「"solid-state memory"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SOLID-STATE MEMORY, DATA PROCESSING SYSTEM, AND DATA PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置 - 特許庁

SOLID-STATE MEMORY DEVICE AND ARRANGING METHOD THEREFOR例文帳に追加

固体メモリ装置、及び固体メモリ装置の配列方法 - 特許庁

SOLID STATE MEMORY, COMPUTER SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

ソリッドステートメモリ、それを含むコンピュータシステム及びその動作方法 - 特許庁

PROGRAMMABLE ADDRESS LOGIC CIRCUIT FOR SOLID STATE MEMORY OF DIODE BASE例文帳に追加

ダイオードベースの固体メモリ用のプログラム可能なアドレス論理回路 - 特許庁

To provide a configuration and technology for recovering data in a solid state memory device.例文帳に追加

固体メモリデバイスのデータ復帰技術および構成を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE ELEMENT, AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗素子を用いた不揮発固体メモリとその形成方法 - 特許庁

A stage (412) of a solid state memory device (410) comprises a main memory (10) and address logic circuits (12, 14).例文帳に追加

固体メモリデバイス(410)の段(412)は、メインメモリ(10)とアドレス論理回路(12,14)とを含む。 - 特許庁

SOLID STATE MEMORY (SSM), COMPUTER SYSTEM HAVING SSM, AND SSM DRIVING METHOD例文帳に追加

ソリッドステートメモリ（ＳＳＭ）、ＳＳＭを有するコンピュータシステム及びＳＳＭ駆動方法 - 特許庁

MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY COMPRISING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を備える不揮発性固体メモリ - 特許庁

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE EFFECT, MEMORY, AND ITS RECORDING/ REPRODUCING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 - 特許庁

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY DEVICE AND MEMORY USING MAGNETIC RESISTANCE EFFECT, ITS RECORDING AND REPRODUCING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 - 特許庁

To provide a solid state memory device constituting a record system which can record a large amount of information though it has less capacity, in a three dimensional structure solid state memory device.例文帳に追加

三次元構造固体記憶装置に関し、小さな体積でありながら、大量の情報を記録することができる記録システムを構成する固体記憶装置を提供しようとする。 - 特許庁

Whether partition metadata of a solid state memory has changed is determined, and if not determined, the partition metadata is analyzed to locate invalid data stored in the solid state memory.例文帳に追加

ソリッドステートメモリのパーティションメタデータが変化されたか否かを決定し、もし決定されなかったら、パーティションメタデータはソリッドステートメモリに格納された無効データを検索するように分析される。 - 特許庁

A nonvolatile solid state memory is associated with the disk surface and a pair unit (set unit) of disk surface.例文帳に追加

不揮発性の固体メモリが、ディスク面と、ディスク面のペア単位（組単位）で関連付けられる。 - 特許庁

The orientation signal is output to a removable solid-state memory card 24 together with the still image.例文帳に追加

方向信号は、静止画像とともに、取り外し可能固体メモリカード２４に出力される。 - 特許庁

To provide a solid state memory (SSM), a computer system having the SSM and an SSM driving method.例文帳に追加

ソリッドステートメモリ（ＳＳＭ）、ＳＳＭを有するコンピュータシステム、及びＳＳＭ駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile solid-state memory device and a memory using magnetic resistance effect, and its recording and reproducing method.例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた不揮発の固体メモリ素子、およびメモリとそれらの記録再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance non-volatile solid-state memory which is sufficiently reducible and takes low-cost three-dimensional integration into consideration.例文帳に追加

十分に縮小し、低価格の三次元統合を考慮した高性能不揮発性固体メモリが必要とされている。 - 特許庁

SUPERLATTICE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SOLID-STATE MEMORY INCLUDING THE SUPERLATTICE DEVICE, DATA PROCESSING SYSTEM, AND DATA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

超格子デバイス及びその製造方法、並びに、超格子デバイスを含む固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置 - 特許庁

To provide an ultra-small-size magnetic solid-state memory device which ensures ultra-high recording density, ultra-large capacity, higher transfer velocity and lower power consumption.例文帳に追加

超小型、超高記録密度かつ超大容量、高転送速度、低消費電力の磁気固体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To attain a solid-state memory that has lower current values required for recording and deleting data, and can repeatedly rewrite data for a larger number of times.例文帳に追加

データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリを実現する。 - 特許庁

To attain a solid-state memory manufacturing method that have lower current values required for recording and deleting data, and that can repeatedly rewrite data for a larger number of times.例文帳に追加

データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリの製造方法を実現する。 - 特許庁

A computer system 28 receives the orientation signal and the still image from the removable solid-state memory card 24 and implements exposure control on the still image in accordance with the orientation signal.例文帳に追加

コンピュータシステム２８は、取り外し可能固体メモリカード２４から方向信号と静止画像を入力し、静止画像に対する露光制御を方向信号に応じて実施する。 - 特許庁

The ferroelectric three-dimensional solid-state memory 300 consists of a plurality of bit lines 313a to 313d, a plurality of layers, a plurality of tree structures 302a and 302b, and a plurality of plate lines 307.例文帳に追加

強誘電性三次元固体メモリ３００は、複数のビット線３１３ａ〜３１３ｄ、複数の層、複数のツリー構造３０２ａ，３０２ｂ、複数のプレート線３０７とからなる。 - 特許庁

To provide a fault-tolerant address logic in which access can be performed for a main memory even when some address line can not be used, in a method addressing a solid state memory having address logic.例文帳に追加

アドレスロジックを有する固体メモリをアドレスする方法において、あるアドレスラインが使用不可能である場合であってもメインメモリにアクセス可能なフォールトトレラントなアドレスロジックを提供する。 - 特許庁

Accordingly, the magnetic solid-state memory device having the merit in the ultra-high-speed transfer velocity of the hard-disc device and the merit in the ultra-small-size and low power consumption of the semiconductor memory can be attained.例文帳に追加

これにより、大容量で、超高速転送速度というハードディスク装置の長所と、超小型で低消費電力という半導体メモリの長所を兼ね備えた磁気固体メモリ装置を提供できる。 - 特許庁

A solid state memory device is fabricated by forming a level of the device (302), identifying defective areas in the level (304), and programming address logic of the level so as to avoid defective areas in the level (306).例文帳に追加

固体メモリデバイスは、そのデバイスの1つの段を形成（302）し、その段内の欠陥領域を特定（304）し、段内の欠陥領域を回避するように、段のアドレス論理回路をプログラミングする（306）ことにより、製作される。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile solid state memory capable of high speed recording/reproduction by protecting an MRAM appropriate to a WLP age from an external magnetic field thereby preventing an erroneous operation due to the external magnetic field and enhancing stability in the recording/ reproducing operation of the memory element.例文帳に追加

WLP時代に相応しいMRAMを外部磁界から守り、外部磁界による誤動作を防止すること、並びにメモリ素子の記録再生動作の安定性を高め、高速に記録再生可能な不揮発固体メモリを実現する。 - 特許庁

This receiver has a mode control part 20 composed of a microcomputer having a solid-state memory 52, an oscillation part 18 of PLL constitution functioning as a local oscillator, a DA conversion part 22 which obtains a frequency control voltage to be supplied to the oscillation part, and an AD conversion part 50 which converts a detection output.例文帳に追加

固体メモリ５２を有するマイコンで構成されたモード制御部２０と、局部発振器として機能するＰＬＬ構成の発振部１８と、この発振部に供給する周波数制御電圧を得るＤＡ変換部２２と、検波出力を変換するＡＤ変換部５０とを有する。 - 特許庁

In a method addressing a solid state memory having address logic, a set of address elements is set by making (t) having address logic as the maximum allowable number of defective address lines and by allotting a set of address setting having symmetric distance of at least (t+1).例文帳に追加

アドレスロジックを有する固体メモリをアドレスする方法において、アドレスロジックを有するｔを欠陥のあるアドレスラインの最大許容可能数として、少なくともｔ＋１の対称距離を有するアドレス設定のセットを割当てることによって、アドレス素子のセットを設定する。 - 特許庁

The solid-state memory includes a superlattice laminate SL formed by laminating a plurality of crystal layers including crystal layers 1, 2 differing in composition, a lower electrode 3 provided on one surface SLa of the superlattice laminate SL in a laminating direction, and an upper electrode 4 provided on the other surface SLb of the superlattice laminate in the laminating direction.例文帳に追加

互いに組成の異なる結晶層１，２を含む複数の結晶層が積層されてなる超格子積層体ＳＬと、超格子積層体ＳＬの積層方向における一方の面ＳＬａに設けられた下部電極３と、超格子積層体ＳＬの積層方向における他方の面ＳＬｂに設けられた上部電極４とを備える。 - 特許庁