「体成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体薄膜の成長方法、および半導体レーザ装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR THIN FILM AND FABRICATION OF SEMICONDUCTOR LASER DEVICE - 特許庁

半導体膜の選択成長方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加

SELECTIVE GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化合物半導体層の成長方法および半導体レーザ例文帳に追加

GROWING METHOD FOR COMPD. SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁

半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子例文帳に追加

METHOD OF GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE - 特許庁

半導体発光素子の製造方法及び半導体結晶成長装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT - 特許庁

気体排出部１２０は、結晶成長室１１０から気体を排出する。例文帳に追加

The gas exhausting section 120 exhausts gas from the crystal growth chamber 110. - 特許庁

さらに、この第１の窒化物半導体を成長核として第２の窒化物半導体を成長させることで平坦な窒化物半導体基板となる。例文帳に追加

Further, a second nitride semiconductor is grown with the first nitride semiconductor as a growth core, thus achieving a flat nitride semiconductor substrate. - 特許庁

窒化物半導体結晶成長基板、窒化物半導体素子および窒化物半導体結晶成長基板の製造方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME - 特許庁

別の半導体を開口部内で成長させた後、誘電体ストリップを除去し、その後、別の半導体層を全面に亘って成長させる。例文帳に追加

Another semiconductor material is grown within the openings and then another semiconductor layer is grown over the entire surface after removing the dielectric strips. - 特許庁

半導体発光素子６２は、半導体層６４と、半導体層６４の結晶成長に用いられた結晶成長用基板６６とを有する。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting device 62 has a semiconductor layer 64; and a crystal-growing substrate 66 for use in crystal growth of the semiconductor layer 64. - 特許庁

半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システム例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR FILM, DEVICE USED FOR THE SAME, DEVICE FOR PURIFYING NITROGEN RAW MATERIAL, SEMICONDUCTOR LASER AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁

半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。例文帳に追加

Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapor deposition (CVD), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE). - 特許庁

光伝導素子は、半導体低温成長層１４を有し、半導体低温成長層１４と半導体基板１０との間に位置し且つ半導体低温成長層１４よりも薄い半導体層１１、１２、１３を有する。例文帳に追加

The photoconductive element includes a semiconductor low-temperature growth layer 14 and thin semiconductor layers 11, 12, 13 which are positioned between the semiconductor low-temperature growth layer 14 and a semiconductor substrate 10 and are thinner than the semiconductor low-temperature growth layer 14. - 特許庁

基板露出面だけへの半導体薄膜の選択成長、酸化物パターン面む含む全面に半導体薄膜の成長、あるいは高濃度に不純物を含む半導体薄膜の成長が可能で、各種半導体装置の形成に適する半導体薄膜成長装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor thin film growing device suitable for forming various semiconductor devices for selectively growing a semiconductor thin film only on a substrate exposed surface, growing a semiconductor thin film over the whole face including an oxide pattern face, and growing a semiconductor thin film containing impurities at a high concentration. - 特許庁

化合物半導体結晶の成長方法、その成長方法を用いて成長した化合物半導体結晶の層を備えた半導体装置及び半導体基板例文帳に追加

METHOD OF GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROVIDED WITH COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER GROWN USING THE METHOD - 特許庁

半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with the semiconductor layer growth substrate and a GaN semiconductor layer epitaxially grown on the principal surface thereof. - 特許庁

半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING ELEMENT, METHOD FOR GROWING NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR GROWING LAYER - 特許庁

オピオイド成長因子は、体内で表面にオピオイド成長因子受容体を持つ細胞（腫瘍細胞を含む）と結合する。例文帳に追加

opioid growth factors bind to cells in the body, including tumor cells, which have opioid growth factor receptors on the surface.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

窒化ガリウム系化合物半導体気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法例文帳に追加

VAPOR PHASE GROWTH DEVICE FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND VAPOR PHASE GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒素化合物半導体膜1０３上に成長抑制膜１０５を部分的に設けて、Ａｌを含む窒素化合物半導体膜を成長させる。例文帳に追加

A growth suppression film 105 is partially provided on a nitrogen compound semiconductor film 103 for growing a nitrogen compound semiconductor film comprising Al. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND APPARATUS FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

この半導体デバイス構造体は、その上でのエピタキシャル領域の成長を支持するのに適した粗面化成長表面を有する基板を含む。例文帳に追加

The semiconductor device structure includes a substrate having a roughened growth surface suitable for supporting the growth of an epitaxial region thereon. - 特許庁

