| 例文 (794件) |
"かまくさ"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 794件
この側壁スペーサは、第１の酸化膜３７と窒化膜３８と第２の酸化膜３９とを含む。例文帳に追加
The side wall spacer includes a first oxide film 37, a nitride film 38, and a second oxide film 39. - 特許庁
その後、シリコン窒化膜３１をマスクとして選択酸化を行ってシリコン酸化膜３３を形成し、シリコン窒化膜３１、シリコン酸化膜３０を除去した後、さらに全面にシリコン酸化膜３４を形成する。例文帳に追加
The silicon nitride film 31 is used as a mask for selective oxidation to form a silicon oxide film 33, and after the silicon nitride film 31 and silicon oxide film 30 are removed, a silicon oxide film 34 is formed over the entire surface. - 特許庁
次に、Ａｌ配線３０の周囲にシリコン酸化膜３２及びシリコン窒化膜３３を形成する。例文帳に追加
Next, a silicon oxide film 32 and a silicon nitride film 33 are formed around the Al wiring 30. - 特許庁
シリコン窒化膜３の側面３ｓを変質させてシリコン酸化膜３ｂを形成する。例文帳に追加
The side 3s of the silicon nitride film is deteriorated for forming a silicon oxide film 3b. - 特許庁
耐酸化膜３３によってＬＯＣＯＳ酸化膜３４を形成し、これを除去する。例文帳に追加
A LOCOS oxide film is formed of an oxidation resistant film, and is eliminated. - 特許庁
第２酸化膜３７および窒化膜３３の、基板表面上の部分を除去する。例文帳に追加
The second oxide film 37 and nitride film 33 on the surface of the substrate is removed. - 特許庁
窒化膜３３および第２酸化膜３７を堆積し、素子分離用トレンチ３１を埋める。例文帳に追加
A nitride film 33 and a second oxide film 37 are deposited to bury the trench 31 for separating devices. - 特許庁
酸素透過膜、酸素透過シート、およびこれらを含む電池例文帳に追加
OXYGEN-PERMEABLE MEMBRANE, OXYGEN-PERMEABLE SHEET AND BATTERY COMPRISING THE SAME - 特許庁
酸素富化膜、酸素富化装置及び酸素富化方法例文帳に追加
OXYGEN-ENRICHING MEMBRANE, OXYGEN-ENRICHING DEVICE, AND OXYGEN-ENRICHING METHOD - 特許庁
下層配線層３０の上に、第１シリコン窒化膜３２、第１シリコン酸化膜３４、第２シリコン窒化膜３６および第２シリコン酸化膜３８を順次形成する（ステップ１〜５）。例文帳に追加
On a lower-layer wiring layer 30 a first silicon nitride film 32, a first silicon oxide film 34, a second silicon nitride film 36, and a second silicon oxide film 38 are formed in order (steps 1-5). - 特許庁
トレンチゲート２は、ゲート酸化膜３で覆われている。例文帳に追加
The trench gate 2 is covered with a gate oxide film 3. - 特許庁
酸化膜、酸化膜形成方法、半導体素子例文帳に追加
OXIDE FILM, FORMING METHOD OF THE OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
次に、酸化膜３のうちの下面酸化膜３ＤにＢ（ボロン）をドープして内部応力を調整し、下面酸化膜３Ｄをボロンドープ酸化膜３Ｄ´に変える。例文帳に追加
Next, the bottom oxide film 3D of the oxide film 3 is doped with B(boron) to adjust the internal stress, whereby the bottom oxide film 3D is changed into a boron-doped oxide film 3D'. - 特許庁
シリコン基板１の上にシリコン酸化膜３５、ポリシリコン膜３６、およびシリコン窒化膜３２を形成する。例文帳に追加
A silicon oxide film 35, a polysilicon film 36, and a silicon nitride film 32 are formed on a silicon substrate 1. - 特許庁
この溝の形成後、ストッパ膜であるシリコン窒化膜３をエッチングし、シリコン窒化膜３の開口部を溝よりも広くする。例文帳に追加
After this groove is formed, the silicon nitride film 3 of a stopper film is etched, and the opening part of the silicon nitride film 3 is widened rather than the groove. - 特許庁
シリコンウエハー２上に酸化膜３を形成した後、ポリシリコン層４ａ、シリコン窒化膜５ａを形成し、酸化膜３を熱酸化させる。例文帳に追加
After an oxide film 3 has been formed on a silicon wafer 2, a polysilicon layer 4a and a silicon nitride film 5a are formed and the oxide film 3 is thermally oxidized. - 特許庁
本発明は、スイッチングトランジスタ３２におけるゲート酸化膜３８のゲート電極側面を窒化酸化膜３９により形成する。例文帳に追加
The invention enables the gate electrode side of a gate oxidized film 38 at the switching transistor 32 to be formed with a nitriding-oxidized film 39. - 特許庁
これにより、ＮＭＯＳ領域におけるシリコン窒化膜３０には紫外線が照射されて、当該シリコン窒化膜３０の引張応力が増加する。例文帳に追加
Thus, the silicon nitride film 30 in the NMOS region is irradiated with ultraviolet rays, and the tensile stress of the silicon nitride film 30 is increased. - 特許庁
酸化膜３越しにエネルギービームを照射することで、半導体薄膜５酸化膜３との間に平坦な界面を形成することができる。例文帳に追加
The energy beam is applied across the oxide film 3, thus forming the flat interface between the semiconductor thin film 3 and oxide film 3. - 特許庁
ＣＭＰによりシリコン窒化膜３上の埋め込み酸化膜６およびシリコン窒化膜３の表面部を除去する。例文帳に追加
