「体成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

また、前記細胞成長因子は上皮成長因子であり、前記細胞成長ペプチドは、上皮成長因子受容体結合ドメインを備えた１１〜１５のアミノ酸残基からなるペプチドであることにも特徴を有する。例文帳に追加

The cell growth factor is an epidermal growth factor, and the cell growth peptide is a peptide comprising 11-15 amino acid residues including an epidermal growth factor receptor binding domain. - 特許庁

成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。例文帳に追加

In a growth process S1, a gas G1 containing an ammonia and group III organic metal matter is supplied into a growth furnace 15 of a vapor phase growth apparatus 11 to grow a group III nitride semiconductor of GaN etc. - 特許庁

実用的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とするIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for growing a group III nitride crystal which is grown under practical crystal growing conditions, the group III nitride crystal and a semiconductor device. - 特許庁

ＺｎＯ結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置に関し、サファイヤ基板上に成長されるＺｎＯ結晶の結晶欠陥を低減し、良質なＺｎＯ結晶を成長する結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth method growing a good ZnO crystal by reducing a crystal defect of ZnO crystal grown on a saphire substrate in regard to the ZnO crystal, its growth method, and a semiconductor device using it. - 特許庁

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法であって、ハイドライド気相エピタキシャル成長法で成長速度を変えて２段階成長させる。例文帳に追加

In the method for growing the gallium-nitride-based compound semiconductor on the substrate, a growth speed is changed, and the compound semiconductor is grown at two stages by a hydride vapor-phase epitaxial growth method. - 特許庁

結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a GaN-based compound semiconductor, by which a crystal growth layer can be easily separated from a sapphire substrate without causing damage to the crystal growth layer, and to provide a substrate with the growth layer. - 特許庁

基板裏面における結晶成長を抑止しつつ、基板表面全体に結晶成長させることが可能な液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid phase epitaxial growing device and a method therefor for growing crystal on the whole of a substrate face while crystal growth on the rear face of a substrate is suppressed. - 特許庁

気相成長装置及び気相成長方法において、気相成長処理時に半導体ウェハが反応炉を占める時間を短縮し、気相成長処理の効率向上を図ること。例文帳に追加

To enhance efficiency of vapor phase epitaxial growth processing by shortening the time when a reactor is occupied by a semiconductor wafer during vapor phase epitaxial growth process in vapor phase epitaxial growth device and method. - 特許庁

成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加

Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁

ウエハ上に、第１組成の化合物半導体層２２′を層２２の成長時間と同じ成長時間、第２組成の化合物半導体層２５を層２３の成長時間と異なる成長時間で複数回繰り返し成長して第２の周期構造２４を形成する。例文帳に追加

A second periodic structure 24 is formed by repeatedly growing a first composition compound semiconductor layer 22' in the same growing time as the growing time of the layer 22 and repeatedly growing a second composition compound semiconductor layer 25 in a different growing time from that of the layer 23. - 特許庁

有機体（または、有機体の一部）の構造の分化と成長例文帳に追加

differentiation and growth of the structure of an organism (or a part of an organism)  - 日本語WordNet

成長すると体長1.2メートルほど，体重30キロになるはずだ。例文帳に追加

It should grow up to be around 1.2 meters tall and weigh 30 kilograms.  - 浜島書店 Catch a Wave

成長すると体長は１メートル以上，体重は20キロ程度になる。例文帳に追加

They grow to more than one meter in length and about 20 kilograms in weight.  - 浜島書店 Catch a Wave

上皮成長因子受容体（ＥＧＦＲ）に対するヒトモノクローナル抗体例文帳に追加

HUMAN MONOCLONAL ANTIBODY TO EPIDERMAL GROWTH FACTOR RECEPTOR(EGFR) - 特許庁

腫瘍の成長を抑制する抗体および抗体フラグメント類例文帳に追加

ANTIBODY AND ANTIBODY FRAGMENTS FOR INHIBITING GROWTH OF TUMORS - 特許庁

窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板例文帳に追加

METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

半導体結晶の成長方法および半導体結晶基板例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

半導体結晶とその成長方法及び光半導体素子例文帳に追加

SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD OF GROWTH, AND PHOTOSEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体結晶成長方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

窒化物半導体素子および窒化物半導体結晶層の成長方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER - 特許庁

窒化物半導体成長基板およびそれを用いた窒化物半導体素子例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR GROWTH SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME - 特許庁

インスリン様成長因子Ｉ受容体に対する抗体及びその使用例文帳に追加

ANTIBODY AGAINST INSULIN-LIKE GROWTH FACTOR I RECEPTOR AND USE THEREOF - 特許庁

窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR AND CRYSTAL GROWTH METHOD OF THE NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化物半導体の結晶成長方法及び半導体素子の形成方法例文帳に追加

CRYSTAL GROWTH METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

低欠陥窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体基板例文帳に追加

METHOD OF GROWING LOW-DEFECT NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子例文帳に追加

CRYSTAL GROWTH METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体層の成長方法および半導体装置例文帳に追加

GROWING METHOD OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

窒化物半導体素子及び窒化物半導体層成長用基板例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子例文帳に追加

GROWING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法と積層体例文帳に追加

METHOD FOR CROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MULTILAYERED BODY - 特許庁

化合物半導体の結晶成長方法及び化合物半導体装置例文帳に追加

CRYSTAL GROWTH METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化合物半導体の結晶成長法、及び化合物半導体装置例文帳に追加

CRYSTAL GROWTH METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子例文帳に追加

METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化合物半導体の結晶成長方法および半導体発光素子例文帳に追加

CRYSTAL GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

窒化物半導体の気相成長方法及び窒化物半導体素子例文帳に追加

VAPOR GROWTH METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

半導体成長用基板および半導体膜の製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR GROWTH AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

窒化物半導体成長方法および窒化物半導体発光素子例文帳に追加

METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

エピタキシャル成長化合物半導体ウェーハ及び半導体装置例文帳に追加

EPITAXIALLY GROWN COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置例文帳に追加

CRYSTAL GROWTH METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体結晶成長装置用治具，及び半導体製造方法例文帳に追加

JIG FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURE METHOD - 特許庁

ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND GROWTH OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

窒化物半導体発光素子と窒化物半導体の成長方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、絶縁膜成長装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR GROWING INSULATION FILM - 特許庁