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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "normal axis"に関連した英語例文

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"normal axis"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 16



例文

The imaging device 4 is disposed on the normal axis of the diffuser 2 existing on the observation position.例文帳に追加

撮像装置4は、観察位置に存する拡散板2の法線軸上に配設される。 - 特許庁

A detecting coil 5 is arranged so that its normal axis is perpendicular to an inspection surface (flat surface) of a test body 6, and an exciting coil 4 is arranged on it so that normal axis is horizontal to the inspection surface using a permanent magnet 3 as a core.例文帳に追加

検出コイル5は法線軸が試験体6の検査面(平面)に垂直となるように配置し、その上に、励磁コイル4は永久磁石3をコアとして法線軸が検査面に水平となるように配置する。 - 特許庁

In an optical plane waveguide type circuit 1, an oblique groove 3 on is formed at a tile angle θ to a normal axis so as to cross an optical waveguide 2n.例文帳に追加

光平面導波路型回路1において、光導波路2_nを横切るように、垂直軸に対する傾き角度θで斜めの溝3を形成する。 - 特許庁

The magnetic detection device is equipped with a detection surface having a normal axis substantially perpendicular to the stator axis.例文帳に追加

磁気感知デバイスは、固定子軸に対して実質的に垂直な法線軸を有する感知面を備えている。 - 特許庁

例文

The n-type GaN-based semiconductor layer 15, an active layer 19 and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 are arrayed in a direction of a normal axis Nx.例文帳に追加

n型GaN系半導体層15、活性層19及びp型GaN系半導体層17は法線軸Nxの方向に配列されている。 - 特許庁


例文

An n-type clad layer 21, an active layer 25 and a p-type clad layer 23 are arranged in the direction of a normal axis NX of a principal surface 17a.例文帳に追加

n型クラッド層21、活性層25及びp型クラッド層23は主面17aの法線軸NXの方向に配置される。 - 特許庁

METHOD OF ADJUSTING TILT ANGLE BETWEEN NORMAL AXIS OF OPTICAL DISK SURFACE AND OBJECTIVE LENS OPTICAL AXIS, OPTICAL DISK DRIVE, AND PROGRAM例文帳に追加

光ディスク表面の垂直軸と対物レンズの光軸との傾き角調整方法及び光ディスク装置並びにプログラム - 特許庁

In the well layers 19 in an active layer 17, both the m-plane and the a-plane of the well layers 19 tilt from the normal axis A_N of the primary surface 13a.例文帳に追加

活性層17の井戸層19は、井戸層19のm面及びa面のいずれも主面13aの法線軸A_Nに対して傾斜する。 - 特許庁

A c-axis vector VC of hexagonal system GaN of a support substrate 13 is inclined in the X-axis direction with respect to a normal axis Nx of a main surface 13a.例文帳に追加

支持基体13の六方晶系GaNのc軸ベクトルVCは主面13aの法線軸Nxに対してX軸方向に傾斜する。 - 特許庁

例文

In the plurality of normal axis sliders, both end parts of the respective base arms are sequentially connected to the vertical guide means of the other normal axis sliders, and the base arm is provided with a driving means for driving the vertical guide means provided on each of two normal axis arms.例文帳に追加

上下機構には、水平方向に延在するベースアームと、その両端部に鉛直方向に立設された2本の上下軸アームと、2本の上下軸アームの各々に設けられた上下案内手段と、からなる複数の上下軸スライダ17、18、19を設けると共に、複数の上下軸スライダは、各々のベースアームの両端部が、他の上下軸スライダの上下案内手段に順次接続され、ベースアームには、前記2本の上下軸アームの各々に設けられた上下案内手段を駆動する駆動手段を設けた。 - 特許庁

例文

Light LB emitted from the light emitting region 13A is projected at an angle to the normal axis 10B of a mesa part 10A and made to impinge obliquely on the optical fiber 30 or the like.例文帳に追加

発光領域13Aで発生した光LBは、メサ部10Aの垂直軸10Bに対して斜めに出射し、光ファイバ30等に斜めに入射する。 - 特許庁

The pair of torn surfaces 27 and 29 cross the plane defined by the c-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor and the normal axis of the semipolar primary surface 17a.例文帳に追加

一対の割断面27,29は、六方晶系III族窒化物半導体のc軸と、半極性主面17aの法線軸とによって規定される面とそれぞれ交差する。 - 特許庁

A c-axis of the hexagonal group III nitride semiconductor of the support base 17 is tilted in an m-axis direction at a finite angle ALPHA with respect to a normal axis.例文帳に追加

支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、m軸の方向に法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜している。 - 特許庁

In a semiconductor region 15, an active layer 19, a first gallium-nitride-based semiconductor layer 21, an electron block layer 23 and a second gallium nitride based semiconductor layer 25 are arranged along the normal axis Nx on the main surface 13a of the support substrate 13.例文帳に追加

半導体領域15において、活性層19、第1の窒化ガリウム系半導体層21、電子ブロック層23及び第2の窒化ガリウム系半導体層25は支持基体13の主面13a上で法線軸Nxに沿って配列されている。 - 特許庁

Furthermore, at least a portion of at least one hole is frustoconical or frustopyramidal in shape along the normal axis and the base of the frustoconical or frustopyramidal hole is positioned adjacent the outer surface of the distribution plate.例文帳に追加

更に、少なくとも一つの穴の少なくとも一部分は、形状が垂直軸線に沿って切頭円錐形或いは切頭角錐形であり、切頭円錐形或いは切頭角錐形の穴のベースは、分配プレートの外面に隣接して配置される。 - 特許庁

例文

The light emitting structure 13 has a pair of torn surfaces 27 and 29 crossing an m-n plane defined by the m-axis of the hexagonal group III nitride semiconductor and the normal axis, and a pair of cleavage surfaces 13a and 13b formed of the m-n plane or {11-20} plane.例文帳に追加

発光構造体13は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸によって規定されるm−n面に交差する一対の割断面27,29と、m−n面又は{11−20}面からなる一対の劈開面13a,13bとを有する。 - 特許庁

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