「"ポリイミド基材"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１のポリイミド基材層と、ポリエーテルイミド／ポリシロキサンポリマの第２の層と、を含む、ベルトなどの中間転写媒体。例文帳に追加

The intermediate transfer member such as a belt includes: a first polyimide substrate layer and a second layer of a polyetherimide/polysiloxane polymer. - 特許庁

耐熱性樹脂シート２としてはポリイミド基材を用い、耐熱性粘着剤３としてはシリコーン粘着剤を用いる。例文帳に追加

A polyimide base material is used as the heat-resistant resin sheet 2 while a silicon adhesive agent is used as the heat- resistant bonding agent 3. - 特許庁

大気圧の近傍の圧力下、相対湿度４５％以上の雰囲気下でポリイミド基材をグロー放電プラズマによる処理、特に、電極対向面の少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間にパルス状電界を印加して発生するグロー放電プラズマによる処理を行うことを特徴とするポリイミド基材の親水化処理方法。例文帳に追加

This method for the hydrophilization treatment of the polyimide base material comprises treatment of the polyimide base material in an atmosphere of ≥45% relative humidity under a pressure of nearly atmospheric pressure with a glow discharge plasma, especially treatment with the glow discharge plasma generated by impressing a pulse-shaped electric field between counter electrodes in which at least one of opposite sides is covered with a solid dielectric substance. - 特許庁

高分子電解質膜は、脂環式炭化水素を含むポリイミド基材膜に、グラフト重合でビニルモノマーをグラフト鎖として導入し、次いで、グラフト鎖の一部をスルホン酸基に化学変換して作製される。例文帳に追加

The polyelectrolyte membrane is fabricated by introducing vinyl monomer as a graft chain by graft polymerization into a polyimide base material membrane containing cycloaliphatic hydrocarbon, then by chemical conversion of a part of the graft chain into a sulfonic acid group. - 特許庁

電子写真転写部材は、抵抗性があり、電気的に緩和可能なポリイミド基材と、フルオロエラストマ複合体を含む順応抵抗層と、を有する。例文帳に追加

The electrophotographic transfer member comprises: a polyimide substrate which is resistive and electrically relaxable; and a conformance resistive layer containing a fluoroelastomer composite material. - 特許庁

放電技術を利用したプラズマ処理方法において、より簡便な装置を用い、均一な処理ができ、処理時間も短縮できるポリイミド基材の親水化処理方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for hydrophilization treatment of a polyimide base material by which the uniform treatment is carried out by using a simpler apparatus while reducing the treating time in a method by plasma treatment utilizing a discharging technique. - 特許庁

ポリイミド基材と金属回路部との密着強度が高くかつ金属回路の線間絶縁抵抗が高い金属回路パターン形成方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method of forming a metal circuit pattern, in which the adhesion strength of a polyimide substrate to a metal circuit part is high and in which the line-to-line insulation resistance of the metal circuit part is high. - 特許庁

ポリイミド基材と銅箔との接着性に優れ、また、耐熱性、耐ＰＣＴ性に優れたＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及び耐熱性接着シートを用いたＣＳＰ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a heat resistant adhesive composition for CSP substrates, excellent in adhesiveness between a polyimide substrate and copper foil and excellent in heat resistance and PCT resistance, and a heat resistant adhesive sheet using the above adhesive composition, and provide a method for producing a CSP substrate by using the heat-resistant adhesive sheet. - 特許庁

寸法安定性に優れたポリイミド基材を用いて微細な金属パターンの形成が可能であり、基材と金属パターンとの密着性に優れ、耐熱性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal pattern formation method by which a fine metal pattern can be formed using a polyimide base material having an excellent dimensional stability, a good adhesiveness between the base material and a metal pattern can be achieved, and a metal pattern with a high heat resistance can be formed. - 特許庁

表面に配線パターンが形成されたポリイミド基材２１のデバイスホール２１ａに突出して形成され、上記配線パターンに接続されたインナーリード２４・２５と、互いに電極形成面１１ａ・１２ａが対向するように上記インナーリード２４・２５に接合された第１半導体チップ１１および第２半導体チップ１２とを備える。例文帳に追加

This semiconductor device comprises the inner leads 24, 25 that are formed so as to protrude at a device hole 21a of a polyimide base material 21 where a wiring pattern is formed on its surface and are connected to the wiring pattern, and a first semiconductor chip 11 and a second semiconductor chip 12 that are connected to the inner leads 24, 25 so that electrode forming faces 11a, 12a face mutually. - 特許庁

ポリイミドフィルム上に銅導体層がダイレクトプレーティングによって積層されたプリント配線板であり、銅導体層積層部分のポリイミドフィルム面上に存在するパラジウム量が０．０３〜３ｍｇ／ｃｍ^２で、かつ、銅導体層非積層部分のポリイミドフィルム面上のパラジウム量が０．００３ｍｇ／ｃｍ^２以下であることを特徴とするポリイミド基材プリント配線板。例文帳に追加

The polyimide base printed wiring board includes a copper conductor layer stacked on a polyimide film by direct plating and is characterized in that the amount of paladium present on a polyimide film surface at the copper conductor layer stacked part is 0.03 to 3 mg/cm^2 and the amount of paladium on the polyimide film surface at a copper conductor non-stacked part is ≤0.003 mg/cm^2. - 特許庁