| 例文 (10件) |
室温蒸着の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
その上に、基板温度を室温にしてチタニルフタロシアニン膜１０６を蒸着する。例文帳に追加
A titanyl phthalocyanine film 106 is vapor-deposited thereon with substrate temperature set at room temperature. - 特許庁
有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。例文帳に追加
The film formation method by vacuum deposition uses, as a concurrently evaporating substance, an inactive molecule which has vapor pressure of 1 Pa or less at room temperature but shows higher vapor pressure than that of an organic semiconductor molecule, evaporates or sublimes under the vacuum deposition condition, and exhibits volatility on a heated substrate, when vacuum-depositing the organic semiconductor molecule constituting the vapor deposition film of the organic semiconductor on the substrate. - 特許庁
Ｍｇ合金基板の温度を室温から３５０℃に保ちつつ、１×１０^-1から１×１０^-3Ｐａの真空雰囲気にて、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｂのいずれか１種のターゲットを真空蒸着法により基板表面に蒸着させて作成する。例文帳に追加
This manufacturing method includes depositing either one of targets selected amoug Al, Ti, Mg, Cu, Ag, Au, Zn, Sn and B, on a substrate surface with a vacuum deposition method, under vacuum atmosphere of 1×10^-1 to 1×10^-3 Pa, while keeping the temperature of the Mg alloy substrate at room temperature to 350°C. - 特許庁
サファイア基板上にＡｌＮバッファ層を介してＧａＮ層及びＭｇを添加した積層体（「ＧａＮ」基板をいう。）上に金属（Ｐｔ及びＮｉ）電極５０ｎｍを、▲１▼ＧａＮ基板温度を３００℃に加熱した後に蒸着、▲２▼ＧａＮ基板を室温にて蒸着した。例文帳に追加
On a multilayered body (referred to a "GaN" substrate) produced by forming a GaN layer on a sapphire substrate through an AlN buffer layer and adding Mg, a metal (Pt and Ni) electrode 50 nm is (1) deposited after heating the GaN substrate at 300°C, (2) the GaN substrate is deposited at room temperature, or (3). - 特許庁
本発明の化合物は、融点やガラス転移温度が高く、その蒸着等により成膜される薄膜は、透明で室温以上でも安定なアモルファス状態を形成し、平滑で良好な膜質を示す。例文帳に追加
Compounds used by this invention have high melting point and glass transition temperature, and thin films formed by deposition etc are transparent and form stable amorphous state even at a temperature higher than room temperature presenting smooth and good film quality. - 特許庁
本発明の化合物は、融点やガラス転移温度が高く、その蒸着等により成膜される薄膜は、透明で室温以上でも安定なアモルファス状態を形成し、平滑で良好な膜質を示す。例文帳に追加
The compound has a high melting point and a high glass transition temperature, and a thin film formed by the vapor deposition or the like is transparent, forms a stable amorphous state even at a room temperature or higher, and exhibits smooth and excellent film quality. - 特許庁
また、堆積する微粒子４のエネルギは、室温の熱エネルギ程度でプラズマや蒸着・ＣＶＤに比べて小さくカーボンナノチューブ２を損傷しない。例文帳に追加
The energy of the deposited corpuscles 4 approximately corresponding to thermal energy at a room temperature is smaller than a plasma, an evaporation, and a CVD, and does not damage the carbon nano-tube 2. - 特許庁
室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはＦｅ_３Ｓｉのアモルファスが形成され、４００℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド（Ｃ−ＦｅＳｉ）を含有したＦｅ_３Ｓｉが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉの結晶が得られる。例文帳に追加
When vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to room temperature, amorphous Fe_3Si is formed and when vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to 400°C, Fe_3Si containing monosilicide (C-FeSi) is formed, and by carrying out annealing at a suitable temperature in either case, crystal of iron silicide ferromagnetic material Fe_3Si can be obtained. - 特許庁
本発明は、室温で固体で存在するか、或いは液体であっても粘性の高い融液として存在する、シリルエーテル結合を持つβ−ジケトナトを配位子とする２価の銅錯体の液体搬送ポンプによる気化器への送入が可能で、気化器への負荷が低減された化学気相蒸着用銅錯体溶液の提供を課題とする。例文帳に追加
To provide a chemical vapor deposition use copper complex solution of a bivalent copper complex with β-diketonato having a silyl ether linkage as a ligand, which is present as a solid at room temperature or present as a melt having high viscosity even in a liquid, can be fed into a vaporizer by a liquid transport pump and reduces a load on the vaporizer. - 特許庁
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