「あいき」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳＯＩ基板、半導体装置、ＳＯＩ基板の作製方法、半導体装置の作製方法、及び半導体装置を用いた表示装置例文帳に追加

SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SOI SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

無線通信装置、ＩＱインバランス検出回路モジュール、ＩＱインバランス検出方法、および、無線通信装置の制御方法例文帳に追加

RADIO COMMUNICATION DEVICE, IQ IMBALANCE DETECTION CIRCUIT MODULE, IQ IMBALANCE DETECTING METHOD, AND CONTROL METHOD OF RADIO COMMUNICATION DEVICE - 特許庁

この状態で、Ｓｉ基板２の温度を約１０００℃に保持して、Ｓｉ基板２にマグネシウムをドープする。例文帳に追加

In this state, the temperature of the Si substrate 2 is kept at about 1000°C, and Mg is doped into the Si substrate 2. - 特許庁

一方、ハイパスフィルタ５２は、モータジェネレータを流れる電流ｉｄ，ｉｑから高周波電流信号ｉｄｈ，ｉｑｈを抽出する。例文帳に追加

Meanwhile, a highpass filter 52 extracts high frequency current signals idh and iqh from currents id and iq flowing through a motor generator. - 特許庁

Ｓｉ基板を使用した窒化物半導体発光素子において、Ｓｉ基板と窒化物半導体との界面におけるクラックの発生を防止する。例文帳に追加

To prevent cracks from being made in the interface between a Si substrate and a nitride semiconductor of a nitride semiconductor light emitting element using the Si substrate. - 特許庁

ＩＱ差調整部１１３は、ＦＦＴ後の周波数領域信号に対して、上記イメージ成分が最小になるようにＩＱ差を自動調整する。例文帳に追加

The IQ difference adjusting portion 113 automatically adjusts an IQ difference to a frequency area signal after a FFT so that the image component becomes minimum. - 特許庁

（１００）Ｓｉ基板と、この（１００）Ｓｉ基板上に形成された、（１１１）配向のＮｉＳｉ多結晶膜とからなる半導体積層膜を構成する。例文帳に追加

The semiconductor laminated film is configured, that comprises a (100) Si substrate, and an NiSi polycrystalline film with (111) orientation formed on the (100) Si substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板２は、導電性Ｓｉ基板２１、ＳｉＯ_２層２２及びＳｉ層２３により構成されており、その厚さ方向について絶縁性である。例文帳に追加

The SOI substrate 2 comprises a conductive Si substrate 21, an SiO_2 layer 22, and an Si layer 23, and has insulation properties in its thickness direction. - 特許庁

可動部材８のＳｉ基板１２への投影領域は、Ｓｉ基板１２での液体供給口５の開口領域よりも大きい。例文帳に追加

Projection area of the Si substrate 12 to the movable member 8 is larger than the area of the liquid supply opening 5 in the Si substrate 12. - 特許庁

２乗演算部２３で、Ｍｉｑ^2＝（ｇ（Ｖｉ））^2＋（ｇ（Ｖｑ））^2で表される演算出力Ｍｉｑ^2を算出する。例文帳に追加

A square arithmetic part 23 calculates an arithmetic output Miq2 expressed as Miq2=(g(Vi))2+(g(Vq)2. - 特許庁

Ｓｉ基板１０に物理的力を加えることなく、Ｓｉ基板１０上のＧａＮ層１１作製し、信頼性の高い半導体素子得ること。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device of high reliability by fabricating a GaN layer 11 on an Si substrate 10 without applying a physical force to the Si substrate 10. - 特許庁

直交復調後のＩ／Ｑ信号を検波することなく、比較的簡単な構成てＩ／Ｑ信号の振幅誤差を低減することができる。例文帳に追加

Without having to detect the I/Q signal after being subjected to quadrature demodulation, the amplitude errors of the I/Q signal can be reduced, using a in comparatively simple configuration. - 特許庁

開口面Ｈを形成後、レジストパターン９をＳｉ基板１上から除去し、その後、希フッ酸を用いてＳｉ基板１を洗浄処理する。例文帳に追加

Further, after the open surface H is formed; the resist pattern 9 is removed from the Si substrate 1, and the Si substrate 1 is cleaned by dilute hydrofluoric acid. - 特許庁

サイドバンド成分が最小となるように回路４０２はトランスミッターでＩ／Ｑ位相不均衡とＩ／Ｑゲイン不均衡とを低減する。例文帳に追加

The circuit 402 reduces I/Q phase imbalance and I/Q gain imbalance by a transmitter so that side-band components can be minimized. - 特許庁

ＳＯＩ基板を有する半導体構成体をベース板上に設けた半導体装置において、ＳＯＩ基板の下面をグランド電位とする。例文帳に追加

To set the bottom surface of an SOI substrate to a grounding potential in a semiconductor device wherein a semiconductor configuration having the SOI substrate is provided on a base plate. - 特許庁

