「"ギャップ半導体"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ワイドギャップ半導体基板およびワイドギャップ半導体装置の製造方法例文帳に追加

WIDE GAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング例文帳に追加

PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体デバイス用ゲート駆動部例文帳に追加

GATE DRIVE FOR WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法例文帳に追加

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ワイドギャップ半導体用電極金属膜の作製方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF ELECTRODE METAL FILM FOR WIDE-GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法例文帳に追加

VACUUM LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法。例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure. - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法例文帳に追加

LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体は、ｎ型３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮである。例文帳に追加

The wide-band gap semiconductor is formed of n-type 3C-SiC or GaN. - 特許庁

不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗例文帳に追加

EXTRAORDINARY MAGNETORESISTANCE AT ROOM TEMPERATURE IN INHOMOGENEOUS NARROW-GAP SEMICONDUCTORS - 特許庁

高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置例文帳に追加

HIGH-BREAKDOWN WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE OF AND POWER DEVICE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE HAVING LAMINATED WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a wide-gap semiconductor device of high dielectric strength, by improving insulating properties of a wide-gap semiconductor element in the wide-gap semiconductor device, such as SiC, which is used at a high temperature of ≥ 150°C. - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの電極構造において鉛フリー半田を用いた半田付けを行った場合の接合状態を良好なものとできる、ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法、および鉛フリー半田付けによるワイドギャップ半導体チップを提供する。例文帳に追加

To provide a lead-free soldering method of a wide-gap semiconductor chip, which can achieve a satisfactory junction state in soldering using lead-free solder in the electrode structure of the wide-gap semiconductor chip, and to provide the wide-gap semiconductor chip by the lead-free soldering. - 特許庁

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。例文帳に追加

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE USING WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

モータ制御装置（10）は、スイッチ素子（14）がワイドバンドギャップ半導体素子である。例文帳に追加

In the motor controller (10), the switch element (14) is a wide band gap semiconductor element. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体としては、ＳｉＣ、ＧａＮ、またはダイヤモンドを用いることができる。例文帳に追加

As the wide band gap semiconductor, SiC, GaN or diamond can be used. - 特許庁

金属膜７上に、ｎ型ワイドギャップ半導体層を含むダイオード素子１３を備える。例文帳に追加

On the metal film 7, a diode element 13 including an n-type wide gap semiconductor layer is provided. - 特許庁

金属基板１２５上に、ワイドギャップ半導体層からなるバイポーラスイッチング素子２０を備える。例文帳に追加

On the metal substrate 125, a bipolar switching element 20 including a wide-gap semiconductor layer is provided. - 特許庁

ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。例文帳に追加

To detect the position of a wide gap semiconductor substrate with high accuracy by using visible light. - 特許庁

ワイドギャップ半導体素子２５と配線３３との間で電気的及び熱的な接続が保証される。例文帳に追加

Thus, the electric and thermal connection is assured between the wide cap semiconductor element 25 and the wire 33. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における常時オフ集積ＪＦＥＴ電源スイッチおよび作成方法例文帳に追加

NORMALLY-OFF INTEGRATED JFET POWER SWITCHES IN WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS AND METHODS OF MAKING THE SAME - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic connection forming method to a substrate consisting of a wideband gap semiconductor material. - 特許庁

一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。例文帳に追加

An alignment mark for positioning a substrate is embedded previously in a wide gap semiconductor substrate by growing a wide gap semiconductor layer (e.g. a GaN layer 19) epitaxially on the principal surface of a narrow gap semiconductor substrate where an alignment mark 4 is engraved at a prescribed position on the principal surface of the narrow gap semiconductor substrate (e.g. an Si substrate 2). - 特許庁

ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。例文帳に追加

This wide-gap semiconductor device is obtained by coating an external surface of the wide-gap semiconductor element with a synthetic polymer compound. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。例文帳に追加

