| 意味 | 例文 (999件) |
上縁板の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11729件
さらに、基板側電極１２を絶縁基板１１の上面に形成した。例文帳に追加
The board-side electrodes 12 are formed on the upper surface of an insulation board 11. - 特許庁
上記の前側板(12)の上・下端縁(16・20)を、後側板(13)の上・下端縁(19・22)に、それぞれ連結板(17・21)を介して連結固定する。例文帳に追加
The upper and lower end edges (16 and 20) of the front panel (12) are connected and fix to the upper and lower end edges (19 and 22) of the rear panel (13) via connecting panels (17 and 21). - 特許庁
半導体基板１上に絶縁膜２を形成した後、絶縁膜２上にＴｉ膜３を堆積する。例文帳に追加
An insulation film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and then a Ti film 3 is deposited thereon. - 特許庁
各保持板２５の上部内縁は上広がりのテーパ状をなすガイド縁２６となっている。例文帳に追加
The upper inner edge of each retainer 25 is made a tapering guide edge 26 spreading upward. - 特許庁
多孔板で形成したフランジ付き目皿容器体１と、輪状縁板２とで構成され、輪状縁板の内縁と目皿容器体の容器部１１上縁とを一致させて輪状縁板とフランジ部１２とを連結してなる。例文帳に追加
According to the catch basin, an inner edge of the annular rim plate is flush with an upper edge of a container portion 11 of the catch basin container body, and the annular rim plate is connected to the flange portion 12. - 特許庁
天板12上に絶縁基板3を接合するときに、天板12を絶縁基板3を介して加圧しながら軟化させて冷却フィン14の凹部16に倣って天板12を沈み込ませ、天板12に生じた沈み込み部分17に絶縁基板3を嵌め込むことで、絶縁基板3を天板12上にて位置決めしている。例文帳に追加
When joining the insulation board 3 onto the top plate 12, the top plate 12 is made to sink in accordance with the recessed part 16 of the cooling fin 14 by softening the top plate 12 while being pressed through the insulation plate 3, and the insulation plate 3 is fitted into the sinking part 17 generated on the top plate 12, whereby the insulation board 3 is positioned on the top plate 12. - 特許庁
基板１０上に下部絶縁膜１２と上部絶縁膜とを積層した後、上部絶縁膜をエッチングしてラインタイプパターンを形成する。例文帳に追加
The method forms a line-type pattern by laminating a lower dielectric film 12 and an upper dielectric film onto a substrate 10 and then etching the upper dielectric film. - 特許庁
導体シート４は絶縁性の絶縁層８と絶縁性の絶縁層８上に積層された導電性の金属板層９を備えている。例文帳に追加
The conductor sheet 4 comprises an insulating insulation layer 8 and an insulating metal plate layer 9 laminated on the insulating insulation layer 8. - 特許庁
下層基板に、第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、第１の絶縁膜より比誘電率の高い第２の絶縁膜を形成する。例文帳に追加
On a sublayer substrate, a first insulating film is formed, on which a second insulating film is formed that has a higher dielectric constant than the first one. - 特許庁
カウンター天板２の前縁に垂下縁部２１を形成し、化粧カバー３の上縁に断面Ｌ字型の係合縁部３１を形成する。例文帳に追加
A droop edge part 21 is formed at the front edge of a counter top plate 2, and an engage edge part 31 having L-shaped cross section is formed at the upper edge of a dressing cover 3. - 特許庁
半導体基板上の絶縁膜１５ｂ上に配線１７を形成する。例文帳に追加
Wiring 17 is formed on an insulating film 15b on a semiconductor substrate. - 特許庁
絶縁基板２の上面には上層配線５が設けられている。例文帳に追加
Upper layer wiring 5 is provided on an upper surface of the insulation substrate 2. - 特許庁
絶縁体上シリコンの基板上に光スイッチを製造する方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SWITCH ON SILICON SUBSTRATE ON INSULATOR - 特許庁
ゲート絶縁膜２は、基板１上に形成され、上部表面を有する。例文帳に追加
The gate insulating film 2 is formed on the substrate 1 and has an upper surface. - 特許庁
仕切板の上縁部は、基準水位より上方に延設されている。例文帳に追加
The upper edge of the partition plate is extended upward the reference water level. - 特許庁
絶縁体上シリコンの基板上の光スイッチの構造体例文帳に追加
STRUCTURE OF OPTICAL SWITCH ON SUBSTRATE OF SILICON ON INSULATOR - 特許庁
