three-layer diodeとは 意味・読み方・使い方

In the semiconductor laser diode, a current path from a p-type cap layer to a p-type clad layer has a stripe ridge comprising a semiconductor layer of at least three layers each having a different band gap wherein the width at the top of the p-type clad layer is 2.5 μm or less and the differential resistance of an element is 8 Ω or less at the working current.例文帳に追加

ｐ型キャップ層からｐ型クラッド層にかけての電流通路が、バンドギャップが異なる少なくとも３層の半導体層で構成されているストライプ状のリッジを有し、ｐ型クラッド層の頂上の幅が２.５μｍ以下であり、動作電流における素子の微分抵抗値が８Ω以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 特許庁

On the side of a laser diode 30 having a small film thickness, the area of the crystal growth region of the current blocking layer 50 is reduced by three dielectric films 40B, 40C, 40D, and the amount of the migration is increased.例文帳に追加

一方、膜厚の小さいレーザダイオード３０側では、３つの誘電体膜４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄで電流ブロック層５０の結晶成長領域の面積を小さくし、マイグレーションの量を大きくする。 - 特許庁

One P-type high-concentration diffusion layer 23 and three or more (for example, four) N-type high-concentration diffusion layers 24-1 to 24-4, joined thereto, which constitute a ZAP diode are formed in a region enclosed with a field oxide film 22.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２による包囲内に、ザップダイオードを構成している１つのＰ型高濃度拡散層２３とこれに接合された３つ以上（例えば、４つ）のＮ型高濃度拡散層２４−１〜２４−４とが形成されている。 - 特許庁

In this light emitting diode element including first and second electrodes arranged to interpose a light emitting portion including a luminescent layer, the first electrode includes three pads for wire bonding which make a light emission amount from the luminescent layer adjustable, and the area of a light emitting surface is ≥0.64 mm^2.例文帳に追加

本発明は、発光層を含む発光部を挟むように配置された第１及び第２の電極を備える発光ダイオード素子であって、第１の電極は、発光層からの発光量を調整可能とする、３個のワイヤーボンディング用パッドを備えてなり、発光面の面積が０．６４ｍｍ^２以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

To provide a vertical CCD in a photo diode all pixel general reading system wherein the questions that the photo resist exposure margin is small, wirings break at stepped parts, etc., are solved by realizing a three-phase driven charge coupled device with a two layer electrode structure.例文帳に追加

２層電極構造で、３相駆動の電荷転送装置を実現することにより、フォトレジスト露光マージンが小さくなったり、段差で配線の断線が生じたりする等の問題を解消したフォトダイオード全画素一括読み出し方式の垂直ＣＣＤを提供する。 - 特許庁