「"of a Ge"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The inorganic recording film 6 is formed by consecutively performing a step of film-depositing a metallic film 2 made of Ti and a step for film-depositing an oxide film 3 made of a Ge oxide.例文帳に追加

Ｔｉからなる金属膜２を成膜する工程と、Ｇｅ酸化物からなる酸化物膜３を成膜する工程とを連続して行って無機記録膜６を作製する。 - 特許庁

The structure consists of a Ge absorbing layer on a thin SOI substrate, and utilizes isolation regions, alternating n- and p-type contacts, and low-resistance surface electrodes.例文帳に追加

本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。 - 特許庁

From a surface of an insulating film (High-k film) 32 of a Ge substrate 31 for which the insulating film 32 is laminated on an upper surface, plasma of process gas containing oxygen-atom-containing gas is radiated.例文帳に追加

上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。 - 特許庁

When a built-in acceleration field by the inclination of a Ge composition rate is present to a certain degree, electrons injected from the emitter are sufficiently accelerated and the excellent high frequency characteristics are maintained as well.例文帳に追加

Ｇｅ組成率を傾斜させていることによる作り付けの加速電界がある程度存在していれば、エミッタから注入された電子を十分に加速でき、高周波特性も良好に維持される。 - 特許庁

The low refractive layers 4, 14, 8 and 18 are formed of a fluoride film, the intermediate refractive layers 5, 15, 7 and 17 are formed of a ZnS film or ZnSe film, and the high refractive layer 6 and 16 is formed of a Ge film.例文帳に追加

前記低屈折層４、１４、８、１８はフッ化物膜からなり、前記中間屈折層５、１５、７、１７はＺｎＳ膜又はＺｎＳｅ膜からなり、且つ前記高屈折層６、１６はＧｅ膜からなる。 - 特許庁

The present invention relates to a device having a substrate including a silicon substrate having a porous top layer, a second layer on the top layer formed of a Ge material, and the other layer on the second layer formed of a group-III nitride material.例文帳に追加

本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、 上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。 - 特許庁

Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加

これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁

The antireflection film comprises a laminate of an Y2O3 film and a layer composed of a material having refractive index of √(ns) where ns is the refractive index of GaAs and a layer having refractive index of ns/n above where is the refractive index of that layer, or a laminate of a Ge film and a ZnS film.例文帳に追加

反射防止膜としては、Ｙ_2Ｏ_3膜、ＧａＡｓの屈折率をｎ_sとして屈折率が√（ｎ_s）より小さい材料よりなる層と、この層の屈折率をｎとして屈折率がｎ_s／ｎよりも大きい層との積層膜、又は、Ｇｅ膜とＺｎＳ膜との積層膜を適用する。 - 特許庁

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