次に、第２の金属膜上を含む基板上に絶縁膜を形成する。例文帳に追加
An insulating film is formed on the substrate including the above part of the second metal film. - 特許庁
積層体１２は、台座２０と、該台座２０上に接合された絶縁基板２２と、該絶縁基板２２上に接合された中間金属板２４とを有する。例文帳に追加
The lamination 12 has a seating 20, an insulating substrate 22 joined onto the seating 20, and a middle metal plate 24 joined onto the insulating substrate 22. - 特許庁
ベース板１０上に絶縁基板１２が設けられ、絶縁基板１２上に配線パターン１４が設けられている。例文帳に追加
An insulating substrate 12 is provided on a base plate 10 and a wiring pattern 14 is provided on the insulating substrate 12. - 特許庁
第１絶縁板１７及び第２絶縁板１８が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する熱伝導性電気絶縁材よりなる。例文帳に追加
The first insulating plate 17 and the second insulating plate 18 are constituted of a heat-conductive electric insulating material, having a thermal conductivity of 5W/(m×K) or higher. - 特許庁
固定板７の上方には絶縁性リング８を介してダイヤフラム板６が積層されて両者は周縁部において絶縁されている。例文帳に追加
A diaphragm sheet 6 is layered above the fixing plate 7 with an insulating ring 8 interposed between them to insulate the two from each other at their peripheral parts. - 特許庁
しかる後に導体バンプ群４，４，…の上に絶縁性シート５を載置し、絶縁性基板１と絶縁性シート５との外周縁を密閉し、絶縁性基板１と絶縁性シート５との間に密閉空間を形成する。例文帳に追加
Then, an insulating sheet 5 is placed on the groups 4, 4,... of the conductors, and the peripheral edges of the insulating substrate 1 and the insulating sheet 5 are sealed to form sealed space between the insulating substrate 1 and the insulating sheet 5. - 特許庁
この箱本体１０の両端の側板１５の上縁には、この上縁のまわりに回転可能な一対の上板２０が設けられている。例文帳に追加
A pair of upper boards 20 each capabler of turning round the upper edge of the case main body are provided at the upper edges of side boards 15 at both ends of the case main body 11. - 特許庁
半導体装置において、基板と、この基板に形成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に形成された第二の絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、第二の絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。例文帳に追加
The semiconductor device comprises the substrate, a first insulating film formed on the substrate, the gate insulating film, constituted of a second insulation film formed on the first insulating film, and the gate electrode formed on the second insulating film. - 特許庁
絶縁スペーサが電極壁体上に提供され、基板と絶縁スペーサ間の電極壁体の部分上には絶縁スペーサが存在しない。例文帳に追加
The insulating space is provided on the electrode wall and no insulating spacer exists on a portion of the electrode wall between the substrate and the insulating spacer. - 特許庁
絶縁体基板１上に絶縁膜２が形成され、絶縁体２上には先鋭化処理が施された薄膜陰極３が形成されている。例文帳に追加
An insulation film 2 is formed on an insulator substrate 1, and a sharpened thin-film cathode 3 is formed on the insulator 2. - 特許庁
半導体基板上に形成される絶縁膜や誘電体膜のリーク電流低減、絶縁耐圧の向上、経時的絶縁破壊の低減を図る。例文帳に追加
To reduce leakage currents, improve dielectric breakdown voltage, and reduce temporal dielectric breakdowns, of insulation films and dielectric films formed on a semiconductor substrate. - 特許庁
基板の上に第１層間絶縁膜が位置し、第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜が位置する。例文帳に追加
A first interlayer insulating film is positioned on the substrate and a second interlayer insulating film is positioned on the first interlayer insulating film. - 特許庁
素子分離膜２は、基板上に形成された第１絶縁膜２１と、第１絶縁膜２１上に形成された第２絶縁膜２２と、を含む。例文帳に追加
The element isolation film 2 comprises a first insulating film 21 formed on the substrate, and a second insulating film 22 formed on the first insulating film 21. - 特許庁
