「いえじ」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

感じの好い家だ例文帳に追加

It is a pleasant house.  - 斎藤和英大辞典

彼の家はじきそばだ例文帳に追加

He lives near by―close by―hard by.  - 斎藤和英大辞典

家が損じている例文帳に追加

The house is out of repair.  - 斎藤和英大辞典

家が揺れるのを感じた。例文帳に追加

I felt the house shake. - Tatoeba例文

この家はおじのものだ。例文帳に追加

This house belongs to my uncle. - Tatoeba例文

えー、信じらんなーい！例文帳に追加

Gee, unbelievable! - Tatoeba例文

家に帰るんじゃないよ。例文帳に追加

I'm not going home. - Tatoeba例文

これは僕の家じゃない。例文帳に追加

This isn't my home. - Tatoeba例文

これは僕の家じゃない。例文帳に追加

This is not my home. - Tatoeba例文

象形エジプト文字例文帳に追加

hieratic Egyptian script  - 日本語WordNet

同じ家に生まれた人例文帳に追加

people born in the same family  - EDR日英対訳辞書

個人が経営する塾例文帳に追加

a school managed privately  - EDR日英対訳辞書

家や部屋にとじこもる例文帳に追加

to stay in one's house  - EDR日英対訳辞書

おなじみのことばで言えば例文帳に追加

as the phrase goes - Eゲイト英和辞典

同じような家の並び例文帳に追加

a line of identical houses - Eゲイト英和辞典

おじさんの家へ行きます例文帳に追加

I'm going to my uncle's. - Eゲイト英和辞典

家が揺れるのを感じた。例文帳に追加

I felt the house shake.  - Tanaka Corpus

この家はおじのものだ。例文帳に追加

This house belongs to my uncle.  - Tanaka Corpus

えー、信じらんなーい！例文帳に追加

Gee, unbelievable!  - Tanaka Corpus

藤原兼家登場。例文帳に追加

FUJIWARA no Kaneie comes on the scene.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

徳川家康の次女。例文帳に追加

The second daughter of Ieyasu TOKUGAWA.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

（Ａ）液状エポキシ樹脂。例文帳に追加

(A) An epoxy resin. - 特許庁

樹脂製エンジンカバー例文帳に追加

ENGINE COVER MADE OF RESIN - 特許庁

ＡＭラジオ受信回路例文帳に追加

AM RADIO RECEIVING CIRCUIT - 特許庁

ロジン系エマルジョン例文帳に追加

ROSIN-BASED EMULSION - 特許庁

透明液状洗浄料例文帳に追加

TRANSPARENT LIQUID CLEANING AGENT - 特許庁

ＡＭラジオ受信機例文帳に追加

AM RADIO RECEIVER - 特許庁

ＡｌＩｎＡｓ半導体に替えて、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体を用いることができる。例文帳に追加

Instead of the AlInAs semiconductor, an AlGaInAs semiconductor may be used. - 特許庁

ΔＶ^ｒｅｇ_ｄ，ｓ＝｛（ΔＶ^ｍａｘ_ｄ，ｓ）／‖ΔＶ^ｍａｘ_ｄ‖｝・＜‖ΔＶ^ｍａｘ_ｄ‖＞・・・（１）例文帳に追加

(1) ΔV^reg_d, s={(ΔV^max_d, s)/||ΔV^max_d||}×||ΔV^max_d||>. - 特許庁

すなわち、Ａｌ組成が０．１のＡｌＧａＡｓ層３０−１，Ａｌ組成が０．２のＡｌＧａＡｓ層３０−２，Ａｌ組成が０．３のＡｌＧａＡｓ層３０−３，Ａｌ組成が０．３５のＡｌＧａＡｓ層３０−４を順次、エピタキシャル成長する。例文帳に追加

That is, an AlGaAs layer 30-1 whose Al composition is 0.1, an AlGaAs layer 30-2 whose Al composition is 0.2, an AlGaAs layer 30-3 whose Al composition is 0.3, and an AlGaAs layer 30-4 whose Al composition is 0.35 are successively grown epitaxially. - 特許庁

