「"導電型"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１導電型のウェルに第１導電型の第１拡散層が形成され、第２導電型のウェルには第１導電型の第２拡散層、第２導電型の第３拡散層及び第４拡散層が形成されている。例文帳に追加

In a well of 1st conduction type, a 1st diffusion layer of the 1st conduction type is formed; and in a well of the 2nd conduction type, a 2nd diffusion layer of the 1st conduction type, a 3rd diffusion layer of the 2nd conduction type, and a 4th diffusion layer, are formed. - 特許庁

その導電型の第一高濃度拡散区、第一導電型と相反する第二導電型の第二高濃度拡散区、第二導電型の第三高濃度拡散区、及び第一導電型の第四高濃度拡散区は、井戸内に位置する。例文帳に追加

A field oxidized layer isolates first and second high concentration diffusion regions from third and fourth high concentration diffusion regions. - 特許庁

帰還トランジスタＰＴ１の導電型は、画素トランジスタＮＴ１の導電型とは逆の導電型に設定される。例文帳に追加

The conduction type of the feedback transistor PT1 is set to be a conduction type reverse to the conduction type of the pixel transistor NT1. - 特許庁

第２導電型の電流拡散層は、第２導電型の下地層および第１導電型の電流ブロック層を覆って形成される。例文帳に追加

The second conductive type current diffusion layer 17 is formed covering the second conductive type base layer 15 and the first conductive type current block layer 16. - 特許庁

第２導電型のウエルに第１導電型のトランジスタが形成され、第１導電型のウエルに第２導電型のトランジスタが形成されるスタティック型メモリセルを有するメモリ装置において、第２導電型のウエル及び第１導電型のウエルをメモリセル数毎に分離する。例文帳に追加

In a memory device having a static memory cell wherein a first conductive transistor is formed in a second conductive well and a second conductive transistor is formed in a first conductive well, the second conductive well and the first conductive well are separated every number of the memory cell. - 特許庁

半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、第２導電型の延長ドレイン領域と、第２導電型の高濃度ドレイン領域と、第２導電型のソース領域と、第１導電型の隣接領域と、第１導電型の高濃度ドレイン隣接領域とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a 1st conductive type semiconductor substrate, a 2nd conductive type extended drain region, a 2nd conductive type high-concentration drain region, a 2nd conductive type source region, a 1st conductive type adjacent region, and a 1st conductive type high-concentration drain adjacent region. - 特許庁

成長工程（Ｓ１）とは、第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する工程である。例文帳に追加

The growing process (S1) is to form a laminated body by alternately growing a first conduction type layer formed of a first conduction type semiconductor and a second conduction type layer formed of a second conduction type semiconductor whose conduction type is different from the first conduction type by not less than one layer for each layer. - 特許庁

第１導電型の半導体基板１上に、第２導電型の半導体層２１が形成されている。例文帳に追加

A second conductive semiconductor layer 21 is formed on the first conductive semiconductor substrate 1. - 特許庁

第２導電型の半導体層２１上に、第１導電型の半導体層２３が形成されている。例文帳に追加

A first conductive semiconductor layer 23 is formed on the second conductive semiconductor layer 21. - 特許庁

第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３上に設けられる。例文帳に追加

The second conductivity type semiconductor region 7 is provided on the first conductivity type semiconductor region 3. - 特許庁

第１導電型の半導体基板１上に第２導電型のエピタキシャル層２を設ける。例文帳に追加

A second conductivity type epitaxial layer 2 is provided on a first conductivity type substrate 1. - 特許庁

第１導電型のアノードと、アノードの下方に配置された第２導電型のカソードを有する。例文帳に追加

The ESD-resistant diode has a first conduction type anode and a second conduction type cathode provided under the anode. - 特許庁

ここで光吸収層３は、導電型半導体基板２と同一の導電型を有する。例文帳に追加

The light absorbing layer 3 has the same conductivity type as the conductivity type semiconductor substrate 2. - 特許庁

前記第１半導体パターンは、前記第１導電型または前記第２導電型を有する。例文帳に追加

The semiconductor pattern has the first conduction type or the second conduction type. - 特許庁

第１導電型の半導体層２２に第１導電型のベース領域９を備える。例文帳に追加

A semiconductor layer 22 of a first conductivity type includes a base region 9 of the first conductivity type. - 特許庁

