「コールドウォール」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace. - 特許庁

半導体基板の主表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、コールドウォール型の反応炉１の中にサセプタ２を備えている。例文帳に追加

A vapor phase growth apparatus 100 for vapor-growing the thin film on the principal surface of the semiconductor substrate comprises a susceptor 2 in a cold wall type reactor 1. - 特許庁

コールドウォール形成膜処理装置において処理容器内の隅々まで成膜時に各部に付着した不所望な被膜を効果的にクリーニングすること。例文帳に追加

To effectively clean a non-desired film adhered to each part during the film deposition on all the corners of a treatment vessel in a cold-wall type film deposition apparatus. - 特許庁

セルフ・アラインコンタクト用の窒化シリコン膜を成膜する場合に、サイドウォールをコールドウォール型の枚葉式熱ＣＶＤ装置で形成し、ＣＶＤ装置のチャンバの内壁温度を３０℃以下にする。例文帳に追加

In the case of forming the silicon nitride film for the self-aligned contact, a side wall is formed by the single wafer type heat CVD system of the cold wall type and the inner wall temperature of the chamber of the CVD system is turned to 30°C or lower. - 特許庁

コールドウォールタイプのチャンバー内にホットウォールタイプのシールドを設け、シールドの内部に反応領域を制限するように構成したことを特徴とする。例文帳に追加

The inside of a cold wall type chamber is provided with a hot wall type shield, and a reaction region at the inside of the shield is limited. - 特許庁

コールドウォールを用いるＭＯＣＶＤ反応炉中で、高品質の３−５族系化合物半導体を高速成長させることができるようにすること。例文帳に追加

To disclose a process adapted for rapid growth of a high-quality group III-V based compound semiconductor in an MOCVD reacting furnace with a cold wall. - 特許庁

真空処理容器内に被処理基板１０を搬入し加熱または冷却された処理台１３上に搭載して所定の処理を施すコールドウォール型真空処理を行う半導体製造装置に適用される基板搭載方法であり、被処理基板を処理台上に搭載する前に例えば一時的に停止させる方法である。例文帳に追加

This substrate mounting method is applied to a semiconductor manufacturing device for performing cold wall vacuum treatment for specific treatment by carrying in a substrate 10 into a vacuum treatment container and then mounting the substrate on a heated or cooled treatment stand 13. - 特許庁

トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱ＣＶＤ装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、ｐチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a highly reliable and high-speed semiconductor device by preventing the reduction of the source/drain current of a p-channel type transistor even in the case of forming a silicon nitride film for self-aligned contact by using the single wafer type heat CVD system of a cold wall type so as to cope with the micronization of a transistor. - 特許庁

真空処理容器内に被処理基板１０を搬入し加熱または冷却された処理台１３上に搭載して所定の処理を施すコールドウォール型真空処理を行う半導体製造装置に適用される基板搭載方法であり、被処理基板を処理台上に搭載する前に例えば一時的に停止させる方法である。例文帳に追加

In a substrate mounting method used in a semiconductor producing apparatus for conveying a substrate 10 into a vacuum treatment container and mounting the substrate on a treatment board 13 cooled or heated to perform predetermined treatments for a cold wall vacuum treatment, the apparatus is halted before the substrate to be subjected to the treatment is mounted on the treatment board. - 特許庁

この発明は、絶縁膜を形成するのに用いるコールドウォール型熱処理炉１０において、反応管１１内に配置した炭化珪素からなるサセプタ１３を光照射により加熱し、サセプタ１３上に載置した、最上層が炭化珪素である半導体基板１４に熱処理を施して絶縁膜を形成することを特徴としている。例文帳に追加

In a cold-wall-type heat treating furnace 10 used to form an insulating film, a susceptor 13 that is formed of silicon carbide and is disposed in a reaction tube 11 is heated by light irradiation so as to heat-treat a semiconductor substrate 14 which is placed on the susceptor 13 and the top layer of which is formed of silicon carbide, thereby forming an insulating film. - 特許庁

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。例文帳に追加

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas. - 特許庁