To evaluate, at room temperature, the level of a deep trap existing in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。例文帳に追加

To reduce an ohmic contact resistance in a wide band gap semiconductor. - 特許庁

常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。例文帳に追加

To provide wide bandgap semiconductor devices including normally-off VJFET integrated power switches. - 特許庁

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。例文帳に追加

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor. - 特許庁

該島状のワイドバンドギャップ半導体層の端部がその絶縁層と接する構成となるため、半導体層の端部からワイドバンドギャップ半導体層に水分・大気成分が侵入する現象を防止できる。例文帳に追加

Because ends of the island-like wide bandgap semiconductor layer contact the insulation layer in this structure, a phenomenon of entry of moisture and atmospheric components into the wide bandgap semiconductor layer from ends of the semiconductor layer can be prevented. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体層を半導体層に用いたトランジスタにおいて、水分・大気成分を透過しにくいパッシベーション性を有する絶縁層でワイドバンドギャップ半導体層を島状に分離する構造とする。例文帳に追加

A transistor using a wide bandgap semiconductor layer as a semiconductor layer comprises a structure in which the wide bandgap semiconductor layer is split like islands by an insulation layer having a passivation property in which moisture and atmospheric components less permeate. - 特許庁

第１導電型の第１のワイドバンドギャップ半導体領域１６と、第１の半導体領域に挟まれて形成される第２導電型の第２のワイドバンドギャップ半導体領域１８とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor rectifier device includes first wideband gap semiconductor regions 16 of a first conductivity type, and second wideband gap semiconductor regions 18 of a second conductivity type formed on a region sandwiched by the first semiconductor regions. - 特許庁

メサ型のエミッタ層を有するワイドギャップ半導体のゲートターンオフサイリスタにおいて、可制御電流を大きくできるものを提供すること。例文帳に追加

To provide a gate turnoff thyristor of a wide gap semiconductor having a mesa type emitter layer which can increase a controllable current. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用い、高い歩留まりを確保しつつ、低コストで製造することができる半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is manufactured at a low cost while securing high yield by using a wide band gap semiconductor. - 特許庁

パワートランジスタ（ＱＨ、ＱＬ）はワイドバンドギャップ半導体から成り、そのボディダイオード（ＤＨ、ＤＬ）が帰還ダイオードとして利用される。例文帳に追加

The power transistors (QH, QL) are formed by a wide band gap semiconductor, and body diodes (DH, DL) are used as a feedback diode. - 特許庁

キャリアブロック層２はサブコレクタ層３に対するワイドギャップ半導体を用いているため、電子に対して障壁を形成している。例文帳に追加

Since the carrier block layer 2 uses the wide gap semiconductor to the sub-collector layer 3, it forms a barrier to electrons. - 特許庁

ワイドギャップ半導体のフリーホイーリングダイオードに外付けで並列に接続されるスナバコンデンサをなくすこと。例文帳に追加

To eliminate a snubber capacitor externally connected in parallel to freewheeling diode of wide gap semiconductor. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材層がシリコンカーバイトの場合コンタクト層としてニッケルを使用する。例文帳に追加

When the wide band gap semiconductor layer is made of silicon carbide, nickel is used as a contact layer. - 特許庁

主スイッチング素子としてのユニポーラ素子のＭＯＳＦＥＴ（11）をワイドバンドギャップ半導体によって構成する。例文帳に追加

The MOSFET (11) of a unipolar element as a main switching element is constituted of a wide band gap semiconductor. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料においても、精度の高いＣＰＭ測定が可能となる測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a measuring method capable of performing CPM measurement with high accuracy even in a sample having low optical responsivity, such as a wide-bandgap semiconductor. - 特許庁

上記スイッチング素子(130)は、ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子(ここでは、SiC MOSFET)によって構成されている。例文帳に追加

The switching elements (130) are composed of the unipolar elements (SiC MOSFETs in this case) using the wideband gap semiconductors. - 特許庁