「"The Trench"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The depth of the trench is d_1 in an area including the via, is d_2 at the end of the trench, and generally, d_1>d_2.例文帳に追加

トレンチの深さはバイアを含む領域でd_1で、トレンチの端ではd_2であって、一般的にd_1>d_2である。 - 特許庁

A second thermal oxidation film is formed on the surface of the trench, and the element isolation film is embedded in the trench.例文帳に追加

溝の表面に第２の熱酸化膜を形成し、その後、溝に、素子分離膜を埋め込む。 - 特許庁

The trench gate 12 for filling the trench 10 is formed on the gate insulating film 11.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１上に、トレンチ１０を充填するトレンチゲート１２が形成される。 - 特許庁

An injection seed is injected into either a part of the trench sidewall or that of the trench bottom.例文帳に追加

トレンチの側壁又は該トレンチの底部のいずれかの一部に注入種が注入される。 - 特許庁

The trench insulated separation portion 50 and the trench portion 60 are formed in the same manufacturing process.例文帳に追加

トレンチ絶縁分離部５０とトレンチ部６０は、同一の製造工程を経て作製される。 - 特許庁

The middle section of the trench extends deeper into the silicon layer than the outer sections of the trench.例文帳に追加

トレンチの中間領域は、トレンチの外部領域よりも深くシリコン層に伸びる。 - 特許庁

Moreover, the trench bottom is curved in its shape to relax electric field concentration in the trench bottom.例文帳に追加

またトレンチ底部はカーブ形状を有し、トレンチ底部における電界集中を緩和できる。 - 特許庁

The two optical light-emitting surfaces are located at both sides of the trench structure and physically connect the trench structure.例文帳に追加

２つの光学発光面は、溝構造の両側に位置し、物理的に溝構造を接続する。 - 特許庁

The side wall of the trench 15 is covered with a spacer 16, and a polycrystalline silicon film 20 is buried in the trench.例文帳に追加

溝１５の側壁をスペーサ１６で被覆し、多結晶シリコン膜２０で埋設する。 - 特許庁

After we finish digging the trench, planting the flowers will be easy.例文帳に追加

溝を掘り終えたら花を植えるのは簡単だよ。 - Tatoeba例文

there was not enough fill for the trench 例文帳に追加

溝を十分にふさぐ材がなかった - 日本語WordNet

After we finish digging the trench, planting the flowers will be easy. 例文帳に追加

溝を掘り終えたら花を植えるのは簡単だよ。 - Tanaka Corpus

The wafer is separated through the trench.例文帳に追加

トレンチを介してウェハを分離する。 - 特許庁

The buffer layer is formed on the trench sidewall.例文帳に追加

バッファー層がトレンチの側壁に形成される。 - 特許庁

A doping layer is formed in the inside wall of the trench.例文帳に追加

トレンチの内壁にドーピング層が形成される。 - 特許庁

Subsequently, a gate electrode 18 extending from the inside of the trench 17 to above the trench oxide film 16 outside the trench 17 is formed via the trench oxide film 16 and the gate oxide film 13B.例文帳に追加

その後、トレンチ酸化膜１６及びゲート酸化膜１３Ｂを介して、トレンチ１７内からトレンチ１７の外のトレンチ酸化膜１６上に延びたゲート電極１８を形成する。 - 特許庁

The trench MOS device is formed in the active region.例文帳に追加

トレンチＭＯＳ素子は、活性領域に形成される。 - 特許庁

A dielectric film 30 is formed in the trench 28.例文帳に追加

トレンチ２８には誘電膜３０が形成されている。 - 特許庁

At filling of the trench with the oxide film, the trench 2 is filled with the oxide film by thermal oxidation, or the trench is narrowed by generating the oxide film inside the trench by the thermal oxidation, and then the remaining trench is filled by the deposition of an oxide.例文帳に追加

トレンチ溝内を酸化膜で埋めるにあたり、熱酸化によりトレンチ溝２内を酸化物４で埋めるか、熱酸化によりトレンチ溝内に酸化膜を生成して溝を狭めた後、残った溝を酸化物の堆積により埋める。 - 特許庁