第２の電気ＩＱ多重装置（３４ｂ，３６ｂ，３８ｂ，４０ｂ，４２ｂ）が、第３のデータ信号（ｃｈ１（Ｂ））及び第４のデータ信号（ｃｈ２（Ｂ））を電気ＩＱ多重する。例文帳に追加

Second electric IQ multiplexers (34a, 36b, 38b, 40b, 42b) electrically IQ multiplex a third data signal (ch1(B)) and a fourth data signal (ch2(B)). - 特許庁

Ｓｉ基板１２および圧電薄膜１６の間、かつ、Ｓｉ基板１２における空洞部１７の周囲部上にダミー層１３を設ける。例文帳に追加

A dummy layer 13 is installed between the Si substrate 12 and the piezoelectric thin film 16 and on a peripheral part of the hollow part 17 in the Si substrate 12. - 特許庁

第１の電気ＩＱ多重装置（３４ａ，３６ａ，３８ａ，４０ａ，４２ａ）が、第１のデータ信号（ｃｈ１（Ａ））及び第２のデータ信号（ｃｈ２（Ａ））を電気ＩＱ多重する。例文帳に追加

First electric IQ multiplexers (34a, 36a, 38a, 40a, 42a) apply electric IQ multiplexing to a first data signal (ch1(A)) and a second data signal (ch2(A)). - 特許庁

Ｓｉ基板２２とＳｉ薄膜２４をＳｉＯ_２膜２３を介して貼り合わせたＳＯＩ基板の下面に凹部２６を形成する。例文帳に追加

A recess 26 is formed on the under surface of an SOI substrate formed by laminating an Si substrate 22 on an Si thin film 24 through an SiO_2 film 23. - 特許庁

Ｓｉ基板上へダイレクトにラジカル反応を利用して集積化することができるＳｉ基板上への単分子膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a monomolecular film on an Si substrate by which the monomolecular film can be accumulated directly on the Si substrate by utilizing a radical reaction. - 特許庁

Ｉ／Ｑ間位相差モニタ装置１１３は、タップ１１０と移相要素１０８との間に設けられ、Ｉ／Ｑ間位相差をモニタする。例文帳に追加

The I/Q phase differential monitoring apparatus 113 is located between the tap 110 and the phase element 108 for monitoring the I/Q phase difference. - 特許庁

Ｓｉ基板２の一方表面にボロンを拡散し、他方表面からＳｉ基板２をエッチングし、不純物拡散層１２を露出させる。例文帳に追加

Boron is diffused on one surface of a Si substrate 2 and the Si substrate 2 is etched on the other side to expose an impurity diffusion layer 12. - 特許庁

ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching method of an SOI substrate which allows for flat wet etching of an Si substrate at high speed. - 特許庁

Ｓｉ基板１２上に流路側壁１０及び天板部２が積層され、Ｓｉ基板１２と天板部２との間に液流路３が構成される。例文帳に追加

A channel side wall 10 and a top plate part 2 are laid on an Si substrate 12 and a liquid channel 3 is formed between the Si substrate 12 and the top plate part 2. - 特許庁

また、受光部１５０はＳｉ基板１１０に直接接続されており、赤外線吸収による熱は効率よくＳｉ基板１１０に逃がされる。例文帳に追加

The light receiving part 150 is connected directly to the Si substrate 110, and heat generated by infrared absorption is escaped efficiently to the Si substrate 110. - 特許庁

その後、アニールあるいはポリッシングにより、炭化ケイ素ＳＯＩ基板１の剥離面４ａを平坦化し、炭化ケイ素ＳＯＩ基板１を完成させる。例文帳に追加

The substrate 1 is finished after flattening the surface of separation 4a by means of annealing and polishing. - 特許庁

Ｓｉ基板１の素子分離領域が開口したＳｉＮ膜２をマスクとして、Ｓｉ基板１にトレンチ３を形成する。例文帳に追加

Trenches 3 are formed in a Si substrate 1 by using a SiN film 2 having openings in the device isolating regions of the Si substrate 1 as a mask. - 特許庁

設定部は、設定条件が成立する場合、キーリピート間隔を設定し、調整条件が設立する場合、キーリピート間隔を調整する。例文帳に追加

When setting conditions are established, a setting part sets the key repetition intervals, and adjusts the key repetition intervals when adjustment conditions are established. - 特許庁

送信機部分はＩＱ変調器を備え、無線受信機はさらに、ＩＱ復調器を備えた受信機部分を備えている。例文帳に追加

The transmitter part is provided with an IQ modulator, and a wireless receiver is provided with a receiver part provided with an IQ demodulator. - 特許庁