一導電型半導体層内部に逆導電型不純物の埋め込み領域を設ける。例文帳に追加

A region of embedding a reverse conductivity-type impurity is provided in the inside of one conductivity-type semiconductor layer. - 特許庁

第１導電型埋め込み層２５は、第２導電型埋め込み層２３上に設けられている。例文帳に追加

The first conductivity type buried layer 25 is formed on the second conductivity type buried layer 23. - 特許庁

第２導電型領域に、第１導電型の複数の垂直ＣＣＤチャネルを形成する。例文帳に追加

In the second conductive area, a plurality of first conductive vertical CCD channels are formed. - 特許庁

第２導電型拡散層１４ｂは、第１導電型ウェル５ｂの表面部にまで延伸している。例文帳に追加

The second conductivity type diffusion layer 14b extends up to the surface portion of the first conductivity type well 5b. - 特許庁

ただし、ｐ型またはｎ型のいずれか一方が第１導電型で他方が第２導電型であるとする。例文帳に追加

However, the first conductivity is p-type or n-type and the second conductivity is the other type. - 特許庁

各半導体柱状部は、第１導電型とは反対の第２導電型とすることができる。例文帳に追加

Each semiconductor columnar part may have second conductivity type opposite to first conductivity type. - 特許庁

複数のヴィアが、第２導電型層内に第１導電型層まで下って形成される。例文帳に追加

A plurality of vias are formed in the layer of second conductivity type, penetrating to the layer of first conductivity type. - 特許庁

フォトダイオードでは、第１導電型の領域と第２導電型の領域とが接合されている。例文帳に追加

In the photodiode, a first-conductivity-type region and a second-conductivity-type region are joined. - 特許庁

ラテラル導電型ショットキーダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a lateral conduction Schottky diode. - 特許庁

イオン導電型アクチュエータの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING ION CONDUCTIVITY TYPE ACTUATOR - 特許庁

半導体レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１３と、第２導電型クラッド層１７と、第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド層１７とに挟まれた量子井戸活性層１５とを有している。例文帳に追加

The semiconductor laser element 1 has a first conductivity clad layer 13, a second conductivity clad layer 17, and a quantum well active layer 15 sandwitched by the layer 13 and the layer 17. - 特許庁

トンネル接合領域１９は、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５を含み、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５はトンネル接合ＴＪを成す。例文帳に追加

The tunnel junction region 19 includes a second conductivity type semiconductor layer 23 and a first conductivity type semiconductor layer 25, both of which form a tunnel junction TJ. - 特許庁

第１導電型の半導体基板（５２）または第１導電型の半導体層と、この第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成された第１導電型の分離領域（５５）とを有する。例文帳に追加

A light-receiving element has a first conductive semiconductor substrate (52) or a first conductivity-type semiconductor layer, and a first conductivity-type isolation region (55) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the type semiconductor layer. - 特許庁

第２導電型拡散層３は、第１導電型とは反対の導電型である第２導電型の不純物を含み、受光面側であるシリコン基板２の主表面近傍に少なくとも一部が形成されている。例文帳に追加

The second-conductivity diffusion layer 3 contains an impurity with second conductivity which is opposite to the first conductivity, and at least a part thereof is formed near a main surface of the silicon substrate 2 which is the light receiving surface. - 特許庁

半導体材料の導電型判別方法とその装置例文帳に追加

METHOD AND EQUIPMENT FOR JUDGING CONDUCTIVITY TYPE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

画素トランジスタの導電型をＰ型にした。例文帳に追加

The conductivity type of pixel transistors is a P type. - 特許庁

シリコン基板４０は、第１導電型（ｐ型）を有する。例文帳に追加

The silicon substrate 40 has a first conductive type (p-type). - 特許庁

第１の第１導電型拡散層１２０、第１の第２導電型拡散層１３０、第２の第１導電型拡散層１５０、及び第２の第２導電型拡散層１４０はこの順に並んでいる。例文帳に追加

A first first-conductive-type diffusion layer 120, a first second-conductive-type diffusion layer 130, a second first-conductive-type diffusion layer 150, and a second second-conductive-type diffusion layer 140 are arranged in this order. - 特許庁