The trench 7 is formed by etching.例文帳に追加

そして、レンチ７をエッチングによって形成している。 - 特許庁

A gate electrode is arranged in the trench.例文帳に追加

ゲート電極はトレンチの内部に配置されている。 - 特許庁

A gate electrode 22 is incorporated in the trench 21.例文帳に追加

トレンチ２１には，ゲート電極２２が内蔵されている。 - 特許庁

MACHINE FOR EXCAVATING TRENCH AND FORMING WALL IN THE TRENCH例文帳に追加

溝を掘削し、その溝に壁を形成するマシン - 特許庁

The first recess 6 contacts with the trench 3.例文帳に追加

第１凹部６は、トレンチ３に接する。 - 特許庁

The trench 4 is filled with silica particles.例文帳に追加

トレンチ４はシリカ粒子により充填される。 - 特許庁

An insulating film 41 buries the trench via the stress film.例文帳に追加

絶縁膜４１はトレンチを応力膜を介して埋め込む。 - 特許庁

To reduce the number of crystal defects which occur at the trench bottom.例文帳に追加

トレンチ底部に発生する結晶欠陥を低減する。 - 特許庁

In the trench 50, a gate electrode 52 is embedded.例文帳に追加

トレンチ５０内には、ゲート電極５２が埋め込まれている。 - 特許庁

The trench is buried in a first semiconductor layer.例文帳に追加

トレンチは第１半導体層に埋められる。 - 特許庁

The side 14a of the trench 14 is an m surface.例文帳に追加

トレンチ部１４の側面１４ａはｍ面である。 - 特許庁

The trench (112) is filled with copper (124).例文帳に追加

溝（１１２）を銅（１２４）で充填する。 - 特許庁

Thus, the trench element isolating region is formed.例文帳に追加

以上により、トレンチ素子分離領域を形成する。 - 特許庁

The trench gate 2 is covered with a gate oxide film 3.例文帳に追加

トレンチゲート２は、ゲート酸化膜３で覆われている。 - 特許庁

The first recess 6 abuts on the trench 3.例文帳に追加

第１凹部６は、トレンチ３に接する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, the trench is formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板内にトレンチを形成する。 - 特許庁

A thick insulator layer is stuck on the bottom of the trench.例文帳に追加

厚い絶縁層がトレンチの底部に付着される。 - 特許庁

The bottom of the trench varies in depth depending on places.例文帳に追加

トレンチの底部は部分によって深さが異なる。 - 特許庁

The inner surface of the trench is covered with an insulating film.例文帳に追加

トレンチの内面は絶縁膜に覆われている。 - 特許庁

An insulating layer 8 is fomred in the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５内に、絶縁層８が形成されている。 - 特許庁

The injection seed is selected to allow the insulating layer to grow on the bottom of the trench at a higher growth rate than that of the sidewall of the trench, thereby forming a thicker insulating layer on the bottom of the trench than an insulating layer formed on the sidewall of the trench.例文帳に追加

絶縁層がトレンチの側壁よりも速く該トレンチの底部上に成長するように、注入種が選択され、該トレンチの側壁よりも厚い絶縁層が該トレンチの底部にもたらされる。 - 特許庁

A second silicon layer 21 is embedded in the trench 15.例文帳に追加

トレンチ１５内に第２のシリコン層２１を埋め込む。 - 特許庁

A first silicon layer 17 is embedded in the trench 15.例文帳に追加

トレンチ１５内に第１のシリコン層１７を埋め込む。 - 特許庁

An oxide film is formed on the sidewall and bottom section of the trench.例文帳に追加

トレンチの側壁及び底部に酸化膜を形成する。 - 特許庁

(2) The trench 5 is formed in a round corner square shape, and concentrically disposed.例文帳に追加

トレンチ５を角丸方形とし、同心状に配置する。 - 特許庁

On an inner wall of the trench, a gate oxide film is formed.例文帳に追加

トレンチの内壁にゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