transistor parametersとは 意味・読み方・使い方

To achieve modeling by providing an efficient extraction procedure for circuit model parameters of a multi-stage series-connection field-effect transistor with respect to a fitting method for circuit model parameters of a series-connection field-effect transistor.例文帳に追加

直列接続電界効果型トランジスタの回路モデルパラメータのフィッティング方法に関し、多段直列接続電界効果型トランジスタの回路モデルパラメータの効率的な抽出手順を提供し、モデル化を実施可能にする。 - 特許庁

Parameters of the method of repairing the thin film transistor array are accurately controlled so as to effectively improve an yield of the thin film transistor array.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイの修復方法のパラメータは、正確に制御され、薄膜トランジスタアレイの歩留まりを効果的に改善することができる。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when a pass transistor is different from a drive transistor in their gate length and gate width, manufacture of a semiconductor memory device becomes complex because the number of parameters to be managed during the manufacture is increased.例文帳に追加

通過トランジスタと駆動トランジスタとでゲート長およびゲート幅が相異なると、製造時において管理すべきパラメータの数が多くなるため、半導体記憶装置の製造が煩雑になってしまう。 - 特許庁

For example, parameters for a PMOS transistor and an NMOS transistor configuring an inverter are designed so that their efficiencies are optimized to any frequency band.例文帳に追加

例えば、インバータを構成するPMOSトランジスタやNMOSトランジスタのパラメータは、いずれかの周波数帯域に対して効率が最適になるように設計される。 - 特許庁

The ranges of usefulness 2 and 4 are organized in such a manner as to automatically change the transistor size by setting the amount of change in a manufactured transistor size against a designed value to the parameters for correction 1.例文帳に追加

そして、有効範囲は、補正用パラメータ１に設計値に対する出来上がったトランジスタサイズの変化量を設定することにより、自動的にトランジスタサイズが可変されるように構成されている。 - 特許庁

One of the plurality of parameters shows a rate to a current flowing into a certain reference transistor, and the parameter is obtained by reflecting a Kirchhoff's current rule based on circuit topology between the parameter and the reference transistor.例文帳に追加

複数のパラメータ中の一つは、ある基準トランジスタに流れる電流との比を表し、このパラメータは、基準トランジスタとの間の回路トポロジーに基づいてキルヒホッフの電流則を反映したものとなっている。 - 特許庁

To provide a method of extracting the parameters of a field effect transistor which can accurately extract an effective channel length and the threshold voltage of the field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの実効チャネル長およびしきい値電圧を正確に抽出することができる電界効果トランジスタのパラメータ抽出方法を提供する。 - 特許庁

A system for modeling an integrated circuit including at least one insulated gate field-effect transistor comprises a generator means (MLB) for defining parameter representating of mechanical stresses applied to the active area of the transistor, and a processing means (MT) for determining at least several electric parameters (P) of the transistor while taking account of the stress parameters.例文帳に追加

少なくとも１つの絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む集積回路をモデル化するシステムにおいて本システムは、トランジスタの動作領域に加えられる機械的応力を表すパラメータを定義する生成手段（MLB）と、応力パラメータを考慮してトランジスタの少なくともいくつかの電気パラメータ（P）を決定する処理手段（MT）とを含む。 - 特許庁