ＳＯＩ基板、素子基板、電気光学装置及び電子機器、並びにＳＯＩ基板の製造方法、素子基板の製造方法例文帳に追加

SOI SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELEMENT SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTROOPTICAL DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板及び石英ガラス基板から選ばれる一種以上であることが好ましい。例文帳に追加

The substrate is preferably one or more kinds selected form a Si-substrate, a SiO_2/Si substrate and a quartz glass substrate. - 特許庁

Ｓｉ異方性ドライエッチングを用いて精度良くＳｉ基板を加工するＳｉ基板加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide an Si substrate working method for accurately working an Si substrate using Si anisotropic dry etching. - 特許庁

そして、Ｓｉ基板１１０を熱処理し（図４（ｅ））、Ｓｉ基板１１０の表面に金属を蒸着して反射膜３００を形成する。例文帳に追加

The Si substrate 110 is heat-treated (Figure 4(e)) and metal is deposited on the surface of the Si substrate 110 to form a reflection coating 300. - 特許庁

ここで、予測電流ｉｄｅ，ｉｑｅの算出に際して用いる電流の初期値を、前回の予測電流ｉｄｅ，ｉｑｅとする。例文帳に追加

At this point, the predicted currents ide and iqe obtained in a previous cycle are used as initial values of currents used for calculating the predicted currents ide and iqe. - 特許庁

移動局、基地局、通信システム、送信方法、受信方法、通信方法、ＩＱ多重装置及びＩＱ多重方法例文帳に追加

MOBILE STATION, BASE STATION, COMMUNICATION SYSTEM, TRANSMITTING METHOD, RECEIVING METHOD, CORRESPONDENCE PROCEDURE, IQ MULTIPLEXER, AND IQ MULTIPLEX METHOD - 特許庁

Ｓｉ基板の表面に、素子分離絶縁膜、ｎウェル及びｐウェルを形成した後、前処理として、Ｓｉ基板の洗浄を行う（ステップＳ１）。例文帳に追加

After forming an element isolation insulation film, an n-well, and a p-well on the surface of an Si substrate, the Si substrate is cleaned as a pretreatment (step S1). - 特許庁

Ｓｉ基板１の表面に犠牲層２を形成し、エッチングストップ層４をＳｉ基板１の表面に形成する。例文帳に追加

A sacrificial layer 2 is formed on the surface of a Si substrate 1, and an etching stop layer 4 is formed on the surface of the Si substrate 1. - 特許庁

運転者の作業負担を増加させることなく、正当な歩合給を算出することができる歩合給算出システムを提供する。例文帳に追加

To provide a system for calculating percentage pay, with which a proper percentage pay can be calculated without increasing the work burden of a driver. - 特許庁

侵入光Ｌ２がＳｉ基板４１へ到達するのを防止し、Ｓｉ基板４１に対する侵入光Ｌ２の影響を除去することができる。例文帳に追加

The entering light L2 is prevented from arriving at an Si substrate 41 so as to remove the influence of the entering light L2 to the Si substrate 41. - 特許庁

この予測電流ｉｄｅ，ｉｑｅと指令電流ｉｄｒ，ｉｑｒとの差に基づき評価関数Ｊを構築する。例文帳に追加

An evaluation function J is built on the basis of the difference between the prediction currents ide, iqe and command currents idr, iqr. - 特許庁

そして、アーリー電圧検出部２２の出力電流（電流ＩＱ１１）を、ドライバ回路２１の入力電流（電流ＩＱ５）に加算する。例文帳に追加

An output current (current IQ11) of the early voltage detector 22 is added to the input current (current IQ5) of the driver circuit 21. - 特許庁

ＧＵＩ機能を持たないＪａｖａ実行環境で、ＧＵＩ機能を利用したＪａｖａアプリケーションを手軽に実行することを可能にする。例文帳に追加

To easily execute Java application using a GUI function in Java execution environment without GUI function. - 特許庁

Ｓｉ基板上に、ＡｌＮ及びＧａＮを成長させるにあたり、Ｓｉ基板の抵抗値の低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress reduction of a resistance value of an Si substrate when growing AlN and GaN on the Si substrate. - 特許庁

移動局、基地局、通信システム、送信方法、受信方法、通信方法、ＩＱ多重装置及びＩＱ多重方法例文帳に追加

MOBILE STATION, BASE STATION, COMMUNICATION SYSTEM, TRANSMITTING METHOD, RECEIVING METHOD, COMMUNICATION METHOD, IQ MULTIPLEXER, AND IQ MULTIPLEXING METHOD - 特許庁

すなわち、ＳＯＩ基板の両面を使用して、１つのＳＯＩ基板に集積回路とＭＥＭＳセンサを搭載する。例文帳に追加

In other words, by using both surfaces of the SOI substrate, the integrated circuit and the MEMS sensor are mounted on one SOI substrate. - 特許庁