基板と、透明導電膜と、第１の導電型半導体と、真性層と、第１の導電型と異なる導電型の第２の導電型半導体とを具える光起電力素子において、開放端電圧の低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress the drop of the open-terminal voltage of a photovoltaic element provided with a substrate, transparent conductive films, a first- conductivity type semiconductor layer, an intrinsic layer, and a second- conductivity type semiconductor layer. - 特許庁

第１導電型のコレクタ層３と、第２導電型のベース層４と、第１導電型のエミッタ層５，６と、第１導電型のエミッタコンタクト層７とから構成されている。例文帳に追加

This semiconductor device consists of a first-conductivity collector layer 3, a second-conductivity base layer 4, first-conductivity emitter layers 5 and 6, and a first-conductivity emitter contact layer 7. - 特許庁

第１導電型半導体基板１０上に、第２導電型領域１１が形成され、第１導電型ウェル１２がその内に形成され、第２導電型ウェル１３がその内に形成される。例文帳に追加

A second conductivity type region 11 is formed on the first conductivity type semiconductor substrate 10, a first conductivity type well 12 is formed in it, and a second conductivity well 13 is formed in it. - 特許庁

高導電型真直サスペンションワイヤ例文帳に追加

HIGH CONDUCTIVE TYPE STRAIGHT SUSPENSION WIRE - 特許庁

Ｎ導電型半導体基板１のおもて面側にはＰ導電型領域２ａが設けられており、Ｐ導電型領域２ａの表層部には、選択的におもて面側Ｐ導電型領域４ａが設けられている。例文帳に追加

A P-conductivity-type region 2a is formed on the surface side of an N-conductivity-type semiconductor substrate 1 while a front-surface-side P-conductivity-type region 4a is formed selectively in a surface-layer part of the P-conductivity-type region 2a. - 特許庁

導電型キャピラリ—プレ—トによるガス放射線検出器例文帳に追加

GAS RADIATION DETECTOR BY CONDUCTIVE CAPILLARY PLATE - 特許庁

該トンネル接合は、第１の導電型の層及び第２の導電型の層を含み、両方とも第１の活性領域を取り囲む第１の導電型の層及び第２の導電型の層よりも薄い。例文帳に追加

The tunnel junction includes a first electrically conductive type layer and a second electrically conductive type layer, both of which are thinner than a first conductive type layer and a second conductive type layer that surround the first active region. - 特許庁

基板と、透明導電膜と、第１の導電型半導体と、真性層と、第１の導電型と異なる導電型の第２の導電型半導体とを具える光起電力素子において、開放端電圧の低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress the decline of the open-terminal voltage of a photovoltaic element provided with a substrate, transparent conductive films, a first- conductivity type semiconductor layer, an intrinsic layer, and a second- conductivity type semiconductor layer. - 特許庁

第１導電型の半導体基板１１中に、第１導電型の第１のウェル領域１３、第２導電型の第２のウェル領域１２、第２導電型の第３のウェル領域１５を形成している。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit device includes in a first conductivity-type semiconductor substrate 11 a first conductivity-type first well region 13, a second conductivity-type second well region 12, and a second-conductivity type third well region 15. - 特許庁

第一導電型半導体領域１表面に複数の第二導電型半導体層２ａ及び２ｂを形成し、第二導電型半導体層２ａ及び２ｂ間の第一導電型半導体領域１表面を除去する。例文帳に追加

A plurality of second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b are formed on the surface of a first conductivity-type semiconductor region 1. the surface of the first conductivity-type semiconductor region 1 between the second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b is removed. - 特許庁

半導体基板２上に、第１導電型の第１ウェル３、第１導電型とは異なる第２導電型の第２ウェル４、及び第２導電型の第３ウェル５を備える。例文帳に追加

On the semiconductor substrate 2, a first well 3 of a first conductivity type, a second well 4 of a second conductivity type different to the first conductivity type, and a third well 5 of the second conductivity type are equipped. - 特許庁

表面側から局所的第１導電型層１４、広域的第２導電型層１５、広域的第１導電型層１６の順で積層された構造を持ち、第１導電型層１４と第２導電型層１５を貫いて第１導電型層１６に達するトレンチゲート電極９が形成されており、深い方の第１導電型層１６内でトレンチゲート電極９が貫く深さに欠陥層６を形成する。例文帳に追加

A local first conductivity layer 14, a wide second conductivity layer 15, a wide first conductivity layer 16 are formed successively from the surface. - 特許庁