The buried oxide film 6 on the silicon nitride film 3 and the surface of the silicon nitride film 3 are removed by CMP. - 特許庁
窒化膜３１をマスクとし、ウェハ表面１ａから窒化膜３２の下方に向かって斜めに伸びる第３の溝３０を形成する。例文帳に追加
With the nitride film 31 as a mask, a third groove 30, which extends obliquely downward of the nitride film 32 from the surface 1a of the wafer, is formed. - 特許庁
シリコン酸化膜５に接するシリコン酸化膜３ｂを残存させた状態でシリコン窒化膜３を除去する。例文帳に追加
While the silicon oxide film 3b is maintained in contact with the silicon oxide film 5, the silicon nitride film 3 is removed. - 特許庁
シリコン窒化膜３０上に抵抗素子２２の形成領域を囲むように酸化膜サイドウォール３２が形成されている。例文帳に追加
On the silicon nitride film 30, an oxidized film side wall 32 is formed around the formation area of the resistor element 22. - 特許庁
次いで、レジストパターン３２をマスクとしてシリコン窒化膜３１、シリコン酸化膜３０をエッチングし、レジストパターン３２を除去する。例文帳に追加
Then, with the resist pattern 32 as a mask, the silicon nitride film 31 and silicon oxide film 30 are etched to remove the resist pattern 32. - 特許庁
次に、金属酸化膜サイドウォール６をマスクとして、金属酸化膜サイドウォール６の外側に導電層８が形成される。例文帳に追加
Subsequently, a conductive layer 8 is formed outside the metal oxide film sidewall 6 using the metal oxide film sidewall 6 as a mask. - 特許庁
埋め込み酸化膜５０で溝４１、４２を埋め、窒化膜３０をストッパーとして用いて埋め込み酸化膜５０を研磨し、窒化膜３０を除去する。例文帳に追加
The grooves 41 and 42 are filled with the buried oxide film 50, and polished using the nitride film 30 as a stopper, and the nitride film 30 is removed. - 特許庁
絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。例文帳に追加
The insulating film 32 functions as a protective film to the Ge oxide film 33 to prevent degradation of the formed Ge oxide film 33. - 特許庁
このようにすると、シリコン酸化膜３ａの下には自然酸化膜がほとんど存在しない為、シリコン酸化膜３ａの膜質が向上する。例文帳に追加
Since the native oxide layer hardly exist under the silicon oxide film 3a, film quality of the silicon oxide film 3a is enhanced. - 特許庁
第１酸化膜３７を平坦化エッチングし第１酸化膜３７及び第１低誘電率絶縁膜３５をエッチバックする。例文帳に追加
The first oxide film 37 is planarized and etched, and the first oxide film 37 and the first low dielectric constant insulating film 35 are etched back. - 特許庁
給電配線９０は保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に埋設されているとともに、平坦化膜３３の表面から凸設されている。例文帳に追加
The feed wiring 90 is embedded in the protective insulating film 32 and the planarizing film 33 and is provided projectingly from the surface of the flat film 33. - 特許庁
金属酸化膜、酸素センサ、酸素透過膜及び固体酸化物燃料電池例文帳に追加
METAL OXIDE FILM, OXYGEN SENSOR, OXYGEN PERMEABLE FILM AND SOLID OXIDE FUEL CELL - 特許庁
シリコン基板１上に第１のシリコン窒化膜３を形成する。例文帳に追加
A first silicon nitride film 3 is formed on a silicon substrate 1. - 特許庁
次に、平坦化膜３上に複数の画素電極２１を形成する。例文帳に追加
Next, a plurality of pixel electrodes 21 are formed on the flattened film 3. - 特許庁
窒化膜サイドウォール付きゲートを有する半導体装置の製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GATE WITH NITRIDE FILM SIDEWALLS - 特許庁
以後、シリコン窒化膜３２およびポリシリコン膜３４を順次除去する。例文帳に追加
Finally, the silicon nitride film 32 and a polysilicon film 34 are removed sequentially. - 特許庁
そのＩＯ線１１を埋めるようにシリコン酸化膜３が形成されている。例文帳に追加
A silicon oxidation film 3 is formed so as to bury the IO line. - 特許庁
トンネル酸化膜３は、中間部４と、両端部５とを含む。例文帳に追加
The tunnel oxide film 3 includes an intermediate portion 4 and both ends 5. - 特許庁
次に、シリコン酸化膜３０上にシリコン窒化膜５０を形成する。例文帳に追加
A silicon nitride film 50 is formed on the silicon oxide film 30. - 特許庁
ポリシリコンプラグ４を覆うようにシリコン酸化膜３を形成する。例文帳に追加
A silicon oxide film 3 is formed so as to cover a polysilicon plug 4. - 特許庁
溝部４およびシリコン窒化膜３に埋め込み酸化膜６を形成する。例文帳に追加
A buried oxide film 6 is formed to the groove 4 and the silicon nitride film 3. - 特許庁
陽極酸化膜３４は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。例文帳に追加
An anode oxidation film 34 is covered with a silicon dioxide film 26. - 特許庁
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