基板上に犠牲膜となる第１の絶縁材が堆積され、該第１の絶縁材上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材が堆積される。例文帳に追加
A first insulating material that becomes a sacrificial film is deposited on a substrate, and a second insulating material having a sacrificial portion is deposited on the first insulating material. - 特許庁
半導体基板の上方に第１絶縁膜２、第２絶縁膜３が順次形成される。例文帳に追加
A first insulating film 2 and a second insulating film 3 are sequentially formed above a semiconductor substrate. - 特許庁
半導体基板上にトンネル絶縁膜として機能する絶縁膜を形成する。例文帳に追加
An insulation film functioning as a tunnel insulation film is formed on the semiconductor substrate. - 特許庁
半導体基板の主面上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜が形成されている。例文帳に追加
A first insulation film made of an insulation material is formed on a main surface of a semiconductor substrate. - 特許庁
基板１１上で、これらの電極の間は絶縁層１５で絶縁されている。例文帳に追加
These electrodes are insulated from each other by an insulating layer 15 on the substrate 11. - 特許庁
そのＴＦＴを覆うように基板１上に層間絶縁膜および絶縁膜が形成される。例文帳に追加
An interlayer insulation film and an insulation film are formed on the substrate 1 so as to cover the TFTs. - 特許庁
試料基板上に、第１の絶縁材料からなる、空孔を有する多孔質絶縁膜形成する。例文帳に追加
The porous insulating film comprising a first insulating material and having vacancies is formed on a sample substrate. - 特許庁
揺動側板２４の上縁２４ａがテープＴの対応する側縁を下方から受ける。例文帳に追加
The upper edge 24a of the swinging side plate 24 receives a corresponding side edge of the tape T from below. - 特許庁
回路基板は、絶縁樹脂層３と絶縁樹脂層３上に形成された配線層９とを有する。例文帳に追加
The circuit board comprises the insulating resin layer 3, and the interconnection layer 9 formed on the insulating resin layer 3. - 特許庁
電着膜形成液から形成される絶縁樹脂層を用いた配線板の絶縁信頼性向上。例文帳に追加
To enable a wiring board, where an insulating resin layer made from an electrodeposition film forming solution is utilized for improving insulation reliability. - 特許庁
プリント配線板は、絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層上に形成される配線導体とを有する。例文帳に追加
The printed wiring board has an insulating resin layer and a wiring conductor made on this insulating resin layer. - 特許庁
絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。例文帳に追加
An insulating film, a semiconductor film, an insulating film, and a semiconductor film are laminated in this order on a substrate. - 特許庁
半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加
An inter layer insulating film composed of an insulating material is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁
半導体基板上に層間絶縁層を形成して、層間絶縁層にコンタクトホールを形成する。例文帳に追加
An interlayer insulating layer is formed on a semiconductor substrate while a contact hole is formed at the interlayer insulating layer. - 特許庁
基板上に層間絶縁膜１、配線７、層間絶縁膜８を順次形成する。例文帳に追加
An interlayer insulating film 1, wiring 7 and an interlayer insulating film 8 are sequentially formed on a substrate. - 特許庁
配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の上に形成された導体パターン２とを含んでいる。例文帳に追加
A wiring board includes an insulating layer 1 and a conductor pattern 2 formed on the insulating layer 1. - 特許庁
基板の上方に絶縁膜４４を形成した後、絶縁膜４４に溝４４ａを形成する。例文帳に追加
After an insulating film 44 is formed on a substrate, a groove 44a is formed in the insulating film 44. - 特許庁
半導体基板の表面上に、絶縁材料からなる絶縁膜を形成する。例文帳に追加
An insulating film made of an insulating material is formed on a surface of semiconductor substrate. - 特許庁
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