の良い昇圧回路を提供する。 - 特許庁
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「substrate bias effect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
To provide a field-effect transistor having a structure that realizes sure and secure low-temperature operation without applying a substrate bias voltage.例文帳に追加
基板バイアス電圧を印加することなく、正確且つ確実な低温動作を実現する構成を有する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a solid state image pickup device and a camera system employing it, in which bias fluctuation suppressing effect can be enhanced for substrate current by increasing the current amplification factor hFE of the final stage emitter follower in a substrate bias circuit.例文帳に追加
基板バイアス回路をＣＣＤ撮像装置と同一基板上に搭載する場合に構造上制約があり、最終段のエミッタフォロワ部をラテラル型ｎｐｎトランジスタのみで構成したのでは、高い電流増幅率ｈ_FEを得ることができない。 - 特許庁
To reduce a read time, while preventing the occurrence of noise caused by the parasitic load or the substrate bias effect of a signal read line, in an image capturing apparatus.例文帳に追加
撮像装置において、信号読出線の寄生負荷や基板バイアス効果に起因したノイズの発生を防止しつつ、読出時間を短縮できるようにする。 - 特許庁
When the signal IN or XIN rises up, the threshold voltages of the signal inputting n-type transistors 1, 2 drop due to the substrate bias effect.例文帳に追加
信号ＩＮ又はＸＩＮの立上り変化時には、信号入力用のＮ型トランジスタ１、２の各閾値電圧が基板バイアス効果により下がる。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor which is almost kept free from noises by a method wherein amplifying transistors which serve as pixels are restrained from varying in threshold value due to a substrate bias effect.例文帳に追加
画素を構成するアンプ用トランジスタの基板バイアス効果によるしきい値の変動を抑え、雑音の少ないＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁
To provide a technology of eliminating a substrate bias effect of transistors and decreasing an ON-resistance when a voltage signal output circuit selects a medium voltage and outputting the selected voltage.例文帳に追加
電圧信号出力回路が中間電圧を選択して出力するときトランジスタの基板バイアス効果を無くしオン抵抗を低減する。 - 特許庁
Besides, the potential of the data read terminal is made higher than a grounded substrate potential, the threshold value of the memory cell MS1 is increased by generating a substrate bias effect, and power consumption is reduced by decreasing the cell current.例文帳に追加
また、接地された基板電位よりデータ読み出し端子の方が高くなり、基板バイアス効果が生じてメモリセルＭＳ１の閾値が上昇し、セル電流が減少して消費電力が低減される。 - 特許庁
An oscillation circuit 10 is provided with a control circuit 200 for controlling the source potential of an MOSFET 18 comprising a signal inverting amplifier 14 while utilizing a substrate bias effect.例文帳に追加
発振回路１０は、信号反転増幅器１４を構成するＭＯＳＦＥＴ１８のソース電位を、基板バイアス効果を利用して制御する制御回路２００を含む。 - 特許庁
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基板バイアス効果
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