| 例文 (10件) |
"スピン密度"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
このゲート誘電体は、ゲート電極と半導体層の間に配置されると共に、擬似１Ｄの電荷またはスピン密度波材料を含んでいる。例文帳に追加
The gate dielectric is disposed between the gate electrode and the semiconductor layer and includes a pseudo-1D charge or a spin-density wave material. - 特許庁
熱収縮応力が１０ＭＰａ以下、かつ電子スピン密度が１×１０^15ｓｐｉｎｓ／ｇ以上であることを特徴とする高精細ＦＰＣ用ポリイミドフィルム。例文帳に追加
The polyimide film is characterized in that its thermal shrinkage stress is at most 10 MPa and its electron spin density is at least 1×10^15 spins/g. - 特許庁
ＭＲデータは非線型関数を含む式に当てはめられ、Ｔ１またはスピン密度重み付け画像、Ｔ２重み付け画像並びにＴ２^＊またはＴ２’重み付け画像を含む画像が再構成される。例文帳に追加
The MR data is then fit to an equation that includes the nonlinear function and the images are reconstructed that include T1 or spin density weighting, T2 weighting images, T2*, or T2' weighting. - 特許庁
勾配エコー画像形成を使用してＴ２重み付けＭＲ画像の高速取得を可能にし、Ｔ１重み付けまたはスピン密度画像並びにＴ２^＊またはＴ２’重み付け画像を同一のデータの組から取得することを可能にする。例文帳に追加
This technique allows rapid acquisition of T2 weighted MR images using gradient echo imaging, and also allows the acquisition of T1 weighted or spin density images, T2* or T2' weighted images all from the same data set. - 特許庁
含有水素量が7×10^19〜3×10^20cm^−3、スピン密度が2×10^19〜5×10^19cm^−3である非単結晶半導体薄膜を固相成長して、結晶性の優れた半導体薄膜を形成する。例文帳に追加
A semiconductor thin film of good crystallinity is formed by performing solid phase growth for a non-single crystalline semiconductor thin film whose hydrogen content is 7×10^19 to 3×10^20 cm^-3 and spin density is 2×10^19 to 5×10^19 cm^-3. - 特許庁
熱収縮応力が１０（MPa）以下で表面自由エネルギーが７５［ｍＮ／ｍ］〜１５０［ｍＮ／ｍ］であることを特徴とする低熱収縮応力高接着芳香族ポリイミドフィルムであり、また、電子スピン密度が１×１０^15 ［spins／ｇ］以上である低熱収縮応力高接着芳香族ポリイミドフィルムである。例文帳に追加
This aromatic polyimide film having low heat shrinkage-stress and high adhesion is characterized by having ≤10 MPa heat shrinkage stress and 75-150 mN/m surface free energy and has ≥1×10^15 spins/g electron spin density. - 特許庁
Ｌｉを可逆的に吸蔵および放出できる非水電解質二次電池用電極材料であって、Ｓｉを含む材料を含み、電子スピン共鳴法によって測定した前記材料のスピン密度が１×１０^15ｃｍ^-3以上である非水電解質二次電池用電極材料とする。例文帳に追加
The spin density of the material measured by an electron spin resonance method is above 1×10^15 cm^-3 . - 特許庁
石英系ガラスよりなり、中心コアとクラッドを有するガラス部分を含むシングルモード光ファイバにおいて、前記ガラス部分の非架橋酸素欠陥の密度が、電子スピン共鳴法により測定されるスピン密度の値として１．０×１０^^１４ｓｐｉｎｓ／ｇ以下であることを特徴とする。例文帳に追加
The single mode optical fiber containing a glass part made of quartz glass and having a center core and a clad, is characterized in that the density of non-crosslinked oxygen defects in the glass parts is ≤1.0×10^14 spins/g in terms of the spin density measured by an electron spin resonance method. - 特許庁
導電性基体１上に、電荷発生層４と電荷輸送層５とがこの順で順次積層されてなる積層型電子写真感光体において、電荷発生層４中に含有される電荷発生材料のスピン密度が１．５×１０^16ｇ^-1以上であり、かつ、前記電荷輸送層５中に含有される電荷輸送材料のイオン化ポテンシャルが５．３ｅＶ以上である。例文帳に追加
In a laminated electrophotographic photoreceptor having a charge generating layer 4 and a charge transfer layer 5 laminated in this order on a conductive substrate 1, the spin density of the charge generating material included in the charge generating layer 4 is ≥1.5×1016 g-1 and the ionization potential of the charge transfer material included in the charge transfer layer 5 is ≥5.3 eV. - 特許庁
炭素系物質構造と電子状態決定に十分な精度を持つ局所スピン密度近似を用いた第一原理的電子状態計算を用い、可能性のある磁性構造を検討し、クライン端の具体的実現を図って、磁気偏極した平坦バンドを持つナノグラファイト構造を得ると共に、ジグザグ端を持つ有限ナノチューブにも同様の磁性付与改質を行うことができるようにする。例文帳に追加
To examine a possible magnetic structure using primary theoretic electronic state computation using local spin density approximation with good precision in determination of the structure and electronic state of a carbonaceous material, to attain concrete realization of a Klein end, to obtain a nano graphite structure having a magnetically polarized flat band and to perform similar magnetization modification even to finite nanotubes having zigzag ends. - 特許庁
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