「全絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

耐熱性絶縁フィルムの片面に、熱可塑性樹脂層Ａを介して金属層を有し、もう片方の面に耐熱性樹脂層Ｂを有する金属層付き積層フィルムであって、耐熱性樹脂層Ｂが少なくとも酸二無水物残基とジアミン残基を有するポリイミド系樹脂を含み、該ポリイミド系樹脂が一般式（１）で示される芳香族ジアミンの残基を全ジアミン残基中２５〜６０モル％含むことを特徴とする金属層付き積層フィルム。例文帳に追加

In the laminated film with the metal foil constituted so that a metal layer is provided on one side of the heat-resistant insulating film through a thermoplastic resin layer A and a heat-resistant resin layer B is provided on the other side of the heat-resistant insulating film, the heat-resistant resin layer B contains a polyimide resin having at least an acid dihydrate residue and a diamine residue. - 特許庁

複数の貫通孔９を有する絶縁基板の半導体チップ搭載面側に配線パターン６を持ち、且つ、半導体チップ搭載面の反対面側には、貫通孔９を介して、各貫通孔９を覆うランド１０に接続された外部接続端子４を持ち、配線パターン６と電気的に接続された半導体チップ１および電気接続部が樹脂封止された半導体装置であって、半導体チップ搭載面の反対面側から開口部が全て露出した貫通孔９を覆うダミーランド１１を有する。例文帳に追加

Here, a dummy land 11, which covers the through hole 9 with an opening part all exposed from the opposite side of the semiconductor chip mounting surface, is provided. - 特許庁

２本の絶縁導体が互いに異なるピッチで撚り合わされて構成された複数の対撚線と、複数の光ファイバとが集合された電気光複合ケーブルにおいて、光ファイバはマルチコア型プラスチック製光ファイバで構成され、対撚線とマルチコア型プラスチック製光ファイバとが互いに隣り合わせに配置され、対撚線とマルチコア型プラスチック製光ファイバの全体が撚り合わされてなることを特徴とする。例文帳に追加

The electrooptic composite cable is manufactured by assembling plural pair stranded cables formed by intertwining two insulated conductors at different pitches, and plural optical fibers, and the optical fiber is constituted with a multi core type plastic optical fiber, the pair stranded cables and the multi core type plastic optical fiber are adjacently arranged, and the pair stranded cables and the multi core type plastic optical fiber are intertwined in the whole. - 特許庁

パストランジスタロジックにて構成される論理演算を実現するＭＯＳトランジスタを有するネットワーク論理回路ブロックと、ネットワーク論理回路ブロックの出力信号を増幅するバッファ回路ブロックとを備え、半導体基板５１上に埋込み絶縁層５２を介して半導体層が形成された完全空乏型ＳＯＩ基板の半導体層に形成されたＭＯＳトランジスタ４４、５０を有する。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit device comprises a network logic circuit block having a MOS transistor which performs a logic operation constituted of a pass transistor logic, a buffer circuit block which amplifies an output signal of the network logic circuit block, and MOS transistors 44 and 50 which are formed in a semiconductor layer of a fully-depleted type SOI substrate wherein the semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate 51 via a buried insulation layer 52. - 特許庁

絶縁基板上に形成され、膜厚が異なる複数の領域を有する非晶質シリコン膜に、前記非晶質シリコン膜の最も膜厚が薄い領域がアブレーションせず、かつ、前記非晶質シリコン膜の最も膜厚が厚い領域が完全溶融するエネルギーで、レーザビームを照射して、前記非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜にすることを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

This method for manufacturing a polycrystalline silicon film is provided to irradiate an amorphous silicon film having a plurality of areas whose film thickness is different with a laser beam by energy for preventing the region whose film thickness is the thinnest of the amorphous silicon film from being ablated, and for completely melting the area whose film thickness is the thickest of the amorphous silicon film so that a polycrystalline silicon film can be formed from the amorphous silicon film. - 特許庁