in vacuoとは 意味・読み方・使い方

In this method, a single crystal silicon carbide is heated in the temperature range of not lower than about 1,200°C but not higher than 2,300°C in vacuo to improve the surface of a single crystal silicon carbide.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素基板の表面を改良するため、真空下で、約1200℃以上2300℃以下の温度で単結晶炭化ケイ素基板を加熱する。 - 特許庁

In the manufacture method of the phosphate of an organic hydroxy compound, water is added to the phosphate of the organic hydroxy compound, and water is distilled in vacuo.例文帳に追加

有機ヒドロキシ化合物のリン酸エステルに水を加え、減圧下で水を留出させる、有機ヒドロキシ化合物のリン酸エステルの製造法。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR CARRYING OUT PEST CONTROL FOR PRODUCT BY USING GAS UNDER ATMOSPHERIC PRESSURE AFTER PRETREATMENT IN VACUO例文帳に追加

真空中での予備処理により大気圧下での気体の使用により製品の害虫駆除を実施するための方法およびシステム - 特許庁

To provide a manufacturing method of a fluoride single crystal little in the reduction of transmittance when an ultraviolet light is irradiated in vacuo by the reduction of the density of structural faults, and requiring no precision control in the stage of crystal growth.例文帳に追加

構造欠陥密度が低減され、真空紫外光照射時の透過率低下が少ないフッ化物単結晶の製造方法であって、結晶成長段階での精密制御を必要としない製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

A substrate 100 is set inside a vessel of a thermal CVD system, heated in vacuo by a heater and retained for a prescribed period of time so that catalyst particulates 5 are evenly dispersed on the conductive substrate 1 at a high density.例文帳に追加

基板１００を熱ＣＶＤ装置の容器内にセットし、真空中でヒータにより加熱し、所定時間保持することにより導電性基板１上に触媒微粒子５を高密度で均一に分散するように形成する。 - 特許庁

The substrate is subsequently annealed typically in vacuo at a temperature dependent on the particular patterning material, such as a carbide-forming temperature, a carbon-dissolution temperature or a low melting point metal-melting temperature.例文帳に追加

次に、基板は典型的な場合真空中で、具体的なパターン形成材料に依存した温度、たとえばカーバイド形成が起こる温度、カーボン分解が起こる温度又は低融点金属が溶融する温度で、アニールされる。 - 特許庁

The method for producing the polycrystalline ZnS sintered body as described above comprises sintering a raw material powder having an average particle size of 0.1-5 μm in vacuo at a temperature of 500-850°C.例文帳に追加

また、本発明の多結晶ＺｎＳ焼結体の製造方法は、上記焼結体の製造方法であって、原料粉末の平均粒径が０．１μｍ〜５μｍであり、温度５００℃〜８５０℃において真空中で焼結することを特徴とする。 - 特許庁