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層１８を、ＧａＡｓより臨界電界強度の大きいＡｌＧａＩｎＰ等の半導体層とＧａＡｓ層から成る超格子構造とするか、又はＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。例文帳に追加

In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted. - 特許庁

成長基板のＧａＡｓ基板１上にｐ−ＩｎＧａＡｓクラッド層２、ＡｌＩｎＧａＰ−ＭＱＷ活性層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓクラッド層４及びＩｎＧａＰ接着層５を順次結晶成長させる。例文帳に追加

A p-InGaAs clad layer 2, an AlInGaP-MQW active layer 3, a n-InGaAs clad layer 4 and an InGaP adhesion layer 5 are sequentially crystal-grown on a GaAs substrate 1 of a growth substrate. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ層と、ＡｌＧａＩｎＰ層の上に形成されたＡｌＧａＡｓ層とを備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置において、ＡｌＧａＩｎＰ層とＡｌＧａＡｓ層との間の結晶欠陥を低減できるようにする。例文帳に追加

To reduce crystal defects between an AlGaInP layer and an AlGaAs layer in a Group III-V compound semiconductor device furnished with the AlGaInP layer and the AlGaAs layer grown on the AlGaInP layer. - 特許庁

なお、Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから格子定数が徐々に大きくなるようにＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層の組成を変化させていく。例文帳に追加

In the In_yGa_1-yAs layer, for example, composition of the In_zGa_1-zP buffer layer is changed so that the lattice constant gradually increases from In_xGa_1-xAs. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓ層３上にＧａＡｓ層４を成長させて歪系半導体層を形成する。例文帳に追加

A GaAs layer 4 is grown on an InGaAs layer 3 for forming a strained semiconductor layer. - 特許庁

ｐ形ＧａＡｓ基板１０の上に、ｐ形ＧａＡｓ層１２，ｎ形ＧａＡｓ層１４，ｐ形ＧａＡｓ層１６，ｎ形ＧａＡｓ層１８が順次積層され、ｎ形ＧａＡｓ層１８上にカソード電極２２が、ｐ形ＧａＡｓ層１６上にゲート電極２３が形成されている。例文帳に追加

A p-type GaAs layer 12, an n-type GaAs layer 14, a p-type GaAs layer 16, and an n-type GaAs layer 18, are sequentially laminated on a p-type GaAs substrate 10; a cathode electrode 22 is formed on the n-type GaAs layer 18; and a gate electrode 23 is formed on the p-type GaAs layer 16. - 特許庁

発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、ｐ型ＧａＡｓ基板４上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１を順次形成したダブルヘテロ構造をしている。例文帳に追加

The epitaxial wafer for light-emitting diode has a double heterostructure, wherein a p-type GaAlAs clad layer 3, a p-type GaAlAs active layer 2, and an n-type GaAlAs clad layer 1 are formed successively on a p-type GaAs substrate 4. - 特許庁

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ／ｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ層２５のリッジ側面部は、Ａｌが選択的に酸化されたＡｌ酸化層２８となっている。例文帳に追加

The ridge side surface of the p-AlInAs/p- AlGaInAs layer 25 is formed as the Al oxide film 28 where the Al is selectively oxidized. - 特許庁

彼女の家と私の家の間には大きな家があります例文帳に追加

There is a big house between her house and mine.  - Weblio Email例文集

大永6年（1526年）、一時的とはいえ室町幕府管領となる。例文帳に追加

In 1526, though tentatively, he became a Muromachi bakufu kanrei.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＩｎＧａＡｓ層を含むエピタキシャルウエハ例文帳に追加

EPITAXIAL WAFER CONTAINING InGaAs LAYER - 特許庁

半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。例文帳に追加

The semiconductor epitaxial layer 19 is composed of InGaN. - 特許庁

改善された波長安定性を有するＩｎＧａＡｓＮ素子例文帳に追加

InGaAsN DEVICE WITH IMPROVED WAVELENGTH STABILITY - 特許庁

ＧａＡｓ基板を用いたＩｎＰ系半導体装置例文帳に追加

InP-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE USING GaAs SUBSTRATE - 特許庁

高品質ＩｎＧａＡｓＮ半導体の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING HIGH QUALITY InGaAsN SEMICONDUCTOR - 特許庁