窒素を含む化合物半導体の成長方法および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITING NITROGEN-CONTAINING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR DEPOSITING NIRIDE-BASED GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ドーパント除去工程は、第１半導体層成長工程と第２半導体層成長工程の間に実施される。例文帳に追加

The dopant removal step is performed between the first semiconductor layer growth step and the second semiconductor layer growth step. - 特許庁

窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体結晶成長基板、結晶成長基板保持基板及び接着材例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH SUBSTRATE, CRYSTAL GROWTH SUBSTRATE HOLDING BOARD, AND ADHESIVE MATERIAL - 特許庁

上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁

窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法例文帳に追加

SUBSTRATE USED FOR CRYSTAL GROWTH OF NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR CRYSTAL GROWTH OF NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。例文帳に追加

Subsequently, the base substrate is removed, and a second nitride semiconductor crystal 204 is grown on the first nitride semiconductor crystal. - 特許庁

気相成長法を用いた半導体製造装置において、成長中の半導体に汚染物質が混入しないようにする。例文帳に追加

To prevent contaminant from being mixed into a semiconductor during growth in a semiconductor-manufacturing device using the vapor growth method. - 特許庁

基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。例文帳に追加

Next, the substrate (12) is heated up to a temperature suitable for growing III-V semiconductor and crystalline III-V semiconductor buffer layer (14) is grown. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体素子の製造方法および有機金属化学気相成長装置例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR GROWTH DEVICE - 特許庁

前記成長用基板の前記非マスク部から半導体膜をエピタキシャル成長させて前記マスク上を覆う半導体層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor film from the non-mask portion of the growth substrate is epitaxially grown to form a semiconductor layer covering the mask. - 特許庁

基板上への窒化物半導体の成長であって、低欠陥であり、反りを緩和した窒化物半導体基板の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide the growing method of a nitride semiconductor substrate, for which defects are reduced and warpages are mitigated in the growth of a nitride semiconductor on a substrate. - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させるときに針状結晶の成長を抑制できる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor element capable of restricting growth of needle-like crystal when a III-V group compound semiconductor crystal is grown. - 特許庁

次に成長基板を半導体膜から剥離し、成長基板を剥離することによって表出した半導体膜の表面を平坦化する。例文帳に追加

Then the growth substrate is peeled from the semiconductor film and the surface of the semiconductor film which appears after the growth substrate is peeled is flattened. - 特許庁

炭素微細構造成長体は、成形体の表面（空孔表面を含む。：以下同じ。）に成長起点を有し、熱分解ＣＶＤにより形成する。例文帳に追加

The carbon microstructure grown body has growth starting points at the surface of the article (hereinafter included the surface of a pore), and is formed by pyrolysis CVD. - 特許庁

結晶欠陥の少ない化合物半導体のエピタキシャル成長を可能とする化合物半導体成長用Ｓｉ基板の提供。例文帳に追加

To provide an Si substrate for growing compound semiconductor with which a compound semiconductor which is reduced in crystal defect can be grown epitaxially. - 特許庁

純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する例文帳に追加

To provide a chemical vapor deposition semiconductor film forming apparatus that forms a semiconductor film of uniform impurity concentration by chemical vapor deposition. - 特許庁

成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。例文帳に追加

To provide a method of separating a growth substrate from a semiconductor layer with high reproducibility even when the semiconductor layer formed on the growth substrate is thin. - 特許庁

窒化物半導体結晶膜を均一成長させることが出来る窒化物半導体結晶膜成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a nitride semiconductor crystal film that uniformly grows a nitride semiconductor crystal film. - 特許庁

安価に、反りの少ない窒化物半導体を成長することができる窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a nitride semiconductor capable of growing a nitride semiconductor having less warpage, at low cost. - 特許庁

成長させる工程により、半導体層の最上部層の垂直部を横に取り囲むように成長した半導体が得られる。例文帳に追加

According to the process to grow, such semiconductor is obtained as grown so that it may surround laterally a vertical portion of the uppermost layer of the semiconductor layers. - 特許庁

有機物を分解する有機体の成長を期待して（汚物）に酸素をあてる例文帳に追加

aerate (sewage) so as to favor the growth of organisms that decompose organic matter  - 日本語WordNet

通常、寄生体として動物の外面に住む、またはそこで成長する例文帳に追加

living or growing on the exterior surface of an animal usually as a parasite  - 日本語WordNet