「あいき」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

電極をＳｉ基板１７の上面に設けるとプローバ検査し易い。例文帳に追加

When an electrode is provided on the upper surface of the substrate 17, prober inspection is easy. - 特許庁

ＳＯＩ基板、半導体装置および半導体装置製造方法例文帳に追加

SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SOI SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法例文帳に追加

METHOD OF MEASURING PHONON WAVE NUMBER OF 3C-SIC LAYER ON SI SUBSTRATE - 特許庁

ＭＯＳトランジスタは、ＳＯＩ基板における半導体層に形成される。例文帳に追加

The MOS transistor is formed in a semiconductor layer of an SOI substrate. - 特許庁

金属メッキ層付き単結晶Ｓｉ基板と垂直磁気記録媒体例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL Si SUBSTRATE WITH METAL PLATING LAYER AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM - 特許庁

化合物半導体成長用Ｓｉ基板及びその製造方法例文帳に追加

SILICON SUBSTRATE FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

半導体装置用基板、ＳＯＩ基板およびそれらの製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

Ｓｉ基板１上に第１の層間絶縁膜２を形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulation film 2 is formed on an Si substrate 1. - 特許庁

単結晶基板１はＳｉ基板とし、その面方位は（１１１）とする。例文帳に追加

The single crystal substrate 1 is made of a Si substrate having the crystal plane direction of (111). - 特許庁

Ｓｉ基板１の面方位は（１１１）または（１００）とする。例文帳に追加

The facial azimuth of the Si substrate 1 is defined as (111) or (100). - 特許庁

膜厚の均一な半導体層を有するＳＯＩ基板を得る。例文帳に追加

To provide an SOI substrate having a semiconductor layer with uniform thickness. - 特許庁

Ｓｉ基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM ON SI SUBSTRATE AND ITS STRUCTURE - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板、半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOI-SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ＳＯＩ基板の製造方法および半導体素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

Ｓｉ基板１上に、Ｒｕ膜２、ＳｉＯ_2層４を形成する。例文帳に追加

On an Si substrate 1, the Ru film 2 and an SiO_2 layer 4 are formed. - 特許庁

ＳＯＩ基板の製造方法及び半導体装置の作製方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＳＯＩ基板の半導体層をエッチングにより素子分離する。例文帳に追加

A semiconductor layer of the SOI substrate is separated as an element by etching. - 特許庁

ＳＯＩ基板の作製方法及び単結晶半導体層の作製方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

Ｓｉ基板上の光電融合デバイス構造及びその製造方法例文帳に追加

PHOTOELECTRIC FUSION DEVICE STRUCTURE ON Si SUBSTRATE AND MANUFACTURE OF THE DEVICE - 特許庁

ＳＯＩ基板におけるトレンチキャパシタおよびその形成方法例文帳に追加

TRENCH CAPACITOR IN SOI BOARD AND ITS FORMING METHOD - 特許庁

制御スイッチは、ＧＵＩから離れており、ＧＵＩ近傍に位置しない。例文帳に追加

The control switch is away from the GUI, and not positioned near the GUI. - 特許庁

キャパシタとその製造方法及びキャパシタを備えるＳＯＩ基板例文帳に追加

CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOI SUBSTRATE EQUIPPED WITH CAPACITOR - 特許庁

Ｉ／ＱコンバータＩＣ及び衛星放送受信用ＤＢＳチューナ例文帳に追加

I/Q CONVERTER IC AND DBS TUNER FOR RECEIVING SATELLITE BROADCAST - 特許庁

ＳＯＩ基板のドライエッチング方法およびドライエッチング装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR DRY ETCHING OF SOI SUBSTRATE - 特許庁

キャリア周波数オフセットとＩＱインバランスの補償方法例文帳に追加

CARRIER FREQUENCY OFFSET, AND I/Q IMBALANCE COMPENSATION METHOD - 特許庁

Ｓｉ基板１１０上にマスク２００を形成する（図４（ａ））。例文帳に追加

A mask 200 is formed on an Si substrate 110 (Figure 4 (a)). - 特許庁

Ｓｉ基板は、低抵抗（１００）単結晶シリコンで構成されている。例文帳に追加

The Si substrate is formed of low-resistance (100) single crystal silicon. - 特許庁

ＳＭＩＩ規格による装置間のデータ転送中継装置及びその方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR ARBITRATING DATA TRANSMISSION AMONG DEVICES HAVING SMII STANDARD - 特許庁

その後、露出されたＳｉ機構層の表面にボロンがドープされる。例文帳に追加

After that, boron is doped onto a surface of the exposed Si mechanism layer. - 特許庁

ＳＯＩ基板の作製方法、および半導体装置の作製方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF SOI SUBSTRATE AND PORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

大気圧プラズマエッチング装置及びＳＯＩ基板の作製方法例文帳に追加

ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE - 特許庁

ＳＯＩ基板とその製造方法およびこれを使用した半導体装置例文帳に追加

SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

ＳＯＩ基板の加工方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR WORKING SOI SUBSTRATE AND FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

薄いＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板の製造方法を適用する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an SOI substrate having a thin SOI layer. - 特許庁

ディスク制御用ＬＳＩ、記憶装置および情報処理システム例文帳に追加

LSI FOR DISK CONTROL, MEMORY DEVICE AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM - 特許庁

Ｓｉ基板１上に有機膜２、ＳｉＯ_2 膜３を順次形成する。例文帳に追加

An organic film 2 and an SiO2 film 3 are made in order on an Si substrate 1. - 特許庁

このＩ，Ｑ信号と再生キャリアとの複素乗算を行なう。例文帳に追加

Complex multiplication is applied between the I, Q signals and a recovered carrier. - 特許庁

サンドブラスト処理された裏面を有するＳＯＩ基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE HAVING BACKSIDE SANDBLASTED - 特許庁

まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。例文帳に追加

First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5. - 特許庁

ＳＯＩ基板の製造方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

反応管２内に純ＮｉバルクからなるＮｉ基板１を設置する。例文帳に追加

A Ni substrate 1 composed of pure Ni bulk is set in a reaction tube 2. - 特許庁

ＩＱ信号発生器を有効に実施するためのシステム及び方法例文帳に追加

SYSTEM AND METHOD FOR EFFECTIVELY IMPLEMENTING IQ SIGNAL GENERATOR - 特許庁